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[发明专利]提高良率提升缺陷监测效率的方法-CN201610790782.2有效
发明人：张丹丹;陈旭;邵雄 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高良率提升缺陷监测效率的方法，包括：通过SIMS系统对缺陷检测控制进行设定，并且获取SIMS系统的相关设定参数；通过SIMS系统对缺陷检测控制进行设定，并且获取SIMS系统的相关设定参数；创建第一数据表来存放符合SIMS系统内设定的工艺步骤和良率提升步骤的对应关系、被检测过的工艺批次数据、以及对应的扫描数据；创建第二数据表来存放所有工艺批次的数据信息，同时判断处理信息；编写新脚本来处理所有涉及的相关数据表，并且向第一数据表和第二数据表中导入数据；利用SIMS系统获取查询信息；通过SIMS系统，查看良率提升机台的跑货情况以及扫描情况，监察SIMS系统内的各项设定的实施效果，判断设定的合理性。
提高提升缺陷监测效率方法

[发明专利]一种对SIMS数据进行读取和分析的方法及系统-CN201310410665.5有效
发明人：方方 -专利权人：广州金鉴检测科技有限公司
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： G06F17/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种对SIMS数据进行读取和分析的方法，该方法包括：输入二次离子质谱SIMS测试结果数据，解析SIMS测试结果数据中所包含的元素；对SIMS测试结果中的环境元素进行过滤，留下分析元素；基于设置的分析模式对分析元素进行模式分析实施本发明，方便用户快速了解SIMS测试结果数据内容。
一种 sims 数据进行读取分析方法系统

[发明专利]一种二次离子质谱定量分析方法-CN91107523.2无效
发明人：宋玲根;张永夏;宗祥福 -专利权人：复旦大学
申请日： 1991-11-06 - 公布日： 1995-11-08 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：以往用SIMS方法定量分析固体材料需用消耗性标样、耗资昂贵。本发明将SIMS法与ISS法有机地结合，测得待测样品的ISS深度剖析谱和SIMS谱，经计算即可得到精度较高的定量分析结果。本发明既利用了ISS方法能定量的特点又保留了SIMS方法高精度的优点，首创了SIMS无标样定量分析的方法。
一种二次离子定量分析方法

[发明专利]一种可视化阵列式高通量质谱检测装置及方法-CN201910910281.7在审
发明人：李展平;蔡乐斯;夏梦婵;冯嘉欣;张新荣;张四纯 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： G01N27/64 文献下载
摘要：所述可视化阵列式高通量质谱检测装置包括TOF‑SIMS质谱仪、基底和若干溶液混合容器；基底为栅格化硅片；基底固定于TOF‑SIMS质谱仪的样品托盘上；样品托盘与TOF‑SIMS质谱仪的进样系统相连通；TOF‑SIMS本发明通过采用氧化石墨烯作为TOF‑SIMS基质，起到吸附富集溶液中样品，增强分子量较大样品整分子离子信号，辅助限定样品区域等作用，通过TOF‑SIMS检测样品组分的整分子离子并给出离子分布图，实现高通量分析并给出可视化结果
质谱仪可视化分子离子样品托盘质谱检测高通量阵列式基底计算机控制系统高通量分析氧化石墨烯基底固定检测样品进样系统溶液混合样品区域大样品分布图栅格化硅片富集基质吸附离子

[发明专利]一种热处理机台实际工作温度的确定方法-CN202010719460.5有效
发明人：侯潇;王秉国;佘晓羽 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供半导体结构，所述半导体结构包括离子注入层；将所述半导体结构放置到热处理机台中进行热处理；所述热处理机台的设定温度为第一温度，所述热处理机台的实际工作温度为第二温度；对热处理后的所述离子注入层进行二次离子质谱SIMS分析，以得到测试SIMS曲线；所述测试SIMS曲线对应于所述第二温度；获取所述第一温度对应的第一参考SIMS曲线；根据所述测试SIMS曲线与所述第一参考SIMS曲线，确定所述热处理机台的实际工作温度与设定温度之间的关系
一种热处理机台实际工作温度确定方法

[发明专利]与植物雄性育性相关的蛋白SiMS1及其编码基因与应用-CN201810705927.3有效
发明人：刁现民;智慧;刘晓彤;张伟;杨莉芳;李径;贾冠清;汤沙;柴杨 -专利权人：中国农业科学院作物科学研究所
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C07K14/415 文献下载
摘要：本发明公开了与植物雄性育性相关的蛋白SiMS1及其编码基因与应用。本发明利用谷子生产上应用的高度雄性不育系1066A，通过图位克隆的方法得到一个谷子高度雄性不育基因SiMS1，并对SiMS1基因不育机理进行了深入研究。通过研究发现：本发明的SiMS1基因具有调控谷子花药绒毡层细胞程序化死亡及花粉外壁形成的功能，该基因的缺失会导致谷子的高度雄性不育。与现有的技术相比，本发明具有如下的有益效果：由于SiMS1基因功能的缺失会特异性导致谷子的高度雄性不育；可利用敲除或抑制SiMS1的特异性表达技术获得新的谷子高度雄性不育系，在农业生产上具有十分重要的应用
植物雄性相关蛋白 sims1 及其编码基因应用

[发明专利]一种中空纤维膜ToF-SIMS测试的制样方法-CN202011291917.3在审
发明人：曲久辉;吴思琦;马百文;胡承志 -专利权人：中国科学院生态环境研究中心
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： G01N23/2202 文献下载
摘要：本发明提出了一种中空纤维膜ToF‑SIMS测试的制样方法，属于ToF‑SIMS测试技术领域。该方法包括如下步骤：将中空纤维膜沿轴向切开，展平粘贴在玻璃片上，采用石蜡块扩展待测试表面。该方法解决了由于中空纤维膜直径太小，ToF‑SIMS无法有效聚焦，测试信号太差导致结果不可信的问题，成功实现了中空纤维膜准确可信的ToF‑SIMS测试，获得了较好的测试信号，操作简单，可用于中空纤维膜膜面滤饼层组成分析
一种中空纤维 tof sims 测试方法

[发明专利]测量杂质浓度的方法及存储杂质浓度测量程序的记录介质-CN98124931.0无效
发明人：庄俊之 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-11-17 - 公布日： 1999-07-21 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：在半导体基片的相同位置处进行脉冲CV特性的测量和SIMS测量。对SIMS分布图用最小二乘方法进行校正,使得从SIMS分布图得到的一剂量与载流子浓度分布中得到的一剂量相一致;在引入多种杂质的情况下,进行脉冲CV测量和SIMS测量,根据每次引入杂质时的模拟分析,估算杂质浓度分布和载流子浓度分布
测量杂质浓度方法存储程序记录介质

[发明专利]一种心脏单细胞代谢检测分析方法-CN202210059641.9在审
发明人：任杰;顾敏;李好问;孙晓刚;胡盛寿 -专利权人：中国医学科学院阜外医院
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C12Q1/02 文献下载
摘要：本发明属于心血管疾病中基于单细胞的代谢分析技术领域，公开了一种心脏单细胞代谢检测分析方法，包括：心肌细胞分离；SIMS‑悬浮细胞样品制备；ToF‑SIMS代谢检测；ToF‑SIMS代谢数据处理；数据分析本发明利用ToF‑SIMS技术对心衰过程中心肌细胞进行代谢组分检测，通过对单个心肌细胞的代谢组分表达水平及分布进行分析，获得心肌单细胞ToF‑SIMS代谢数据库，为深入了解心血管疾病的发病机制，寻找可能的治疗靶点奠定基础
一种心脏单细胞代谢检测分析方法

[实用新型]TOF-SIMS的样品图像系统和TOF-SIMS-CN201320503411.3有效
发明人：龙涛;王培智;包泽民;曾小辉;张玉海 -专利权人：中国地质科学院地质研究所
申请日： 2013-08-16 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： G01N23/225 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种TOF-SIMS的样品图像系统和TOF-SIMS，样品图像系统包括安装于TOF-SIMS的主腔体外的电荷藕合器件图像传感器、变焦镜头和光源、以及设置于主腔体内的第一反射镜、第二反射镜和第三反射镜上述TOF-SIMS的样品图像系统，通过在主腔体内设置第一反射镜、第二反射镜和第三反射镜，实现了光线的内外传输，达到将电荷藕合器件图像传感器、变焦镜头和光源设置在主腔体的外部的目的，所以，上述TOF-SIMS
tof sims 样品图像系统

[发明专利]一种离子注入机台匹配方法、装置、设备及存储介质-CN202211676722.X在审
发明人：蓝玉国;李梅霞;祁正荣;陈展奋 -专利权人：杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：方法主要包括：确定预设注入条件；在预设注入条件下，根据初始新装机台与基准机台的工艺参数，对初始新装机台进行剂量修正，得到修正新装机台；对修正新装机台与基准机台进行二次离子质谱SIMS分析，得到SIMS结果；根据SIMS结果确定修正新装机台与基准机台的匹配结果。本公开提供的一种离子注入机台匹配方法、装置、设备及存储介质，可以降低新装机台与基准机台的RS匹配，但是SIMS结果不匹配的概率，从而进一步提升新装机台与基准机台的匹配效率，并降低新装机台与基准机台的匹配成本
一种离子注入机台匹配方法装置设备存储介质

[发明专利]SiC覆膜碳系材料及SiC包覆用碳系材料-CN200410098138.6有效
发明人：藤田一郎 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2004-10-28 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：SiC覆膜碳系材料由具有利用SIMS分析法测定氮含量为5×10¹⁶原子/cm³或以下的SiC覆膜的碳系材料构成。而且SiC覆膜碳系材料是由具有利用SIMS分析法测定硼含量为2×10¹⁶原子/cm³或以下的SiC覆膜的碳系材料构成的。此外，该碳系材料优选利用SIMS分析法测定的氮含量为5×10¹⁸原子/cm³或以下。并且，该碳系材料优选利用SIMS分析法测定的硼含量为1×10¹⁶原子/cm³或以下。
sic 覆膜碳系材料包覆用碳系

[发明专利]用于使用二次离子质谱的半导体计量和表面分析的系统和方法-CN201680020979.6有效
发明人：戴维·A·雷德;布鲁诺·W·许勒尔;布鲁斯·H·纽科姆;罗德尼·斯梅德特;克里斯·贝维斯 -专利权人：诺威量测设备公司
申请日： 2016-02-10 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01J49/14 文献下载
摘要：公开了用于使用二次离子质谱(SIMS)的半导体计量和表面分析的系统和方法。在实例中，二次离子质谱(SIMS)系统包括样品台。一次离子束被引导至样品台。提取透镜对准样品台。磁扇区光谱仪沿着SIMS系统的光学路径耦合到提取透镜。磁扇区光谱仪包括耦合到磁扇区分析仪(MSA)的静电分析仪(ESA)。
用于使用二次离子半导体计量表面分析系统方法

[发明专利]能够减小化学强化时的翘曲的玻璃板-CN201380017057.6有效
发明人：宫坂聪史;中田英子;林泰夫;府川真;仁平敏史;白井正信;冈畑直树;中川浩司;山中一彦 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： C03C23/00 文献下载
摘要：在此，氟浓度为深度1～24μm处的利用SIMS得到的平均氟浓度(摩尔％)。式(1)中，ΔF为从氟浓度高的表面的深度1～24μm处的利用SIMS得到的平均氟浓度(摩尔％)中减去氟浓度低的表面的深度1～24μm处的利用SIMS得到的平均氟浓度(摩尔％)而得到的值。式(1)中，ΔH2O为从氟浓度低的表面的深度1～24μm处的利用SIMS得到的平均H2O浓度(摩尔％)中减去氟浓度高的表面的深度1～24μm处的利用SIMS得到的平均H2O浓度(摩尔％)而得到的值的绝对值
能够减小化学强化玻璃板

[发明专利]用于半导体或导体核材料中氧同位素的SIMS测量方法-CN201410137443.5在审
发明人：王同兴;张生栋;赵永刚;张燕;沈彦;姜小燕;鹿捷 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于半导体或导体核材料中氧同位素的SIMS测量方法，其过程为：步骤a,将样品进行处理并制作测量样品后，进行装样；清洗实验设备，设置测量参数，并对SIMS质谱仪进行调试；步骤b,加载样品后，本发明SIMS测量深度氧化的金属铀中氧同位素的方法，通过对环境中氧的解决、测量条件的优化等研究，建立了SIMS测量铀氧化物中氧同位素的方法；该方法具有样品制备简单、测量准确、测量精度高和测量速度快等特点
用于半导体导体材料同位素 sims 测量方法

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