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[发明专利]等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法-CN201811572930.9有效
发明人：广瀬润;上田雄大 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开涉及等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法。目的在于提高等离子体蚀刻装置的生产率。等离子体蚀刻装置具有：能够进行真空排气的处理容器；在所述处理容器内载置基板的下部电极；在所述处理容器内与所述下部电极以并行的方式相向的上部电极；处理气体供给部，其向所述上部电极与所述下部电极之间的处理空间供给处理气体；高频供电部，其向所述上部电极或者所述下部电极施加用于由所述处理气体生成等离子体的高频；聚焦环，其覆盖所述基板的周边部；直流电源，其输出用于施加于所述聚焦环的直流电压；加热部，其加热所述聚焦环；以及温度测定部，其测定所述聚焦环的温度。
等离子体蚀刻装置方法

[实用新型]一种增强激光诱导等离子体信号的装置-CN201520627052.1有效
发明人：刘木华;陈添兵;姚明印;周华茂 -专利权人：江西农业大学
申请日： 2015-08-19 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种增强激光诱导等离子体信号的装置，激光器产生激光束，激光束经过聚焦透镜I垂直入射在样品表面，样品表面被击打后产生等离子体信号。天线探头位于样品表面2mm处，对产生的等离子体进行微波加热，增强等离子体光谱信号强度。微波加热后等离子体的发射光谱经过聚焦透镜II收集到光纤探头里面，并耦合到光谱仪中，再传输至计算机进行谱图分析。本实用新型公开的一种增强激光诱导等离子体信号的装置，结构简单，便于实现，在原有的LIBS系统上增加一个微波发生器，增强等离子体信号强度，同时提高检测灵敏度。
一种增强激光诱导等离子体信号装置

[发明专利]多组分膜的生产稳定装置和方法以及涂有该多组分膜的工具-CN200480018580.1无效
发明人：佐藤嗣纪;园部胜;加藤范博;安冈学 -专利权人：株式会社不二越
申请日： 2004-06-29 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：一种生产稳定装置和方法，其通过使用单一的坩埚(3)和聚焦的等离子体(7)，以高的材料利用效率和在良好的膜质量下生产含有熔点很大不同的金属组分，例如TiAlN的多组分膜。或者，进行等离子体控制，使等离子体(7)聚焦在蒸发该材料所要求的起始区域内，然后进行等离子体控制，连续并台阶式移动和膨胀等离子体从起始的等离子体区域到最大等离子体区域，使材料的未熔融部分(4b)逐渐熔融
组分生产稳定装置方法以及工具

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN201580012852.5有效
发明人：安田健太;久保田徹;近藤崇;石田胜广 -专利权人：东京毅力科创株式会社;株式会社东芝
申请日： 2015-04-06 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一技术方案的等离子体处理方法包括如下工序：准备等离子体处理装置的工序，该等离子体处理装置具有腔室、下部电极、上部电极、将所述下部电极的周缘包围起来的聚焦环、以及配置于所述上部电极的上部且比所述下部电极的周缘靠外侧的位置的环状线圈；将基板以其周缘被所述聚焦环包围的方式载置在所述下部电极上的工序；向所述腔室内导入处理气体的工序；向所述上部电极与所述下部电极之间施加高频电力来产生所述处理气体的等离子体的工序；以及向所述环状线圈供给电流、使其产生磁场、使所述基板的上部和所述聚焦环的上部的等离子体鞘层的界面平坦化的工序。
等离子体处理方法装置

[发明专利]等离子体处理装置及聚焦环组件-CN201110446796.X有效
发明人：徐朝阳;彭帆;贺小明 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置及聚焦环组件，所述等离子体处理装置包括：处理腔室；设置在处理腔室内的基座；设置在基座上方的适于吸附半导体晶片的静电吸盘；设置在基座上并环绕静电吸盘的聚焦环组件，其包括呈环形的第一聚焦环、第二聚焦环，第一聚焦环内设有凹槽，第二聚焦环位于凹槽内，聚焦环组件的一部分位于半导体晶片下方，另一部分环绕在半导体晶片的周围，第二聚焦环位于半导体晶片下方。利用等离子体处理装置对半导体晶片进行等离子体处理时能有效改善半导体晶片背面的污染问题，同时，半导体晶片能获得竖直的刻蚀断面，提高了集成电路的性能。
等离子体处理装置聚焦组件

[发明专利]光子源、检查设备、光刻系统以及器件制造方法-CN201380030523.4有效
发明人： H·柏莱曼斯;G·范德祖克;R·斯梅茨;J·德维特;P·安齐费罗夫;V·克里夫特苏恩 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2013-05-23 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种激光驱动的光源，包括激光器(52)和聚焦光学装置(54)。这些产生聚焦在容器(40)内的等离子体形成区上的辐射束，其中所述容器包括气体(例如，氙气)。收集光学装置(44)收集由通过所述激光束保持的等离子体(42)发射的光子，以形成输出辐射束(46)。等离子体具有细长形状(L>d)，并且收集光学装置被配置用于收集沿纵向从等离子体出射的光子。相比于收集沿横向从等离子体出射的辐射的源，等离子体的亮度被增大。由于增大的亮度，使用所述光源的量测设备可以获得较大的精确度和/或生产率。可以提供回射反射器。微波辐射可以被使用，代替激光辐射，以形成等离子体。
光子检查设备光刻系统以及器件制造方法

[发明专利]等离子体处理装置、等离子体控制方法和存储介质-CN201910275975.8在审
发明人：斋藤祐介;大岩德久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体控制方法和存储介质。该等离子体处理装置获取计测晶片(W)的状态而得的状态信息，根据由状态信息表示的晶片(W)的状态，控制等离子体处理，以使在晶片(W)的上部形成的等离子体鞘的界面的高度与在聚焦环(5)的上部形成的等离子体鞘的界面的高度之差在规定范围内由此，能够对每个被处理体抑制蚀刻特性上的偏差。
等离子体处理装置等离子体控制等离子体鞘存储介质晶片等离子体处理被处理体计测晶片蚀刻特性聚焦环

[发明专利]用于基于X射线的计量的明亮且干净的X射线源-CN201880056012.2有效
发明人： O·可哈达金 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：更具体来说，激光产生的等离子体光源产生具有在25,000到30,000电子伏特的范围中的能量的高亮度、硬性的x射线照射。为实现高亮度，将高度聚焦、极短持续时间的激光束聚焦到呈液态或固态的致密氙靶标上。经聚焦的激光脉冲与所述高密度氙靶标的相互作用引发等离子体。来自所述等离子体的辐射由收集光学器件收集且被引导到被测量样品。由于使用非金属靶标材料，因此所产生等离子体发射是相对干净的。等离子体室填充有氙气以进一步保护光学元件免受污染。在一些实施例中，从所述等离子体室所蒸发的氙被循环回到氙靶标产生器。
用于基于射线计量明亮干净

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN200810086841.3有效
发明人：山涌纯;守屋刚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-03-19 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种能够提高对晶片进行的等离子体处理的均匀性的基板处理装置。晶片容纳于基板处理装置的室中，并受到使用处理室中产生的等离子体所执行的等离子体处理。控温机构朝向面向等离子体的环形聚焦环的至少一部分喷射高温气体。
处理装置方法

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN201210123625.8无效
发明人：山涌纯;守屋刚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-03-19 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种能够提高对晶片进行的等离子体处理的均匀性的基板处理装置。晶片容纳于基板处理装置的室中，并受到使用处理室中产生的等离子体所执行的等离子体处理。控温机构朝向面向等离子体的环形聚焦环的至少一部分喷射高温气体。
处理装置方法

[发明专利]等离子体产生装置、蒸镀装置以及等离子体产生方法-CN201380019358.2有效
发明人：古屋英二 -专利权人：中外炉工业株式会社
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H05H1/50 文献下载
摘要：提供一种能在广大的范围内产生均匀的等离子体的等离子体产生装置。根据本发明的等离子体产生装置(1)的特征在于，将两个等离子枪(3)相对配置，这两个等离子枪(3)喷射出电离的放电气体，且分别包括辐射电子的阴极(6)、和形成对辐射出的电子进行引导的磁通量的聚焦线圈(10)，两个等离子枪(3)的相对于阴极阴极(6)的聚焦线圈(10)的极性为彼此相反的朝向。
等离子体产生装置以及方法

[发明专利]用于等离子体处理设备的基座组件-CN201880021041.5有效
发明人： M·L·祖克;T·F·王 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了用于处理设备诸如等离子体处理设备的基座组件。在一个示例性实施方式中，等离子体处理设备可以包括具有处理室内部的处理室。该设备可以包括等离子体源，其配置成在处理室内部中诱发等离子体。该设备可以包括聚焦环，该聚焦环配置成当衬底被支撑在基座上时围绕衬底的外围设置。聚焦环可以具有多个均匀间隔开的狭槽。每个狭槽可以配置成与位于基座上的相应突起接合。
用于等离子体处理设备基座组件

[发明专利]等离子体刻蚀装置及其等离子体刻蚀方法-CN201811147305.X在审
发明人：周亚勇;罗林;刘家桦 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体刻蚀装置及其等离子体刻蚀方法，所述等离子体刻蚀装置包括：刻蚀腔室；晶圆基座，位于所述刻蚀腔室内；聚焦环，环绕所述晶圆基座，以围成用于放置晶圆的区域；导电环，内嵌于所述聚焦环，且具有负电势。本发明方案可以在聚焦环变薄时，降低晶圆边缘区域的刻蚀速率，减少甚至避免对晶圆边缘区域的刻蚀效果的影响，提高半导体器件的品质。
等离子体刻蚀装置聚焦环等离子体刻蚀晶圆边缘区域晶圆基座半导体器件刻蚀腔室刻蚀效果导电环负电势刻蚀腔变薄晶圆刻蚀内嵌环绕室内

[发明专利]清洗方法及等离子体处理装置-CN201910830384.2在审
发明人：岩野光纮;细谷正德 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：示例性实施方式所涉及的清洗方法中，在等离子体处理装置的腔室内，由清洗气体形成等离子体。聚焦环以绕腔室的中心轴线延伸的方式在腔室内搭载于基板支承座上。在等离子体的形成中，通过电磁铁在腔室内形成磁场分布。磁场分布相对于中心轴线，在径向上的聚焦环上的位置或比聚焦环更靠外侧的位置具有最大水平成分。
清洗方法等离子体处理装置

[发明专利]用于将电极附连到感应耦合等离子体源的系统-CN201210597226.5有效
发明人： S·科洛格;A·格劳佩拉;N·W·帕克;A·B·维尔斯;M·W·尤特劳特;W·斯科茨拉斯;G·A·施温德;S·张;N·史密斯 -专利权人： FEI公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明涉及用于将电极附连到感应耦合等离子体源的系统。一种用于聚焦离子束系统的感应耦合等离子体带电粒子源包括具有可移除地附连的源电极的等离子体反应室。紧固机构将所述源电极与等离子体反应室连接并且允许形成热传导的真空密封。利用可移除的源电极，等离子体源管的改进的可服务性和重新使用现在是可能的。
用于电极附连到感应耦合等离子体系统