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[发明专利]一种碳化硅微盘谐振器、制备方法及光通信设备-CN202310878973.4在审
发明人：张加祥;朱一帆;欧欣;伊艾伦;秦源浩 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本申请涉及集成光子学技术领域，尤其涉及一种碳化硅微盘谐振器、制备方法及光通信设备。谐振器包括碳化硅器件层；碳化硅器件层包括微盘谐振腔、波导和至少一个光栅；微盘谐振腔内形成有预设类型的色心；波导包括连接端和至少一个光栅耦合端，连接端与微盘谐振腔的边沿相接，每个光栅耦合端对应连接一个光栅；波导用于将输入光栅的激发光波传输至微盘谐振器，以激发色心发光；波导还用于耦合色心所发出的色心荧光，并将色心荧光传输到光栅；光栅用于接收输入激发光波，以及将色心荧光发射出微盘谐振器。通过在碳化硅器件层中集成微盘谐振腔、波导和光栅，可以直接将预设类型色心发出的光耦合发射出来，实现对碳化硅材料中的自旋缺陷的利用。
一种碳化硅谐振器制备方法光通信设备

[发明专利]一种基于碳化硅的调制器件制备方法及调制器件-CN202310739417.9在审
发明人： 伊艾伦;欧欣;蔡佳辰;王成立 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请涉及信息功能材料技术领域，尤其涉及一种基于碳化硅的调制器件制备方法及调制器件。方法包括：在碳化硅外延基底上制备外延碳化硅薄膜层；对外延碳化硅薄膜层中的预设区域进行重掺杂，并在重掺杂区域中制备调制器件结构；制备第一器件保护层，并将第一支撑衬底与第一器件保护层进行键合；去除碳化硅外延基底；将第二支撑衬底与调制器件结构键合，去除第一支撑衬底和第一器件保护层，得到基于碳化硅的调制器件。通过对外延碳化硅薄膜层中的预设区域进行重掺杂，并在重掺杂区域进行调制器件结构制备，从而可以基于载流子色散的机制，实现碳化硅在集成光系统中的高效、高速光调制。
一种基于碳化硅调制器件制备方法

[发明专利]一种基于碳化硅载流子的光调制器制备方法及光调制器-CN202310736866.8在审
发明人： 伊艾伦;欧欣;蔡佳辰;王成立 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种基于碳化硅载流子的光调制器制备方法及光调制器。通过基于碳化硅衬底进行同质外延得到N型低掺杂碳化硅薄膜层，后续对N型低掺杂碳化硅薄膜层再进行N型不同浓度的掺杂以及P型掺杂，以形成能够实现载流子色散效应的掺杂层，然后通过先与第一支撑衬底键合，以去除碳化硅衬底，再与第二支撑衬底键合，并去除第一支撑衬底，从而得到能够避免光在N型低掺杂碳化硅薄膜层向衬底泄露的高效和高速的光调制器。
一种基于碳化硅载流子调制器制备方法

[发明专利]一种器件的制备方法及结构-CN202310737309.8在审
发明人： 伊艾伦;欧欣;蔡佳辰;王成立 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本申请涉及微电子器件领域，尤其涉及一种器件的制备方法及结构。方法包括：对第一碳化硅衬底进行离子注入，得到第一待键合结构；对第二碳化硅衬底进行修整处理；将第一待键合结构和第二碳化硅衬底进行键合，得到第一键合结构；基于第一键合结构进行碳化硅剥离，得到碳化硅外延基底；在碳化硅外延基底上制备碳化硅外延层，得到第二待键合结构；将第二待键合结构的碳化硅外延层和第三碳化硅衬底基于介质层进行键合，得到第二键合结构；将第二键合结构中的碳化硅外延基底去除，得到复合衬底；在复合衬底的待刻蚀区域制备调制器件结构，得到器件。本申请可以基于载流子色散的机制，实现碳化硅的高效光调制的解决方案。
一种器件制备方法结构

[发明专利]一种基于声光耦合的非互易性波导器件及制备方法和应用-CN202310641466.9在审
发明人：欧欣;蔡佳辰;伊艾伦;王成立 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G02F1/125 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于声光耦合的非互易性波导器件及制备方法和应用，所述波导器件包括：衬底、SiC‑LN异质薄膜、金属叉指结构，其中SiC‑LN异质薄膜设在所述衬底上，金属叉指结构设在所述SiC‑LN异质薄膜上。本发明结合LN、SiC的优异材料性能，利用特殊的晶圆集成方法和易实现的加工工艺获得基于SiC/LN/SiC异质结构的波导耦合结构，其能够局域地限制光波和声表面波，再结合金属叉指结构、光栅耦合器和声波散射结构可实现高场重叠、长耦合距离的声光耦合效应，进而获得满足模式间散射条件的非互易性波导。
一种基于声光耦合非互易性波导器件制备方法应用

[发明专利]一种氮化镓电流孔径垂直型电子器件的制备方法-CN202310686283.9在审
发明人：欧欣;石航宁;游天桂;伊艾伦;覃晴程 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种氮化镓电流孔径垂直型电子器件的制备方法。通过在氮化镓单晶衬底中形成缺陷层，以及在氮化镓单晶衬底的存在预设间隔距离的两个预设区域分别制备一个电流阻挡结构；电流阻挡结构的材料包括介质材料和超宽禁带材料；将氮化镓单晶衬底的顶部与支撑衬底进行键合，并依次进行退火剥离和抛光处理，再依次外延氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层和制备电极层。上述制备方法得到的器件具有能够承受较大的击穿电压，不易发生穿通漏电的特点。
一种氮化电流孔径垂直电子器件制备方法

[发明专利]双极型功率器件及其制备方法-CN202310737343.5在审
发明人： 伊艾伦;欧欣;周民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本申请公开了一种双极型功率器件及其制备方法，该方法通过在高质量的碳化硅单晶衬底上的外延层与其中的剥离层之间制作嵌有掺杂子区的阱区，并与低质量的中间碳化硅衬底进行一次键合；沿剥离层剥离包含碳化硅单晶衬底在内的部分器件结构并对剥离表面进行后处理，暴露经剥离的外延层中的第二面并对其进行导电处理，形成第二器件结构；将具有双面注入层的硅衬底与倒置的第二器件结构进行二次键合；去掉中间碳化硅衬底并激活键合界面，并制备电极层以形成双极型功率器件。从而在克服硅基制备碳化硅材料困难的基础上，降低碳化硅单片成本，提供了一种用于低成本制备高耐压的双极型功率器件器件的解决方案。
双极型功率器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件的制备方法及半导体器件-CN202310736843.7在审
发明人： 伊艾伦;欧欣;周民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，该方法通过在第一碳化硅衬底上同质外延一外延层；在外延层中形成的外延缺陷层制作掺杂阱区，并与第二碳化硅衬底进行键合；第一碳化硅衬底的衬底质量高于第二碳化硅衬底的衬底质量；沿外延缺陷层剥离包含第一碳化硅衬底在内的部分器件结构并对剥离表面进行后处理，暴露经剥离的外延层中的第二面；并将经导电处理后的第二面与硅衬底进行键合；去除第二碳化硅衬底，并激活键合界面以及制备栅氧层及金属层，形成半导体器件。从而解决了在硅衬底上外延碳化硅的难题，并且能充分发挥碳化硅材料自身的优异性能，提高半导体器件的性能，同时降低了对高质量碳化硅材料的依赖和器件成本。
半导体器件制备方法

[发明专利]一种自干涉光学微谐振腔及其调控方法-CN202310610948.8在审
发明人：欧欣;周李平;伊艾伦;王成立;杨秉承 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本发明涉及一种自干涉光学微谐振腔及其调控方法，其中，自干涉光学微谐振腔包括，微腔结构，由首尾相连的波导构成；总线波导，与所述微腔结构耦合2n+1次构成2n+1个耦合器，相邻两个耦合器在所述微腔结构所在波导上的光程与相邻两个耦合器在所述总线波导上的光程不同。本发明能够在不改变光学微谐振腔的绝对谐振频率情况下调控光学微谐振腔的谐振透射率。
一种干涉光学谐振腔及其调控方法

[发明专利]一种微环型声光调制器及制备方法-CN202310641469.2在审
发明人：欧欣;蔡佳辰;伊艾伦;王成立 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G02F1/365 文献下载
摘要：本发明涉及一种微环型声光调制器及制备方法，所述调制器包括：衬底、异质集成薄膜，其中异质集成薄膜包括键合的SiC薄膜与LN压电薄膜；所述异质集成薄膜与衬底键合；所述声光调制器还设有光波导结构和声学组件。本发明利用两种便利的绝缘体上薄膜制备工艺使LN和SiC二者的优良特性相结合，将高质量SiC薄膜、LN薄膜转移到绝缘衬底上，极大地优化了多层薄膜结构的集成难度，同时在SiC/LN/绝缘层结构上得到可适配光学微环谐振腔的弯曲对称叉指电极结构。所述设计可以有效地兼容传统加工工艺，实现单一、高效的声光耦合调制，预计可为实现片上光频梳、光孤子等非线性效应的多维调控提供新的解决途径。
一种微环型声光调制器制备方法

[发明专利]一种硅基氮化镓HEMT器件及其制备方法-CN202310736872.3在审
发明人： 伊艾伦;欧欣;周民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本公开涉及一种硅基氮化镓HEMT器件及其制备方法，该方法包括：对N型导电碳化硅衬底进行离子注入；对离子注入后的N型导电碳化硅衬底的表面进行绝缘处理，得到绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底；获取硅衬底；将硅衬底与绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底进行键合，对键合后的复合衬底进行剥离处理，得到复合硅基衬底；对复合硅基衬底的表面进行绝缘处理，得到绝缘处理后的复合硅基衬底；于绝缘处理后的复合硅基衬底的表面外延氮化镓薄膜；于氮化镓薄膜的表面制备HEMT器件层，得到硅基氮化镓HEMT器件。本公开的硅基氮化镓HEMT器件制备方法，不仅可以降低制备成本，还可以扩大硅基氮化镓HEMT器件的尺寸。
一种氮化 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种异质集成体及其制备方法-CN202310684473.7在审
发明人：欧欣;徐文慧;伊艾伦;游天桂;瞿振宇 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种异质集成体及其制备方法，该方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括第一面，第二晶圆包括第二面；对第一面和第二面进行激活处理，分别得到第一激活面和第二激活面；向第一激活面和第二激活面提供水蒸气或含有羟基的气态物质，以在第一激活面上形成亲水性基团，在第二激活面上形成亲水性基团；对第一晶圆与第二晶圆进行脱水键合处理，得到异质集成体，本发明能够显著减少异质材料界面的缺陷，形成高质量的异质界面，进而可提高利用上述异质集成体制备的异质集成器件的性能。
一种集成及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓高电子迁移率晶体管的制备方法-CN202310678551.2在审
发明人：欧欣;石航宁;游天桂;伊艾伦;刘旭冬 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种氮化镓高电子迁移率晶体管的制备方法。该制备方法包括先对氮化镓单晶衬底的顶面进行氧化处理，以形成氧化镓层，并通过离子注入，以及剥离转移、抛光工艺得到抛光后结构，在抛光后结构的氮化镓层上依次生长氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层，得到第一结构；在第一结构的顶面制备源电极、漏电极和栅电极。上述制备方法得到的氮化镓高电子迁移率晶体管具有器件的击穿电压高、防漏电性能好和散热能力强的特点。
一种氮化电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]一种碳化硅场效应管的制备方法-CN202310733282.5在审
发明人： 伊艾伦;欧欣;周民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅场效应管的制备方法，所述方法包括提供第一碳化硅衬底，在第一碳化硅衬底上外延碳化硅外延层；将轻离子注入碳化硅外延层，轻离子在碳化硅外延层内形成离子集聚区域，使得碳化硅外延层依次形成碳化硅薄膜层、离子集聚区和碳化硅键合层；提供第二碳化硅衬底，对第二碳化硅衬底与碳化硅键合层相互接触的表面进行导电处理；将第二碳化硅衬底与碳化硅键合层进行晶圆键合；将碳化硅键合层与离子集聚区域剥离，得到第一碳化硅衬底、碳化硅薄膜层和离子集聚区域形成的第一衬底结构以及第二碳化硅衬底与碳化硅键合层形成的第二衬底结构，并对第一衬底结构进行回收处理；基于第二衬底结构进行场效应管的制备，得到碳化硅场效应管。
一种碳化硅场效应制备方法

[发明专利]一种晶圆键合方法、结构及半导体器件-CN202310588832.9在审
发明人：欧欣;石航宁;丁佳欣;游天桂;伊艾伦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本申请涉及芯片领域，本申请公开了一种晶圆键合方法、结构及半导体器件，该方法包括：提供第一晶圆及第二晶圆，其中，第一晶圆具有第一键合面，第二晶圆具有第二键合面；在第一晶圆的第一键合面上刻蚀，得到第一凹凸结构；第一凹凸结构包含第一凸起和第一凹槽；在第二晶圆的第二键合面上刻蚀，得到第二凹凸结构；第二凹凸结构包含第二凸起和第二凹槽；基于第一凹凸结构和第二凹凸结构，将第一晶圆和第二晶圆对准后键合，其中，第一凸起对准第二凹槽，第一凹槽对准第二凸起。通过第一凹凸结构和第二凹凸结构之间凹凸对准且键合，能够降低晶圆键合强度对退火温度的依赖、提高键合强度和稳定性。
一种晶圆键合方法结构半导体器件

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