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[实用新型]一种用于晶圆注入的真空注入模块-CN202123301773.8有效
发明人：王振辉;肖志强;肖嘉星;刘金涛;夏世伟;沈斌;张劲;卢合强;高国珺;贾礼宾;张欣;张彦彬;查泽奇 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于晶圆注入的真空注入模块，其适用于超低温晶圆注入平台，用于晶圆注入的真空注入模块包括真空工艺腔，真空工艺腔内设置有晶圆扫描机械手，晶圆扫描机械手的末端设置有晶圆注入承载盘，晶圆注入承载盘用于承载并固持晶圆，晶圆扫描机械手用于移动、翻转晶圆注入承载盘；在真空注入模块一侧壁外固定设置有离子源生成和离子束成形模块。本实用新型的真空注入模块实现了超低温晶圆注入，有效抑制了离子注入过程中的动态退火，使得间隙位置原子无法再回到晶格替代位置，使得非晶包数目变多、非晶包范围逐步扩大，最后所有非晶包的边界连接在一起形成完整的非晶层。
一种用于注入真空模块

[实用新型]一种超低温晶圆注入平台-CN202123301778.0有效
发明人：陈炯;王振辉;孙嵩泉;康劲;肖志强;雷晓刚;张彦彬;李恒;王辉;卢合强;刘金涛;肖嘉星;洪俊华;高国珺 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本实用新型提供一种超低温晶圆注入平台，超低温晶圆注入平台至少包括真空传送模块和真空冷却模块，在真空冷却模块中，通过冷却晶圆的冷却平台和吸附晶圆的静电吸盘一起快速降温晶圆，使得晶圆处于超低温状态，所述超低温状态的温度低于零下50摄氏度。本实用新型有效抑制了离子注入过程中的动态退火，使得间隙位置原子无法再回到晶格替代位置，使得非晶包数目变多、非晶包范围逐步扩大，最后所有非晶包的边界连接在一起形成完整的非晶层；本实用新型实现了超低温离子注入，形成了完整的非晶层。
一种超低温注入平台

[实用新型]一种晶圆注入真空升温模块-CN202123301795.4有效
发明人：康劲;刘金涛;关天祺;王振辉;夏世伟;沈斌;卢合强;高国珺;贾礼宾;张劲;肖嘉星;王亚;张晓伟;查泽奇 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆注入真空升温模块，其适用于对经过超低温离子加工或超低温离子注入的晶圆进行升温，晶圆注入真空升温模块包括温度控制器以及升温装置，温度控制器用于升温的速度和温度上限，升温装置与温度控制器相连，升温装置与低温晶圆相关联；升温装置上固定设置有晶圆固持部，晶圆固持部对每一个晶圆实现单独升温。本实用新型在每片晶圆完成注入后立即进行升温，使每片晶圆在升温过程中处于超低温的时间为例如三至五分钟，相比现有技术明显缩短，晶圆处于超低温的时间越短则越不易有杂质附着，从而极大程度上避免了对离子注入之后晶圆造成缺陷。
一种注入真空升温模块

[实用新型]一种用于碳离子注入工艺的离子源装置-CN202123228302.9有效
发明人：肖志强;刘金涛;关天祺;肖嘉星;王振辉;雷晓刚;郑皓文;侯爽;张朋;孙世豪;张彦彬;张林凯;王亚 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于碳离子注入工艺的离子源装置，其包括起弧室、盖板、灯丝、阴极和通气孔；其中，起弧室，用于电子与气体分子碰撞产生等离子体的腔室；盖板，其上设置有用于引出等离子体的引出缝，将等离子体引出起弧室；灯丝，其被加热之后产生第一组电子，第一组电子用于加热阴极；阴极，其被加热后，产生第二组电子，第二组电子用于起弧；通气孔，其设置在起弧室的内壁，用于向起弧室输入气体。本用于碳离子注入工艺的离子源装置可获得束流更大且更为纯净的碳离子束，并且减少了碳在起弧室、盖板、引出缝位置的堆积，从而减少了污染，提高了注入的质量，提升了产品良率。
一种用于离子注入工艺离子源装置

[实用新型]一种超低温静电吸盘-CN202123359606.9有效
发明人：刘金涛;康劲;王振辉;雷晓刚;卢合强;王辉;夏世伟;高国珺;沈斌;贾礼宾;张劲;关天祺;肖嘉星 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型提供一种超低温静电吸盘，所述超低温静电吸盘用于超低温离子注入平台，所述超低温静电吸盘包括静电吸盘主体，静电吸盘主体为圆盘状或板状，超低温静电吸盘至少为四层以上结构。超低温静电吸盘的多层结构，提升了静电吸盘的柔性，使其能够使用于超低温晶圆注入工艺；超低温静电吸盘中的印刷电极柔性层采用聚酰亚胺薄膜的介电质膜，其低温工作性能能够适应直至零下160度的工作温度。
一种超低温静电吸盘

[发明专利]一种通过测量真空度进行超低温离子注入设备监测的方法-CN202111594230.1有效
发明人：王辉;高国珺;卢合强;贾礼宾;沈斌;张劲;关天祺;王振辉;肖嘉星;孙世豪;张晓伟;雷晓刚;王亚 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种通过测量真空度进行超低温离子注入设备监测的方法，所述通过测量真空度进行超低温离子注入设备监测的方法适用于超低温离子注入设备；所述方法包括晶圆降温步骤、在选定位置滞留步骤、晶圆升温步骤、数据处理步骤和分析判断步骤，分析判断步骤用于分析判断待测机台工艺系统是否合格。本发明方法可以定期监测超低温离子注入设备的生产情况，实现了对超低温离子注入过程中是否存在水汽或二氧化碳等气体含量的监测，可以实时调整机台工作状态，从而提高整体产品良率。
一种通过测量真空进行超低温离子注入设备监测方法

[发明专利]一种通过SIMS对超低温离子注入设备监测的方法-CN202111594109.9有效
发明人：关天祺;王振辉;肖嘉星;孙世豪;张晓伟;雷晓刚;查泽奇;张欣;王亚;张彦彬;张林凯;刘金涛;郑皓文;侯爽 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本发明提供一种通过SIMS对超低温离子注入设备监测的方法，其适用于超低温离子注入设备；其包括晶圆W1在基准机台上进行离子注入、取样之后，利用二次离子质谱仪进行检测，以及包括晶圆W2在待测机台上进行离子注入、取样之后，利用二次离子质谱仪进行检测；此后将二者的检测结果进行处理、分析，进而判定待测机台的工艺环境是否合格。本发明方法可以定期监测，实现了对超低温离子注入过程中的水汽或二氧化碳等气体含量是否存在的监测；依据监测结果，可以调整机台工作状态。
一种通过 sims 超低温离子注入设备监测方法

[发明专利]一种超低温晶圆注入平台-CN202111594228.4有效
发明人：陈炯;王振辉;孙蒿泉;康劲;高国珺;雷晓刚;张彦彬;李恒;王辉;卢合强;刘金涛;肖嘉星;洪俊华;关天祺 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：本发明提供一种超低温晶圆注入平台，超低温晶圆注入平台至少包括前端晶圆传送模块、装载模块、真空传送模块、真空冷却模块、真空注入模块和真空升温模块，前各个模块相互配合且形成一个有机整体；该有机整体实现超低温晶圆离子注入；在真空冷却模块中，通过冷却晶圆的冷却平台和吸附晶圆的静电吸盘一起快速降温晶圆，使得晶圆处于超低温状态，所述超低温状态的温度低于零下50摄氏度。本发明有效抑制了离子注入过程中的动态退火，使得间隙位置原子无法再回到晶格替代位置，使得非晶包数目变多、非晶包范围逐步扩大，最后所有非晶包的边界连接在一起形成完整的非晶层；本发明实现了超低温离子注入，形成了完整的非晶层。
一种超低温注入平台

[发明专利]一种通过光学检测仪器对超低温离子注入设备监测的方法-CN202111594235.4有效
发明人：康劲;刘金涛;郑皓文;侯爽;关天祺;王振辉;肖嘉星;孙世豪;张晓伟;雷晓刚;查泽奇;张欣;王亚;张彦彬;张林凯 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明提供一种通过光学检测仪器对超低温离子注入设备监测的方法，其包括下列步骤：步骤S1，测定光学特征基准值及可控范围；步骤S2，测量待测机台超低温离子注入后光学特征值；步骤S3，对步骤S2中测得的数据进行数据处理；步骤S4，分析判断待测机台工艺环境是否合格。本发明方法用于监测或检测超低温离子注入工艺中冷却后的晶圆所处设备内部环境中是否存在水汽或二氧化碳等气体，依据监测结果，可以调整机台工作状态，例如检漏并封闭漏孔等；以及定期监测可保证若出现问题便能及时发现、调整，从而提高整体的产品良率。
一种通过光学检测仪器超低温离子注入设备监测方法

[发明专利]一种超低温晶圆注入工艺及注入平台-CN202111596814.2在审
发明人：陈炯;王振辉;孙蒿泉;康劲;肖志强;雷晓刚;张彦彬;李恒;王辉;卢合强;刘金涛;肖嘉星;洪俊华;高国珺 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种超低温晶圆注入工艺及注入平台，所述注入工艺使用超低温晶圆注入平台在超低温真空环境下对晶圆进行离子注入，所述注入工艺包括步骤：晶圆装载步骤、抽真空步骤、待处理的晶圆转送步骤、晶圆冷却步骤、晶圆离子注入步骤、晶圆升温步骤、晶圆回送步骤、晶圆卸载步骤和晶圆产品标记入库步骤。超低温晶圆注入工艺及注入平台实现了超低温离子注入，形成了完整的非晶层，完整非晶层使得后续离子束落在非晶层，进而使得后续晶圆造成的损伤分布在非晶态区域；完整的非晶层为高质量的非晶层。
一种超低温注入工艺平台

[发明专利]一种超低温静电吸盘-CN202111596818.0在审
发明人：刘金涛;康劲;王振辉;雷晓刚;卢合强;王辉;夏世伟;高国珺;沈斌;贾礼宾;张劲;关天祺;肖嘉星 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种超低温静电吸盘，所述超低温静电吸盘用于超低温离子注入平台，所述超低温静电吸盘包括静电吸盘主体，静电吸盘主体为圆盘状或板状，超低温静电吸盘至少为四层以上结构。超低温静电吸盘的多层结构，提升了静电吸盘的柔性，使其能够使用于超低温晶圆注入工艺；超低温静电吸盘中的印刷电极柔性层采用聚酰亚胺薄膜的介电质膜，其低温工作性能能够适应直至零下160度的工作温度。
一种超低温静电吸盘

[实用新型]一种智能锁及停车架-CN201720720733.1有效
发明人：郭富标;叶波;肖嘉星 -专利权人：深圳市凡骑绿畅技术有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2018-02-09 - 主分类号： E05B47/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种智能锁，包括本体、锁舌以及插销，本体上设置有锁口和转动结构，锁口与所述锁舌匹配，转动结构与锁舌上的连接部匹配，连接部与连接在本体上的插销匹配，插销用于限制锁舌的运动，锁舌还包括阻挡部，阻挡部与本体构成封闭的限制活动区。本实用新型还公开了一种停车架包括具有承托部和容置空间的车架本体。通过设置插销与锁舌配合，以及锁舌与本体构成封闭的限制活动区，构成一种智能锁，通过接触或非接触式感应使得智能锁解锁，人们仅通过推动车辆使其车轮与锁口匹配，即车轮推动阻挡部向里转动，间隔的阻挡部转出与锁口匹配，将车轮置于限制活动区内，由此形成了一种使用方便的智能锁及停车架。
一种智能车架

[外观设计]停车架智能锁-CN201730256266.7有效
发明人：叶波;郭富标;肖嘉星 -专利权人：深圳市凡骑绿畅技术有限公司
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： 08-07 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称停车架智能锁。2．本外观设计产品的用途本外观设计产品用于停车架智能锁。3．本外观设计产品的设计要点产品的整体形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片立体图。
车架智能

[发明专利]一种具有垂直磁各向异性的铁磁颗粒膜的制备方法-CN201510346075.X有效
发明人：鲁军;肖嘉星;赵建华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有垂直磁各向异性的铁磁颗粒膜的制备方法，包括将衬底放入真空薄膜沉积系统；在衬底上生长缓冲层；将衬底保持在一定温度，在缓冲层上沉积一种能够形成液滴或颗粒状的元素X1，并形成多个液滴或颗粒；在液滴或颗粒上继续沉积能够与元素X1形成合金的元素X2，完成具有垂直磁各向异性的铁磁颗粒膜的制备。利用本发明，制备出了具有垂直磁各向异性的铁磁颗粒膜，并且该铁磁颗粒膜具有均匀可控的颗粒尺寸，同时具有非常优越的室温铁磁性能，使得其在垂直磁存储、磁光存储以及高灵敏度磁性传感器等技术领域有着很广泛的应用前景。
一种具有垂直各向异性颗粒制备方法

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