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[发明专利]定向能量射束偏转场监测器和校正器-CN202280018896.9在审
发明人：雅切克·卡齐米日·泰敏斯基;麦可·比尔克·宾纳德 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J37/304 文献下载
摘要：通过将图案化场的图像的像素坐标映射到图案化场空间坐标来补偿定向能量射束偏转。举例来说，通过对在光罩上限定的校准特征成像以产生像素与物理坐标之间的映射来补偿电子射束扫描。扫描电子射束以在图案化场中的多个扫描位置处产生阴极发光。通过所述像素坐标映射，使用所述阴极发光的图像确定补偿的扫描驱动值。可类似地补偿其它定向能量射束偏转。
定向能量偏转监测器校正

[发明专利]射频阴极中和器-CN202110085599.3有效
发明人：刘伟基;冀鸣;赵刚;易洪波 -专利权人：中山市博顿光电科技有限公司;佛山市博顿光电科技有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本申请涉及一种射频阴极中和器，包括：电离腔室，靶材，维持极，发射极，以及磁铁组件；靶材通过第一绝缘部件设置在电离腔室底部，维持极和发射极设于电离腔室顶部，靶材连接射频电源，磁铁组件向电离腔室提供磁场；在工作中，向电离腔室通入工作气体，利用磁铁组件产生的磁场和射频电源输出的射频电磁波对工作气体进行电离产生等离子体；维持极和发射极用于分离等离子体中的正离子和负电子，并将负电子输出；该技术方案，使用了电容性射频驱动的方式驱动中和器，射频负载面对地直流绝缘，对地等效为电容，具有更高匹配效率，设备结构更加简单；而且通过引入磁场和射频电共同作用，使得等离子体更加活泼，也提高了电离效率。
射频阴极中和

[发明专利]上电极结构及半导体加工设备-CN202111349917.9有效
发明人：郑分成 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：本公开提供了一种上电极结构及半导体加工设备。该上电极结构包括：电极，位于刻蚀腔室内，所述电极上设有多个气孔，以提供刻蚀气体通路；固定装置，连接所述电极，并将所述电极安装于所述刻蚀腔室的内壁上，所述固定装置包括固定部和力调节部，所述力调节部与所述电极连接，所述力调节部调节所述电极和所述刻蚀腔室的内壁之间的贴合度。该上电极结构可以保证在一个完整的工艺周期内，电极始终保持贴合刻蚀腔室内壁的状态，避免引起刻蚀过程中温度的改变。
电极结构半导体加工设备

[发明专利]离子束能量控制装置-CN201910340903.7有效
发明人：张劲;陈炯;夏世伟 -专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司;上海临港凯世通半导体有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子束能量控制装置。其包括：入口端和出口端，所述入口端供离子束射入，所述出口端供离子束射出；若干电极对，每个电极对分别包括相对设置的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均为棒状，所述第一电极和所述第二电极之间的空间供离子束通过；所述若干电极对中至少一电极对形成第一电极群，施加至所述第一电极群的电压使得离子束向第一方向偏转；所述若干电极对中至少一电极对形成第二电极群，施加至所述第二电极群的电压使得离子束向第二方向偏转，所述第二方向与所述第一方向反向。本发明的离子束能量控制装置在电极形状、电极布局、束流调节等方面均具有较多优点。
离子束能量控制装置

[发明专利]半导体处理腔室多阶段混合设备-CN201910280877.3有效
发明人： M·T·萨米尔;D·杨 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：公开了半导体处理腔室多阶段混合设备。示例性的半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦接的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括耦接在所述远程等离子体单元和所述处理腔室之间的混合歧管。所述混合歧管可以由第一端部和与所述第一端部相对的第二端部表征，并且可以在所述第二端部处与所述处理腔室耦接。所述混合歧管可以限定穿过所述混合歧管的中央通道，并且可以沿着所述混合歧管的外部限定端口。所述端口可以与限定在所述混合歧管的所述第一端部内的第一沟槽流体耦接。所述第一沟槽可以由在第一内侧壁处的内半径和外半径表征，并且所述第一沟槽可以提供通过所述第一内侧壁到所述中央通道的流体通路。
半导体处理腔室多阶段混合设备

[发明专利]带电粒子工具、校准方法、检查方法-CN202180090368.X在审
发明人： E·斯洛特;A·V·G·曼格努斯;E·P·斯马克曼;任岩;M·斯科特兹 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01J37/304 文献下载
摘要：一种带电粒子工具被配置为从带电粒子束生成多个子束，并且将子束向束下游引导向样品(600)位置，该工具、即带电粒子工具包括至少三个带电粒子光学组件(201、111、235、234)；检测器模块(240)；以及控制器。检测器模块被配置为响应于从样品位置的方向向束上游传播的带电粒子而生成检测信号。控制器被配置为在校准模式下操作该工具。带电粒子光学组件包括被配置为发射带电粒子束的带电粒子源201、以及被配置为生成子束的束生成器(111)。检测信号包含关于带电粒子光学组件中的至少两个带电粒子光学组件的对准的信息。带电粒子光学组件包括两个或更多个带电粒子光学元件，该两个或更多个带电粒子光学元件包括可以监测带电粒子的孔径阵列。
带电粒子工具校准方法检查

[发明专利]通过对比气体的终点确定-CN202180087077.5在审
发明人： D·里诺 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：本发明涉及一种修复光刻掩模缺陷的方法，该方法包括下列步骤：(a.)引导粒子束到缺陷上，以引起缺陷处的局部蚀刻工艺；(b.)使用反向散射粒子、和/或二次粒子、和/或由蚀刻工艺所产生另一自由空间信号来监控蚀刻工艺，以检测从缺陷处的局部蚀刻工艺到缺陷下方的掩模的一元件处的局部蚀刻工艺的转变；(c.)供给至少一个对比气体以增加检测该转变的对比度。
通过对比气体终点确定

[发明专利]带电粒子束描绘装置以及带电粒子束描绘方法-CN202180088410.4在审
发明人：仙石康雄;五岛嘉国;J·W·凯;黎志诚 -专利权人：纽富来科技股份有限公司;纽富来科技美国公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：本发明的一个方案的带电粒子束描绘装置，其特征在于，具备：电极，使带电粒子束偏转；放大器，向电极施加偏转电位；诊断电路，诊断放大器；开关电路，配置在放大器的输出与电极之间，在电极与诊断电路之间切换放大器的输出；电子光学系统，将通过由放大器施加偏转电位而偏转的带电粒子束照射到试样；柱，在内部配置有电极以及电子光学系统；第1同轴电缆，将放大器的输出侧与开关电路相连；第2同轴电缆，将电极与开关电路相连；第3同轴电缆，将放大器的输出侧与诊断电路相连；以及电阻，与开关电路并联地将第1同轴电缆的内部导体与第2同轴电缆的内部导体连接。
带电粒子束描绘装置以及方法

[发明专利]磁控增强等离子抛光装置-CN202310713225.0有效
发明人：袁刚俊;苏兆鸣 -专利权人：通威微电子有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本发明提供一种磁控增强等离子抛光装置，涉及抛光设备技术领域。磁控增强等离子抛光装置包括真空腔体、进气管、导电管、喷头、载台和外部电源；真空腔体的顶壁上设置有进气管，进气管用于向真空腔体内通入刻蚀气体，真空腔体的底壁上设置有导电管；喷头设置在真空腔体内、且与进气管连通；载台设置在真空腔体内，载台上用于承载待抛光的基材，载台内设置有磁体；载台与导电管连接，导电管和喷头用于连接外部电源，载台与喷头之间形成具有电场的电离区，喷头喷出的刻蚀气体在电离区形成等离子；等离子在电离区内受到方向不同的磁力与电磁力。磁控增强等离子抛光装置能够高效、高质量、低成本地对基材进行抛光。
增强等离子抛光装置

[发明专利]一种电子束退火设备及多晶硅薄膜的制造方法-CN202010759039.7有效
发明人：凌步军;朱鹏程;袁明峰;吕金鹏;赵有伟;滕宇;孙月飞;冷志斌;冯高俊 -专利权人：江苏亚威艾欧斯激光科技有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：本发明提出一种电子束退火设备及多晶硅薄膜的制造方法，包括：电子束产生腔体；工艺腔体，所述电子束产生腔体位于所述工艺腔体上，所述电子束产生腔体和所述工艺腔体通过隔板分开，所述工艺腔体内设置一载台，所述载台用于放置基板；加热单元，设置在所述载台上，用于为所述基板加热；其中，所述电子束产生腔体包括：至少两个电子枪，所述电子枪用于发射电子束；至少两个加速管，所述加速管用于加速所述电子束；功率调节单元，连接所述至少两个电子枪，以使所述至少两个电子枪的功率相同或不同，以使所述至少两个电子枪发射的电子束的能量相同或不同。本发明提出一种电子束退火设备可以将基板上的非晶硅薄膜转化成多晶硅薄膜。
一种电子束退火设备多晶薄膜制造方法

[发明专利]蚀刻控制方法和蚀刻控制系统-CN202310094493.9在审
发明人：玉川裕介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01J37/302 文献下载
摘要：本发明提供能够削减工艺的运行成本的蚀刻控制方法和蚀刻控制系统。蚀刻控制方法包括步骤a、步骤b和步骤c。在步骤a中，收集形状数据，形状数据包含在环组件的表面的多个位置测量出的环组件的高度的信息，环组件以包围用于载置基片的载置台上的区域的方式配置。在步骤b中，使用表示预先收集到的形状数据与控制量之间的关系的关系模型，根据步骤a中收集到的形状数据来确定控制量，其中，控制量能够控制环组件的附近的鞘分布，以使得通过等离子体蚀刻而形成于基片的凹部的倾斜的角度成为容许范围内的角度。在步骤c中，通过应用确定出的控制量来控制环组件的附近的鞘分布。
蚀刻控制方法控制系统

[发明专利]一种具有多级差分真空系统的环境电子束加工设备-CN202310318129.6在审
发明人：王岩;王鹏飞;刘俊标;殷伯华;韩立 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01J37/304 文献下载
摘要：本发明涉及电子束加工技术领域，提供了一种具有多级差分真空系统的环境电子束加工设备，至少包括：真空腔室，适于为通过的电子束提供真空环境；至少一个第一节流气阻，设置在真空腔室内且位于电子束的束腰位置，第一节流气阻具有沿电子束的照射方向设置的缩孔结构，适于供电子束通过的同时隔离真空，以使第一节流气阻上游的真空腔室与下游的真空腔室的真空度形成差异。本发明提供的具有多级差分真空系统的环境电子束加工设备，在真空腔室内至少设置有一个第一节流气阻用于隔离真空，使第一节流气阻上游的真空腔室与下游的真空腔室的真空度形成差异，从而可以在电子枪位置提供更高的真空度，在下游真空腔室或者成型腔室位置提供更低的真空度。
一种具有多级真空系统环境电子束加工设备

[发明专利]中空阴极管启动方法、装置及中空阴极中和器-CN202110085518.X有效
发明人：刘伟基;冀鸣;赵刚;易洪波 -专利权人：中山市博顿光电科技有限公司;佛山市博顿光电科技有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本申请涉及一种中空阴极管启动方法、装置及中空阴极中和器，所述方法包括：向中空阴极管导入工作气体；启动维持电源，向中空阴极管输入维持电流；对所述中空阴极管的头部位置进行持续加热；当所述中空阴极管的头部位置的温度满足热电子输出时，控制温度调整至设定温度值；开启阴极电源向中空阴极中和器提供工作电源；该技术方案能适应低温阴极材料工作环境，降低了高压启动对电源的要求，无需大量的气体流量来启动，便于启动控制。
中空阴极启动方法装置中和

[发明专利]直流阴极中和器-CN202110085601.7有效
发明人：刘伟基;冀鸣;赵刚;易洪波 -专利权人：中山市博顿光电科技有限公司;佛山市博顿光电科技有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本申请涉及一种直流阴极中和器，包括：电离腔室，阴极靶材，维持极以及磁铁组件；其中，维持极设于电离腔室上部，连接维持电源；阴极靶材设于电离腔室底部，连接电离电源，且阴极靶材与维持极保持绝缘隔离；磁铁组件设于阴极靶材底部，用于在电离腔室产生强磁场；在工作中，电离腔室通入工作气体，磁铁组件在电离腔室的电离区域产生强磁场，电离区域在强磁场和电场的共同作用下对工作气体进行电离产生等离子体；等离子体中的负电子在维持极的作用下，通过设置在电离腔室的电子输出口进行输出；该技术方案，结构简单，维护方便，使用强磁场提高了电离效率；而且阴极靶材可以使用多种金属，可以使用耐高温稀有金属，对产品不产生污染等不利影响。
直流阴极中和

[发明专利]一种电感耦合线圈、射频提供装置、射频控制方法、设备-CN202111556207.3在审
发明人：刘海洋;刘小波;陈帅;郭颂;王铖熠;张霄;胡冬冬;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：本发明提供一种电感耦合线圈、射频提供装置、射频控制方法、等离子体处理设备，电感耦合线圈包括内线圈、中线圈、外线圈和第一可调电容，中线圈包围内线圈设置，外线圈包围中线圈设置，内线圈和中线圈串联在第一通路中，第一通路的第一端用于连接射频功率源，第二端用于连接接地端，外线圈位于第二通路中，第二通路的第一端用于连接射频功率源，第二端用于连接接地端，即内线圈和中线圈串联后与外线圈并联，中线圈和第一可调电容并联，这样中线圈的功率得到降低，降低内线圈和外线圈之间的区域的刻蚀速率，提高晶圆刻蚀的均匀性。
一种电感耦合线圈射频提供装置控制方法设备

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