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[发明专利]一种实现基侧模激射的半导体激光器及其制备方法-CN202010686595.6有效
发明人： 孙春明;苏建;夏伟;徐现刚 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种实现基侧模激射的半导体激光器及其制备方法，该半导体激光器包括包括自下到上依次设置的N面电极、衬底、缓冲层、N型限制层、N型波导层、有源区、P型波导层和P型限制层，P型限制层包括本体层和由本体层中间条形区域凸出形成的脊条，脊条上依次设置有接触层和P面电极；P型限制层中脊条的两侧设置有纵向折射率型布拉格光栅，纵向折射率型布拉格光栅为高低间隔分布的周期性结构光栅。本发明通过在半导体激光器侧向采用布拉格光栅来限制光场模式，可实现基模与高阶模之间较大的泄露损耗，高阶模无法形成有效震荡，可在大条宽、大电流下实现基侧模激射，在10μm条宽、2A电流下实现基侧模激射。
一种实现基侧模激射半导体激光器及其制备方法

[实用新型]环境温度校准、测量装置以及系统-CN202320377351.9有效
发明人：郁俊燕;陈敏;欧新华;袁琼;戴维;孙春明 -专利权人：上海芯导电子科技股份有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G01K15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种环境温度校准、测量装置及系统，其中，环境温度校准装置用于对环境箱的温度进行校准，包括：感温元件、连接件以及温度测量元件；其中：所述环境箱用于根据一预设温度对箱内的温度进行调节，以使得调节后的箱内的稳定温度理论上达到所述预设温度；所述感温元件用于对所述被测物体附近的实际温度进行感测，并将感测到的实际温度通过所述温度测量元件进行显示；若所述实际温度与所述预设温度存在差异，通过改变预设温度以使得最终的实际温度与所述预设温度相等。
环境温度校准测量装置以及系统

[实用新型]锁止机构、新能源汽车及换电系统-CN202320862171.X有效
发明人：韦光珍;李想;陈卫;孙春明;刘迎春;唐军;谢维贵;薛松 -专利权人：重庆峘能电动车科技有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B60L53/80 文献下载
摘要：本申请公开一种锁止机构、新能源汽车和换电系统，锁止机构包括卡爪组件和锁紧销。卡爪组件包括多个卡持部和螺杆，多个卡持部环绕排列设置。螺杆通过正向转动，能够带动多个卡持部沿第一方向移动，并使多个卡持部相互靠拢以连接锁紧销，为锁止机构的锁止状态。螺杆通过反向转动，能够带动多个卡持部沿第二方向移动，并使多个卡持部相互远离以与锁紧销分离，为锁止机构的解锁状态，第二方向与第一方向相反。第一通孔用于供转动件伸入，以使转动件连接螺杆，并能够驱动螺杆转动。上述的锁止机构在应用于新能源汽车换电时，有利于提高新能源汽车换电的效率，还有利于减小锁止机构的磨损，延长锁止机构的使用寿命。
机构新能源汽车系统

[发明专利]一种高慢轴光束质量的宽条型大功率半导体激光器及其制备方法-CN202310633870.1在审
发明人： 孙春明;任夫洋;苏建 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司;山东芯光光电科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种高慢轴光束质量的宽条型大功率半导体激光器及其制备方法。所述半导体激光器的P型限制层呈脊型台状，宽条型脊条设置在P型限制层本体层上方；宽条型脊条上表面设置有欧姆接触层，欧姆接触层上表面设置有深入至P型限制层内的柱状孔；欧姆接触层上方设置有P面金属层，欧姆接触层侧表面、宽条型脊条侧表面和P型限制层本体层上表面设置有绝缘层。本发明通过在宽条型脊条边缘处制备空气柱结构，降低宽条型脊条边缘处的散热能力，降低宽条型脊条边缘处的散热效率，消除热分布不均匀问题，消除热透镜效应，降低芯片在大功率工作模式下的慢轴发散角，有效提高宽条型半导体激光器的光束质量。
一种高慢轴光束质量宽条型大功率半导体激光器及其制备方法

[实用新型]一种切割导丝及血栓抽吸系统-CN202223059203.7有效
发明人：周红欣;梁栋科;宦玮;孙春明;程光 -专利权人：上海康德莱医疗器械股份有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： A61B17/22 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种切割导丝及血栓抽吸系统，切割导丝包括导丝本体和血栓切割件，导丝本体远端适于穿设在抽吸导管内，血栓切割件与导丝本体远端连接，血栓切割件适于放置在抽吸导管内，血栓切割件具有在导丝本体的驱动下，在抽吸导管内移动以切割抽吸导管内血栓的切割状态；其中，血栓切割件包括切割部，沿远端到近端方向，切割部截面积逐渐增大。通过在导丝本体远端连接有血栓切割件，且血栓切割件包括切割部，沿远端到近端方向，切割部截面积逐渐增大，在通过导丝本体将血栓切割件放置在抽吸导管内移动以切割抽吸导管内血栓时，呈现尖端状的切割部能够将堵塞在抽吸导管内的血栓切割破碎，能够避免抽吸导管内部出现堵塞。
一种切割血栓抽吸系统

[发明专利]球囊扩张压力泵和压力泵配合器械-CN202211325633.0有效
发明人：周红欣;林森;吕中钊;梁栋科;孙春明 -专利权人：上海康德莱医疗器械股份有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： A61M25/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种球囊扩张压力泵和压力泵配合器械，该压力泵包括外套、齿条、手柄、弹簧、胶塞、尼龙编织管、旋转接头、压力表、齿条卡合柱和离合把手，齿条卡合柱的内部设置有齿条容纳槽和齿条卡合槽，齿条的一侧设置有多个凸起；齿条卡合柱的侧壁上设置有多个避让槽，相邻的避让槽之间设置有连接块；齿条上设置有齿条外螺纹；外套的内周壁上设置有与齿条外螺纹啮合的内螺纹，通过设定相邻的连接块之间的距离H、相邻的避让槽之间的距离L、连接块的宽度a、凸起的底部的宽度b、凸起的顶部的宽度c和弹簧在自然状态下向离合把手施加的预设弹性力F之间的关系，使得弹簧在自然状态下时，齿条外螺纹的牙顶进入内螺纹的牙底。
扩张压力配合器械

[发明专利]一种光斑优化的半导体激光器及其制备方法-CN202111523649.8在审
发明人：陈康;刘琦;肖成峰;孙春明;秦鹏 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本发明涉及一种光斑优化的半导体激光器及其制备方法，欧姆接触层下方设置有脊条，脊条的两侧形成肩槽，肩槽的一侧设置有深沟预留缓冲区，深沟预留缓冲区的底部开设有深沟，深沟的上边缘且位于深沟预留缓冲区底部的区域为氧化物预留区；氧化物预留区上设置有氧化物预留层；欧姆接触层上的部分区域、肩槽的表面、深沟预留缓冲区的表面均包覆有绝缘层；或欧姆接触层上的部分区域、肩槽的表面、深沟预留缓冲区的表面及深沟的表面均包覆有绝缘层；绝缘层的上表面设置有P面金属。本发明提供的技术方案能够对光斑进行优化，有效减少在脊区产生的模式数量，并对产生的激光的高阶模式进行过滤，从而可以有效的优化光斑。
一种光斑优化半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种提高波长稳定性的半导体激光器芯片-CN202310156151.5在审
发明人： 孙春明;张秀萍 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明公开一种提高波长稳定性的半导体激光器芯片，该芯片包括从下至上依次设置的N面金属、衬底层、N型限制层、N型波导层、量子阱有源层、P型波导层、P型限制层、接触层和P面金属。该芯片的出光腔面上覆盖有AR膜，且该芯片的非出光腔面覆盖有高反膜层，其是由两种折射率不同的材料层相互交错分布形成的高低折射率周期分布的高反膜。所述P面金属靠近高反膜层的一端是由金属区域和无金属区域交错分布构成的周期性布拉格光栅结构，且该周期性布拉格光栅结构和所述高反膜层相连。所述P型限制层、接触层和P面金属形成脊型区域。本发明通过在非出光腔面设置特殊构造的高反膜实现了波长锁定，有效提高了半导体激光器出射波长的稳定性。
一种提高波长稳定性半导体激光器芯片

[发明专利]一种滨海复杂地层盾构掘进适应性评价方法-CN202010561921.0有效
发明人：黄明;宋勤;刘素云;王更峰;李庆京;孙春明 -专利权人：中铁十一局集团第四工程有限公司;福州大学;中铁十一局集团有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G06Q10/0639 文献下载
摘要：本发明提出了一种滨海复杂地层盾构掘进适应性评价方法，包括以下步骤：S1，得到最终掘进判断矩阵；S2，将步骤S1中得到的最终掘进判断矩阵利用遗传算法获得最终掘进判断矩阵的掘进权重矩阵；S3，若选择土压平衡盾构机，则执行步骤S4；若选择泥水平衡盾构机，则执行步骤S5；步骤S4包括：S41，利用滨海复杂地层盾构掘进中的土压平衡盾构机掘进隶属函数得到土压平衡盾构机掘进隶属矩阵；S42，根据步骤S2中得到的掘进权重矩阵以及步骤S41中得到的土压平衡盾构机掘进隶属矩阵，计算土压平衡盾构机掘进适应度。本发明能够以较优方式对滨海复杂地层进行掘进。
一种滨海复杂地层盾构掘进适应性评价方法

[发明专利]一种采用反波导效应的低发散角宽条型大功率半导体激光器-CN202310043599.6在审
发明人：朱振;孙春明 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明公开一种采用反波导效应的低发散角宽条型大功率半导体激光器，属于半导体激光器技术领域，电流注入区呈凹槽状，由腐蚀掉全部非掺杂GaAs层以及部分高掺杂的GaAs欧姆接触层形成。电流注入区两侧表面覆盖有超厚绝缘层。通过非掺杂的GaAs层以及凹槽状电流注入区实现反波导效应，通过反波导效应过滤掉高阶模式的光，只有与两端腔面垂直的光可以进行F‑P震荡、放大形成激光并输出，进而大幅度降低了慢轴发散角。同时，电流注入区两侧绝缘层材料可有效降低两侧的散热效率，进而有效消除热透镜效应，防止芯片在大功率工作模式下因热透镜效应重新形成波导效应，进一步降低芯片在大功率工作模式下的慢轴发散角，有效提高宽条型半导体激光器的光束质量。
一种采用波导效应发散角宽条型大功率半导体激光器

[发明专利]一种滨海复杂地层盾构选型适应性评价方法-CN202010561102.6有效
发明人：王更峰;黄明;刘素云;宋勤;李庆京;孙春明 -专利权人：中铁十一局集团第四工程有限公司;福州大学;中铁十一局集团有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G06Q10/0639 文献下载
摘要：本发明提出了一种滨海复杂地层盾构选型适应性评价方法，包括以下步骤：S1，根据获取的滨海复杂地层盾构选型中的指标构建υ个判断矩阵以及对构建的各个判断矩阵赋予判断矩阵权重系数，得到最终判断矩阵；S4，根据得到的权重矩阵以及隶属矩阵，计算选型适应度：若土压平衡盾构机综合适应度大于泥水平衡盾构机综合适应度，则选择土压平衡盾构机；若土压平衡盾构机综合适应度小于泥水平衡盾构机综合适应度，则选择泥水平衡盾构机；若土压平衡盾构机综合适应度等于泥水平衡盾构机综合适应度，则选择泥水平衡盾构机或土压平衡盾构机。本发明能够对滨海复杂地层选择适应的土压平衡盾构机和泥水平衡盾构机。
一种滨海复杂地层盾构选型适应性评价方法

[发明专利]肖特基二极管及制作方法，以及电子设备及制作方法-CN202310046958.3在审
发明人：王莹;欧新华;袁琼;陈敏;符志岗;孙春明;李艳旭 -专利权人：上海芯导电子科技股份有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种肖特基二极管，包括：肖特基二极管结构，该结构具体包括：衬底、外延层以及若干栅极沟槽；N+型离子注入区与第一势垒层；N+型离子注入区形成于远离若干栅极沟槽一侧的外延层中；第一势垒层形成于N+型离子注入区的表层中；层间介质层，覆盖外延层的表面，且暴露出若干栅极沟槽、若干栅极沟槽之间的外延层以及N+型离子注入区；第一金属层与钝化层，第一金属层形成于第一势垒层的顶端；钝化层包裹第一金属层，且暴露出部分第一金属层的表面；第一焊盘，形成于第一金属层暴露出来的表面上。该技术方案解决了由于传统打线工艺造成的对芯片有效面积的限制的技术问题。进而实现了降低肖特基二极管的压降和提高过电流能力的技术效果。
肖特基二极管制作方法以及电子设备

[发明专利]SGT mosfet器件及其制备方法、电子设备及其制备方法-CN202211711010.7在审
发明人：李艳旭;欧新华;袁琼;陈敏;符志岗;孙春明;王莹;庞亚楠 -专利权人：上海芯导电子科技股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了一种SGT mosfet器件的制备方法，包括：形成衬底、第一外延层、第一场氧层以及第一栅极沟槽；形成屏蔽栅极以及空腔；屏蔽栅极填充于部分第一栅极沟槽中；屏蔽栅极的顶端未被填充的第一栅极沟槽形成空腔；其中，屏蔽栅极顶端是平整表面；形成栅间氧化层、第二外延层、第二场氧层以及栅极；形成层间介质层、体区离子注入区、源区离子注入区以及接触孔；其中，体区离子注入区和源区离子注入区，沿远离第一外延层的方向上依次形成于栅极周围的第二外延层中；层间介质层形成于栅极与源区离子注入区表面；接触孔贯穿层间介质层，体区离子注入区和部分源区离子注入区。该技术方案解决了如何缩小SGT mosfet器件的特征尺寸的问题。
sgt mosfet 器件及其制备方法电子设备

[发明专利]一种改善smile效应的半导体激光器巴条及其制备方法-CN202111247467.2在审
发明人：刘鹏;孙春明;崔庆尚;朱振;夏伟 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善smile效应的半导体激光器巴条及其制备方法。所述半导体激光器巴条由若干个单巴条单元组成，中央单巴条单元的周期宽度最大，由中央向两侧单巴条单元的周期宽度依次递减；相邻的单巴条单元之间设置有沟槽；单巴条单元由下至上依次包括N面电极、衬底、N型限制层、N型波导层、发光有源层、P型波导层、P型限制层；所述P型限制层凸起形成脊型条，所述脊型条上方和沟槽内表面设置有绝缘层，脊型条顶端的绝缘层设有空断间隔，绝缘层上方设置有P面电极。本发明从根本上解决了巴条中间区域与两侧区域温升不一致导致的smile效应，同时有效克服了因封装应力导致的巴条脱落，甚至断裂的问题。
一种改善 smile 效应半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种大功率低发散角半导体激光器芯片-CN202211574392.3在审
发明人： 孙春明;吴凯;苏建;刘琦 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种大功率低发散角半导体激光器芯片，属于半导体激光器领域，层叠结构包括自下到上依次设置的N面金属、衬底、N型限制层、N型波导层、量子阱层、P型波导层、P型限制层、绝缘层以及P面金属；脊波导沿激光器芯片的出光方向延伸，脊波导两头宽中间窄；电流注入区形成于脊波导上，隔离槽区形成于靠近腔面的脊波导以及两侧区域，深沟槽区形成于脊波导两侧，其在出光方向为三角形，靠近腔面处宽度大。本发明可以有效消除了热透镜效应，大大降低慢轴发散角，同时，脊波导采用两头宽的形势，降低了载流子在脊波导边缘的堆积效应，消除近场光斑中边缘区域功率较强的尖峰，避免局部光场过强导致腔面损伤，大大提高了器件的长时间可靠性。
一种大功率发散半导体激光器芯片

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