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- [发明专利]射束照射装置及射束照射方法-CN201510323772.3有效
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月原光国;井门德安;末次纪之
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斯伊恩股份有限公司
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2015-06-12
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2018-12-18
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H01J37/317
- 本发明提供一种提高射束照射处理品质的技术。本发明的射束照射装置(10)具备：射束扫描器(26)，使带电粒子束(B)沿规定的扫描方向往复扫描；测定器(42)，能够测量射入到作为测量对象的区域的带电粒子的角度成分；及数据处理部，利用测定器(42)的测定结果，计算带电粒子束(B)的有效照射发射度。测定器(42)在沿扫描方向往复扫描的带电粒子束(B)通过作为测量对象的区域而射入到测定器(42)的时间内测量针对带电粒子束(B)的角度分布的时间变化值，数据处理部将测定器所测量的角度分布的时间变化值中所包含的时间信息转换为位置信息来计算有效照射发射度。有效照射发射度表示针对假想射束的发射度，所述假想射束能够通过将沿扫描方向扫描而射入到作为测量对象的区域的带电粒子束的一部分相加而形成。
- 照射装置方法
- [发明专利]离子注入装置及离子注入方法-CN201510310676.5有效
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椛泽光昭;八木田贵典
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斯伊恩股份有限公司
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2015-06-09
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2018-09-28
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H01J37/317
- 本发明提供一种能够广泛使用的离子注入装置及离子注入方法。本发明的离子注入装置(300)具备：射束扫描部(306)；及配设于射束扫描部(306)的下游的射束平行化部(308)。射束扫描部(306)在入射离子束的中心轴上的射束扫描部(306)的中央部具有扫描原点。射束平行化部(308)在扫描原点具有作为平行化透镜的焦点。离子注入装置(300)构成为，向射束扫描部(306)入射的入射离子束的焦点位置沿着入射离子束的中心轴而位于扫描原点的上游侧。向射束扫描部(306)入射的入射离子束的焦点位置被调整为，沿着入射离子束的中心轴而位于扫描原点的上游侧，以便补正由从射束平行化部(308)射出的出射离子束的空间电荷效应引起的发散现象。
- 离子注入装置方法
- [发明专利]离子注入装置以及离子注入装置的清洗方法-CN201310684549.2有效
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永井孝幸;佐藤正辉
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斯伊恩股份有限公司
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2013-12-13
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2018-04-20
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H01J37/317
- 本发明提供一种离子注入装置以及离子注入装置的清洗方法，本发明是鉴于如下状况而完成的，其目的在于提供缩短离子注入装置的维护时间的技术。该离子注入装置为将氟化物气体用作源气体的离子注入装置。该装置具备真空容器，导入源气体；导入路径，设置于真空容器并导入清洗气体，该清洗气体含有与堆积在该真空容器内部的氟化物进行反应而生成反应生成物气体的成分；送入装置，向导入路径强制性地送入清洗气体；第1调整装置，调整导入路径的气体流量；排气路径，设置于真空容器，反应生成物气体与清洗气体一同被强制性地排出；第2调整装置，调整排气路径的气体流量；及控制装置，伴随送入装置的工作，控制由第1调整装置及第2调整装置进行的气体流量的调整。
- 离子注入装置以及清洗方法
- [发明专利]离子注入装置-CN201510349298.1有效
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天野吉隆
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斯伊恩股份有限公司
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2015-06-23
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2018-04-20
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H01J37/317
- 本发明提供一种能够广范围使用的离子注入装置及离子注入方法。本发明的离子注入装置具备透镜电极单元(802)，其具备用于使离子束平行的多个电极；及真空单元(804)，将透镜电极单元(802)容纳于真空环境中。真空单元(804)具备第1真空容器(806)，其具备第1导电性容器壁(814)；第2真空容器(808)，其具备第2导电性容器壁(816)；及绝缘性容器壁(810)，将第1真空容器(806)与第2真空容器(808)彼此连通，且使第1导电性容器壁(814)与第2导电性容器壁(816)绝缘。设有使透镜电极单元802的多个电极中的至少1个电极与第1导电性容器壁(814)及第2导电性容器壁(816)中的至少一方绝缘的绝缘部件(828)，绝缘部件(828)与透镜电极单元(802)一起容纳于真空环境中。
- 离子注入装置
- [发明专利]离子注入装置-CN201510245654.5有效
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松下浩;椛泽光昭;天野吉隆;八木田贵典
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斯伊恩股份有限公司
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2015-05-14
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2018-04-20
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H01J37/317
- 本发明提供一种能够广泛使用的离子注入装置。本发明的离子注入装置具备扫描单元(1000)，该扫描单元包括扫描电极装置(400)，向沿着基准轨道(Z)射入的离子束(B)施加偏转电场，以向与基准轨道(Z)正交的横向扫描离子束(B)；及下游电极装置(500)，配置于扫描电极装置(400)的下游，且设有供横向扫描的离子束(B)通过的开口部。扫描电极装置(400)具有隔着基准轨道(Z)横向对置而设的一对扫描电极(410R，410L)。下游电极装置(500)的开口部具有电极体，该电极体构成为，与基准轨道(Z)及横向双向正交的纵向开口宽度和/或沿着基准轨道(Z)的方向的厚度，在基准轨道(Z)所处的中央部和与扫描电极(410R，410L)的下游端部(422)对置的位置附近不同。
- 离子注入装置
- [发明专利]离子注入装置-CN201410693818.6有效
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八木田贵典
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斯伊恩股份有限公司
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2014-11-26
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2018-04-03
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H01J37/317
- 本发明提供一种能够广泛使用的离子注入装置及离子注入方法。所述离子注入装置的多级四极透镜(900)具备第1四极透镜(904)及第3四极透镜(908)。第1四极透镜(904)的第1孔半径(R1)可以小于第3四极透镜(908)的第3孔半径(R3)。多级四极透镜(900)可以在第1四极透镜(904)与第3四极透镜(908)之间具备第2四极透镜(906)。第2四极透镜(906)的第2孔半径(R2)可以在第1四极透镜(904)的第1孔半径(R1)与第3四极透镜(908)的第3孔半径(R3)之间。
- 离子注入装置
- [发明专利]离子注入方法以及离子注入装置-CN201510148755.0有效
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黑濑猛;井门德安;狩谷宏行
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斯伊恩股份有限公司
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2015-03-31
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2018-04-03
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H01J37/317
- 本发明提供一种控制离子照射量分布及每单位时间的离子照射量这二者的技术。离子注入装置(10)具备射束扫描器(26)；射束测量部，能够测定晶片位置上的射束扫描方向的离子照射量分布；及控制部(60)，将用于往复扫描离子束的控制波形输出到射束扫描器(26)。控制部(60)包括输出部，将基准控制波形输出到射束扫描器(26)；获取部，从射束测量部(50)获取对根据基准控制波形进行往复扫描的离子束而测定出的离子照射量分布；及生成部，利用所获取的离子照射量分布生成补正控制波形。控制部(60)输出被调整为离子照射量分布为目标分布且每单位时间的离子照射量分布为目标值的补正控制波形。
- 离子注入方法以及装置
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