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[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN202310465646.6在审
发明人：姜东伟;陈辉;李晓玉 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，属于半导体制造技术领域，该CMOS图像传感器的制造方法，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上具有用于形成MOS管的源漏极区；在所述源漏极区范围内的第一离子注入区注入第一预定剂量的碳离子，后向所述源漏极区范围内的第二离子注入区注入第二预定剂量的氟离子，其中，所述第一离子注入区和所述第二离子注入区至少部分地重合。通过依次向MOS管的源漏极区域依次注入碳离子和氟离子，利用在碳离子注入后会产生晶体缺陷的特性，使用晶体缺陷捕获氟离子，从而保证退火后源漏极区残留的氟离子，有效改善暗电流特性。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]一种用于改善薄膜层炸裂的方法及薄膜材料-CN202011120688.9有效
发明人：张涛;朱厚彬;张秀全 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L41/312 文献下载
摘要：本申请公开一种用于改善薄膜层炸裂的方法及薄膜材料，包括：由薄膜晶圆的离子注入面向所述薄膜晶圆内注入离子，在与离子注入区对应的薄膜晶圆内形成薄膜层、分离层和余质层；将薄膜晶圆的离子注入面与基底层键合面键合，得到第一键合体；对第一键合体热处理，得到第二键合体；将第二键合体中与非离子注入区对应的剩余薄膜晶圆，以及，薄膜层均研磨抛光至目标厚度。本申请通过在离子注入区外围保留一圈非离子注入区，使注入离子后，只在离子注入区对应的薄膜晶圆内形成薄膜层和分离层，从而在键合分离时，由于与所述非离子注入区对应的剩余薄膜晶圆的存在，就不会导致薄膜层从翘曲状态瞬间恢复平坦状态
一种用于改善薄膜炸裂方法材料

[发明专利]NLDMOS器件及其制造方法-CN201310088540.5有效
发明人：石晶;韩峰;陈雄斌;刘冬华 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-03-19 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种NLDMOS器件，漂移区由形成于N型外延层中的第一N型离子注入区、以及位于第一N型离子注入区底部的第一P型离子注入区以及N型外延层共同组成。第一N型离子注入区能够大大增加导通电流并降低导通电阻；第一P型离子注入区能够从底部对第一N型离子注入区进行纵向耗尽，从而能够改变漂移区中的电场分布，降低器件表面电场，提高器件的耐压性能，能够实现在导通电流增加时避免器件的击穿电压下降
nldmos 器件及其制造方法

[发明专利]提高离子注入区的深宽比的制造方法-CN201711178339.0有效
发明人：吴智勇;唐在峰;任昱 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高离子注入区的深宽比的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底的正面依次形成第一隔离层和第一多晶硅层；步骤二、形成第二介质层；步骤三、进行光刻将离子注入区之外的区域打开并将离子注入区之外的第二介质层；步骤四、进行选择性多晶硅外延生长形成第二多晶硅层；步骤五、去除第二介质层；步骤六、以第二多晶硅层为阻挡层进行离子注入形成所需深度的离子注入区；步骤七、之后去除第二多晶硅层、第一多晶硅层和第一隔离层。本发明能使离子注入区的宽度和深度分开可调，从而能提高离子注入区的深宽比。
提高离子注入制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710011110.1有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成伪栅极结构；分别在伪栅极结构两侧的衬底中形成源区和漏区，源区和漏区中具有源漏掺杂离子；在源区和漏区上形成介质层，介质层覆盖所述伪栅极结构侧壁；去除伪栅极结构，在介质层中形成开口；对开口底部的衬底进行第一离子注入或第二离子注入，或者对开口底部的衬底进行第一离子注入和第二离子注入；第一离子注入的方向朝向源区，在开口底部的衬底中注入第一阻挡离子，形成第一阻挡层；第二离子注入的方向朝向所述漏区，在开口底部的衬底中注入第二阻挡离子，形成第二阻挡层。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200810105900.7有效
发明人：李煜;居建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2008-05-05 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底中形成阱区；在阱区上形成栅极介质层和栅极，在栅极侧壁形成侧壁层；对侧壁层侧壁的阱区执行第一步离子注入，在栅极侧壁的阱区中形成源极和漏极；在第一步离子注入工艺之后，执行第二步离子注入；第二步和第一步离子注入的离子同为N型或P型；第二步离子注入的注入能量大于第一步的能量，剂量小于第一步离子注入的剂量；还包括：在形成栅极介质层之前，形成阱区之后，对阱区执行预掺杂工艺，用于中和第二步离子注入工艺中穿透所述栅极介质层而进入N阱区的离子。本发明可减小形成的器件源、漏极的结电容，且能够改善由于掺杂离子击穿栅极介质层引起的半导体器件的稳定性下降的问题。
半导体器件制造方法

[发明专利]LDMOS器件及其制备方法-CN202310603834.0在审
发明人：田甜;许昭昭 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种LDMOS器件的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底上依次形成有埋层和外延层；形成漂移区；在外延层以及部分漂移区中形成离子注入区，所述离子注入区位于所述漂移区一侧的下半部；形成栅介质层和多晶硅栅极；形成体区，所述体区与所述离子注入区相连接；刻蚀栅介质层和多晶硅栅极以形成栅极结构；形成栅极侧墙以及形成第一重掺杂区和多个第二重掺杂区。本申请在外延层中以及部分漂移区中下区域通过离子注入形成离子注入区，离子注入区与体区相连接，辅助耗尽栅极结构下方的漂移区，降低器件加压时体区/漂移区构成的PN结和栅极结构台阶处的电场强度，从而减小热载流子的产生和注入
ldmos 器件及其制备方法

[发明专利]沟槽型功率器件的制造方法-CN202111648832.0在审
发明人：杨啸;陈辉;王加坤 -专利权人：杭州芯迈半导体技术有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：所述制造方法包括：在半导体衬底上形成漂移区；在所述漂移区中形成第一沟槽和第二沟槽；在所述第一沟槽中形成栅叠层；采用第一离子注入，在所述漂移区中形成P型的阱区和掺杂区；以及采用第二离子注入，在所述阱区中形成N型的源区，其中，所述第一离子注入形成掺杂剂浓度随着深度逐渐减小的阱区，所述第二离子注入将所述阱区的上部反型以形成所述源区。该制造方法在公共的离子注入步骤中以自对准方式形成P型的阱区和掺杂区，不仅可以提高功率器件的性能，而且可以减少离子注入的工艺步骤和掩模数量，从而降低功率器件的制造成本。
沟槽功率器件制造方法

[发明专利]利用同型结监控P型轻掺杂离子注入对准度的结构及方法-CN201410357174.3有效
发明人：范荣伟;陈宏璘;龙吟;顾晓芳;刘飞珏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了利用同型结监控P型轻掺杂离子注入对准度的结构及方法，该监控结构包括光阻区和P型轻掺杂离子注入区，P型轻掺杂离子注入区包括P型阱、P型轻掺杂离子阱、栅极、介质层以及对应于P型轻掺杂离子阱的接触孔；光阻区包括P型阱、栅极、介质层，以及对应于P型阱的接触孔；对P型轻掺杂离子注入区注入P型轻掺杂离子；经负电势电子束扫描得到电压衬度影像中，根据发生变化的接触孔即可监控光阻区的对准度，从而实现对CMOS中P型轻掺杂离子注入对准度的实时监控，避免P型轻掺杂离子注入到NMOS的P型阱中而导致NMOS漏电现象的发生。
利用监控掺杂离子注入对准结构方法

[发明专利]袋形注入区的离子注入方法及MOS晶体管的制作方法-CN200910052645.9有效
发明人：赵猛;王津洲 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-06-05 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种袋形注入区的离子注入方法及MOS晶体管的制作方法，所述离子注入方法包括：将晶圆以通过晶圆中心且垂直于晶圆的直线为轴、以顺时针方向或逆时针方向旋转初始角度；在初始角度下，进行形成袋形注入区的离子注入；将晶圆以所述直线为轴旋转一次基本角度，其旋转方向与旋转初始角度的方向相同；在所述基本角度下，进行形成袋形注入区的离子注入；保持离子注入的方向不变，重复进行形成袋形注入区的离子注入和旋转基本角度的步骤，直至晶圆回到旋转初始角度后的位置与现有技术相比，本发明优化了现有袋形区离子注入方法和旋转用初始角度的设定，可以进一步降低MOS晶体管的结电容，改善结漏电现象，从而能降低功耗并提高运行速度。
注入离子方法 mos 晶体管制作方法

[发明专利]隔离型NLDMOS器件及其制造方法-CN202110767262.0在审
发明人：段文婷;刘冬华 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种隔离型NLDMOS器件，在P型半导体衬底上形成有一个第一深阱离子注入区和多个第二深阱离子注入区以及P型阱；第一深阱离子注入区和最靠近漏区的第二深阱离子注入区之间具有第一间距；第一深阱离子注入区和各第二深阱离子注入区经过热推进后会整体连通并形成N型深阱；由P型阱的第二侧面到漏区之间的N型深阱组成漂移区；各第二深阱离子注入区之间具有第二间距且各第二深阱离子注入区形成的整体结构将P型阱包围；通过设置第二间距来降低N型深阱对P型阱的P型浓度的影响并使本发明能提高器件的击穿电压，同时保证对体区和半导体衬底之间的良好隔离效果。
隔离 nldmos 器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件和鳍式场效应晶体管的形成方法-CN201310277589.5有效
发明人：程继;邓武锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在所述半导体器件的形成方法中，半导体衬底的器件密集区上的半导体材料层表面位置高于器件稀疏区上的半导体材料层位置，因而在器件稀疏区上的半导体材料层上覆盖掩膜层，向密集区上部分厚度的半导体材料层内注入离子形成离子注入区域，之后去除所述离子注入区域。其中，在注入离子后，改变了离子注入区域内的半导体材料特性，使半导体材料层的离子注入区域与非离子注入区域的性质发生差异，进而在后续去除离子注入区域的过程中，对非离子注入区域的半导体材料层几乎不产生影响，从而使最终获得的器件稀疏区和密集区的半导体材料层的高度接近一致
半导体器件场效应晶体管形成方法

[发明专利]CMOS图像传感器的制造方法-CN202110458513.7在审
发明人：何亚川;孙少俊;黄鹏;肖敬才 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器的制造方法，像素高能离子注入区的形成方法包括如下步骤：步骤一、形成衬垫氧化层；步骤二、在衬垫氧化层表面形成材料不同的第二介质层并叠加形成掩蔽层；步骤三、采用光刻工艺形成光刻胶图形将像素高能离子注入区打开；步骤四、进行高能离子注入形成像素高能离子注入区，利用掩蔽层中第二介质层和衬垫氧化层的材料不同的特性，增加掩蔽层对沟道效应的阻止能力。本发明能提高像素高能离子注入区的质量，降低所述像素高能离子注入区的拖尾深度。
cmos 图像传感器制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310664279.2在审
发明人：李浩南;魏进;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有外延层，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；至少一个第一离子注入区，位于所述外延层，所述至少一个第一离子注入区的体积从所述第一区域向所述第二区域的方向减少；第二离子注入区，位于所述第一区域的外延层中，所述第二离子注入区部分覆盖所述至少一个第一离子注入区；至少一个第三离子注入区，位于所述第二区域的外延层中。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，使所述至少一个第一离子注入区的体积从所述第一区域向所述第二区域的方向减少，可以避免击穿发生在第一区域最外围的结，提高器件可靠性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件的制备方法及半导体器件-CN201911307976.2在审
发明人：熊伟;陈华伦;钱文生;胡君 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件的制备方法和半导体器件，所述方法包括：提供一衬底，该衬底上形成有至少一个浅槽隔离结构；在衬底的输入/输出N型有源区进行P阱离子注入；在衬底上依次生长栅氧化层以及多晶硅层；根据多晶硅层制备得到至少一个栅极；在输入/输出N型有源区进行NLDD离子注入，在衬底的低压P型有源区进行PLDD离子注入，NLDD离子注入的离子包括砷离子和磷离子；在栅极的周侧生长隔离侧壁；分别在N型有源区和P型有源区进行SD离子注入后本申请通过在输入/输出N型有源区进行NLDD离子注入时注入的离子为砷离子和磷离子，从而制备得到的半导体器件具有较小的衬底电流，进而提高了半导体器件的HCI可靠性。
半导体器件制备方法