专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种新型三维碳化硅器件结构及制备方法-CN202211459165.6在审
  • 梁红伟;王德煜;马浩然;柳阳;张克雄;张振中;张贺秋;张赫之;夏晓川 - 大连理工大学
  • 2022-11-17 - 2023-03-14 - H01L29/872
  • 本发明属于半导体材料器件制备技术领域,公开了一种新型三维碳化硅器件结构及制备方法,包括高阻碳化硅单晶片、正面刻蚀区、背面刻蚀区、二氧化硅保护层、肖特基接触电极、欧姆接触电极和金引线电极。正面刻蚀区为高阻碳化硅单晶片的上表面需刻蚀掉的区域,肖特基接触电极位于刻蚀后高阻碳化硅单晶片的正表面、正面刻蚀区沟槽内侧壁以及底部表面。背面刻蚀区为高阻碳化硅单晶片的上表面需刻蚀掉的区域,欧姆接触电极位于刻蚀后高阻碳化硅单晶片的背表面、背面刻蚀区沟槽内侧壁以及底部表面。本发明设计了一种新型三维碳化硅器件结构,并提出了一种有效而简便的工艺制造技术,解决了三维碳化硅器件的制备难题,实现新型三维碳化硅器件的研制。
  • 一种新型三维碳化硅器件结构制备方法
  • [发明专利]一种氧化镓/铜镓氧异质结的制备方法-CN201811555045.X有效
  • 梁红伟;夏晓川;张贺秋 - 大连理工大学
  • 2018-12-19 - 2021-04-20 - H01L21/34
  • 本发明属于半导体材料制备技术领域,提供一种氧化镓/铜镓氧异质结的制备方法。该方法是把氧化镓材料进行预处理后,将铜源预沉积或者放置在氧化镓单晶或薄膜的表面上,然后将这种带有铜源的氧化镓放置在高温管内,而后在一定的条件下热处理一定时间,使得铜原子能可控的扩散到氧化镓中,形成相应的铜镓氧合金,进而与未发生铜扩散的氧化镓形成界面特性好的氧化镓/铜镓氧异质结。本发明突出的优势是能够制备出高质量的铜镓氧材料,其所需设备和工艺过程简单,可控性高;可以形成界面理想的氧化镓/铜镓氧异质结,获得理想的结特性;利用本发明所提铜扩散技术可以进行多种类器件集成制造,进而研制出传统生长技术无法制备出的铜镓氧基新型器件。
  • 一种氧化铜镓氧异质结制备方法

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