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[发明专利]抑制热载流子注入的方法-CN201510680559.8在审
发明人：卢海峰;陈文桥;刘巍 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制热载流子注入的方法，包括：步骤1：制作MOS器件结构，所述MOS器件结构包括有源区和栅极；步骤2：对MOS器件结构的轻掺杂漏结构进行掺杂离子注入；步骤3：对轻掺杂漏结构进行碳离子注入；步骤4：在栅极两侧形成栅极侧墙；步骤5：进行源漏区离子注入并退火。本发明在进行源漏区离子注入之前、在轻掺杂漏结构进行掺杂离子注入之后，进行轻掺杂漏结构的碳离子注入，从而来抑制源漏区离子注入之后的离子扩散问题，从而可以降低漏端电场，进而降低HCI，提高MOS器件的可靠性
抑制载流子注入方法

[发明专利]离子注入跑片装置及离子注入跑片方法-CN201810398127.1在审
发明人：钱锋;宋银海;贾银海;姚飞;宋经纬;廖运华 -专利权人：东莞帕萨电子装备有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开了离子注入跑片装置及离子注入跑片方法。该离子注入跑片装置包括水平进出传送区、垂直输送缓冲区、单个水平传送区及垂直输送储存区。离子注入跑片方法包括如下步骤：将硅片置于拖盘上隔板的下方，其中一排离子注入孔正对硅片的第一位置；将托盘运送至一真空腔中，在真空腔中运送托盘至第一离子处；将第一离子通过隔板的第一排离子注入孔注入至硅片的第一位置；隔板相对所述托盘移动位置，以使第二排离子注入孔正对硅片的第二位置；将第二离子通过隔板的第二排离子注入孔注入至硅片的第二位置；将托盘移出所述真空腔。本发明所述离子注入跑片装置，离子注入方便、快速、成本低、制作的硅片质量好。
离子硅片离子注入孔隔板托盘真空腔垂直输送第二位置第一位置正对运送水平传送托盘移动缓冲区储存区传送区上隔板拖盘移出制作

[发明专利]离子注入跑片方法和离子注入跑片系统-CN201710183422.0有效
发明人：钱锋;宋银海;贾银海;姚飞;埃尔詹·马兹 -专利权人：东莞帕萨电子装备有限公司
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种离子注入跑片方法，包括以下步骤：A)将多个硅片排列放入硅片托盘上。B)多个载有硅片的硅片托盘同时由多个输送带装置输送至缓冲区。C)硅片托盘上的硅片经过离子注入设备注入其中一种离子后输送到切换区。D)切换区内还设有隔板孔切换装置。E)硅片托盘反向输送至离子注入设备的位置时，离子注入设备将另一种离子注入硅片托盘上的硅片上。F)硅片托盘上的硅片注入两种离子后，输送回缓冲区完成离子注入。本发明离子注入的条件只需要在硅片托盘进出的真空度一致即可实现；该方法采用离子扩散的方式无法实现；本方法采用离子注入的方式，控制单种类型的离子逐一注入硅片上，可以通过调节离子注入设备的离子注入的种类，能量和注入剂量，使离子注入的效果更佳，制作成本更低。
离子注入方法系统

[发明专利]射频LDMOS器件及其制造方法-CN201410315116.4有效
发明人：李娟娟;钱文生 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频LDMOS器件，漂移区为由离子注入区一和离子注入区二组成的非均匀结构，离子注入区一和多晶硅栅自对准，离子注入区二由光刻定义且和多晶硅栅相隔一段距离；离子注入区一和二的交叠区具有较大掺杂浓度能够提高器件的驱动电流、降低器件的导通电阻；离子注入区一的较低的掺杂浓度能使多晶硅栅边缘位置处的电场强度降低，提高器件的击穿电压、降低器件在多晶硅栅边缘位置处的热载流子注入能力并提高器件的鲁棒性；离子注入区二的较低的掺杂浓度和较深的深度能降低器件的输出电容
射频 ldmos 器件及其制造方法

[发明专利]隔离型LDMOS的制造方法-CN201110009456.0有效
发明人：熊涛;刘剑;陈瑜;陈华伦 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-01-17 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种隔离型LDMOS的制造方法，包括步骤：在版图设计过程中，对隔离型LDMOS的漏区的离子注入版图进行变动，使漏区的离子注入区和栅极下方的浅沟槽隔离间相隔一横向距离一；在生产过程中，采用步骤一中所设计的漏区的离子注入版图进行漏区的离子注入本发明能使漏区和栅极下方的浅沟槽隔离间没有高浓度的漏区的离子注入杂质，能够消除漏区附件的强电场，从而能提高器件的安全工作区域，且仅需变动漏区的离子注入版图，工艺简单、容易实现。
隔离 ldmos 制造方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201310745719.3在审
发明人：禹国宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括提供衬底，所述衬底内具有掺杂区；对所述掺杂区进行激光离子注入工艺，所述激光离子注入工艺包括对所述掺杂区进行离子注入，使所述掺杂区内具有掺杂离子；对所述掺杂区进行激光处理，以加热所述掺杂区，消除离子注入损伤。
半导体结构形成方法

[发明专利]离子注入即时制造控制系统及离子注入即时制造控制方法-CN201611028746.9在审
发明人：李赟佳;赖朝荣;王智 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01J37/302 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子注入即时制造控制系统及离子注入即时制造控制方法。本发明的离子注入即时制造控制系统包括晶圆装载区传送部分、注入区部分、热波量测区域部分、以及数据反馈计算部分；其中，晶圆装载区传送部分用于将晶圆传递至注入区部分，注入区部分用于执行离子束调整并对晶圆执行离子注入处理；热波量测区域部分在经离子注入处理后的晶圆传递回晶圆装载区传送部分之前对经离子注入处理后的晶圆进行热波量测，并且将热波量测数据传递给数据反馈计算部分；数据反馈计算部分用于根据热波量测数据判断当前离子束是否需要调整，并且根据判断结果控制注入区部分的离子束调整。
离子注入即时制造控制系统控制方法

[发明专利]一种实现自身静电放电保护的高压器件-CN201710656774.3有效
发明人：汪广羊 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种实现自身静电放电保护的高压器件，包括：半导体衬底；形成于半导体衬底中的第一N‑阱、P‑阱和第二N‑阱；形成于第一N‑阱中的第一N+离子注入区和第一隔离区；形成于P‑阱中的第二N+离子注入区和紧贴第二N+离子注入区的P+离子注入区；形成于第二N‑阱中的第三N+离子注入区；形成于半导体衬底中的第二隔离区，所述第二隔离区覆盖部分第二N‑阱和部分P‑阱，其中，第二N+离子注入区、P+离子注入区和第三N+离子注入区构成
一种实现自身静电放电保护高压器件

[实用新型]离子注入跑片机-CN201720296976.7有效
发明人：宋银海;钱锋;贾银海;姚飞 -专利权人：东莞帕萨电子装备有限公司
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开一种离子注入跑片机，包括水平进出传送区、托盘垂直输送缓冲区、单个托盘水平传送区和托盘垂直输送切换储存区，单个托盘水平传送区的中部设有离子注入工位，水平进出传送区、托盘垂直输送缓冲区和托盘垂直输送切换储存区的底部均设有真空发生装置本实用新型离子注入的条件只需要在硅片托盘进出的真空度一致即可实现；该方法采用离子扩散的方式无法实现；本方法采用离子输入的方式，控制单种类型的离子逐一注入硅片上，可以通过调节离子注入设备的离子注入量和注入环境，使离子注入的效果更佳，制作成本更低。
离子注入跑片机

[发明专利]SGT mosfet器件及其制备方法、电子设备及其制备方法-CN202211711010.7在审
发明人：李艳旭;欧新华;袁琼;陈敏;符志岗;孙春明;王莹;庞亚楠 -专利权人：上海芯导电子科技股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：；形成屏蔽栅极以及空腔；屏蔽栅极填充于部分第一栅极沟槽中；屏蔽栅极的顶端未被填充的第一栅极沟槽形成空腔；其中，屏蔽栅极顶端是平整表面；形成栅间氧化层、第二外延层、第二场氧层以及栅极；形成层间介质层、体区离子注入区、源区离子注入区以及接触孔；其中，体区离子注入区和源区离子注入区，沿远离第一外延层的方向上依次形成于栅极周围的第二外延层中；层间介质层形成于栅极与源区离子注入区表面；接触孔贯穿层间介质层，体区离子注入区和部分源区离子注入区
sgt mosfet 器件及其制备方法电子设备

[发明专利]盖板及其制作方法、显示组件、电子设备、贴膜-CN202110350615.7在审
发明人：姜春生 -专利权人： OPPO广东移动通信有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G06F1/16 文献下载
摘要：其中，所述盖板具有一表面；所述盖板上形成有多个间隔设置的离子注入区，所述离子注入区自所述表面向所述盖板的内部延伸，其中，所述离子注入区的折射率大于所述盖板未形成离子注入区的区域的折射率。通过上述方式，能够提高离子注入区的折射率，抑制入射光的反射，进而能够提高盖板的光透过率，提高用户的体验。
盖板及其制作方法显示组件电子设备贴膜

[发明专利]离子注入层版图的光学修正方法-CN201610280103.7有效
发明人：丁丽华;张辰明;何大权;魏芳;朱骏;吕煜坤;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子注入层版图的光学修正方法，包括：建立一系列包含有源区图形和离子注入层图形的测试图形，根据测试图形得到有源区图形线宽对有源区图形到离子注入层图形的距离的影响曲线；根据影响曲线并结合所要建立的OPC修正模型的数据，得到有源区对离子注入层的影响函数；将影响函数植入OPC修正模型中，且作为OPC修正模型的一部分与OPC修正方程相对应；根据影响函数得到有源区对离子注入层的影响框；并且计算得到影响框内的有源区的边长对离子注入层的光强影响数据；根据光强影响数据和OPC模型数据得到新的OPC模型，将新的OPC模型植入OPC修正方程对离子注入层版图进行修正，本发明提高了离子注入层版图OPC修正的准确性。
离子注入版图光学修正方法

[发明专利]高性能半导体器件及其形成方法-CN200910243851.8有效
发明人：尹海洲;骆志炯;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，所述方法采用了先对源/漏极区进行热退火再进行反转Halo离子注入以形成反转Halo离子注入区的方式，通过先去除所述伪栅极，暴露所述栅极介质层以形成开口；而后从所述开口对衬底进行反转Halo离子注入，以在器件的沟道中形成反转Halo离子注入区；而后进行退火，以激活反转Halo离子注入区的掺杂；最后根据制造工艺的要求对器件进行后续加工。通过本发明能够避免反转Halo离子注入对栅堆叠的劣化，使得反转Halo离子注入能够应用于金属栅堆叠器件中，同时能够很好地降低和控制短沟道效应，从而提高器件性能。
性能半导体器件及其形成方法

[发明专利]P型轻掺杂离子注入对准度的监控结构及方法-CN201410357335.9有效
发明人：范荣伟;陈宏璘;龙吟;顾晓芳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了P型轻掺杂离子注入对准度的监控结构及方法，该监控结构包括光阻区和P型轻掺杂离子注入区，P型轻掺杂离子注入区包括P型阱、P型轻掺杂离子阱、栅极、介质层以及对应于P型轻掺杂离子阱的接触孔；光阻区包括P型阱、N型轻掺杂离子阱、栅极、介质层，以及对应于N型轻掺杂离子阱的接触孔；对P型轻掺杂离子注入区和光阻区分别注入P型轻掺杂离子和N型轻掺杂离子；在正电势电子束扫描模式，根据发生亮度变化的接触孔即可监控光阻区的对准度，从而实现对CMOS中P型轻掺杂离子注入对准度的实时监控，避免P型轻掺杂离子注入到NMOS的P型阱中而产生漏电现象。
掺杂离子注入对准监控结构方法

[发明专利]离子注入方法及离子注入机-CN201911062928.1有效
发明人：周真真;刘厥扬;胡展源 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入方法，包括步骤：步骤一、将晶圆放置在可旋转的基座上；步骤二、采用点状离子束流对晶圆进行离子注入，包括分步骤：步骤21、点状离子束流经过扫描装置扫描后形成扫描离子束流；步骤22、对晶圆进行旋转，采用扫描离子束流对旋转的晶圆进行离子注入从而在晶圆上形成多个径向分布的环形离子注入区或扇形离子注入区。本发明能实现对离子注入分布进行精确控制以及提高离子注入的均匀性。
离子注入方法