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[发明专利]一种固相合成碳化硅的混料方法及合成方法-CN202311183495.1在审
发明人： 周元辉;陈建明;刘春艳 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2023-09-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B01F23/60 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅晶体生长的衍生技术领域，具体涉及固相合成碳化硅的混料方法及合成方法。混料方法包括：将碳粉和硅粉分别分为预设份数，将每份碳粉和每份硅粉交替铺设至混料容器中，使碳粉和硅粉进行混合处理，得到碳粉、硅粉和磨料的混合料，从混合料中分离出磨料，得到碳粉和硅粉均匀混合后的用于固相合成碳化硅的原料；混合处理过程：依次进行第一混合和第二混合，控制电机进行正转和反转的交替循环运转；磨料为硬质材料切割块，硬质材料切割块包括，体积为0.9cm3~1.1cm3的第一硬质材料切割块和体积为0.45cm3~0.65cm3的第二硬质材料切割块。本发明的方法能够使碳粉和硅粉充分混合，提高固相合成的出料率。
一种相合碳化硅方法合成

[发明专利]电阻法生长碳化硅晶体质量的控制方法、装置及生长方法-CN202311168074.1在审
发明人：赵文超;陈建明;刘春艳;周元辉;杨洪雨;范子龙 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2023-09-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅晶体生长的技术领域，具体涉及电阻法生长碳化硅晶体质量的控制方法、装置及生长方法。控制方法包括实时获取坩埚外腔的泄漏气体的碳元素和硅元素的物质的量比值，根据所述物质的量比值，控制坩埚的位置；物质的量比值小于预设的k1×P时，保持坩埚的位置；物质的量比值在预设的k1×P和预设的P之间时，使坩埚进行第一上移至物质的量比值小于预设的k1×P；物质的量比值在预设的P和预设的k2×P之间时，使坩埚进行第二上移至物质的量比值小于预设的P，使坩埚进行第三上移至物质的量比值小于预设的k1×P。采用本发明的控制方法，能提高原料转化率和生长得到的晶体的质量。
电阻生长碳化硅晶体质量控制方法装置

[发明专利]一种碳化硅单晶生长的原料提纯方法和原料-CN202310967739.9有效
发明人： 周元辉;陈建明;刘春艳 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅晶体生长的衍生技术领域，具体涉及一种碳化硅单晶生长的原料提纯方法和原料，原料提纯方法包括使原料进行筛分后获得筛分的原料和游离态碳粉，使筛分的原料进行氧化煅烧后获得提纯原料；氧化煅烧的条件包括：炉管具有相对设置的进气端和抽气端，布料过程中，从进气端到抽气端，设置预设数个料段，每个料段的铺设表面积相等，每个料段具有筛分的原料层，每个料段的筛分的原料层的厚度逐渐减小，料段至少包括靠近进气端的第一料段，第一料段的筛分的原料层的上方设置有碳层。本发明的方法能够显著降低原料的碳含量，提高除碳率，抑制过度氧化形成二氧化硅，提高原料的纯度。
一种碳化硅生长原料提纯方法

[发明专利]一种提高固相合成碳化硅出料率的合成方法-CN202310905728.8有效
发明人： 周元辉;陈建明;刘春艳 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅晶体生长的衍生技术领域，具体涉及一种提高固相合成碳化硅出料率的合成方法，包括使碳化硅产物块体进行破碎、筛分、清洗和干燥后获得碳化硅粉末，所述碳化硅产物块体为固相合成获得的碳化硅产物块体，所述碳化硅粉末的粒度为20目~80目；使碳粉、硅粉和所述碳化硅粉末均匀混合后得到用于所述固相合成的原料，所述原料中，所述碳化硅粉末的质量与碳粉和硅粉的质量之和的比值为0.04~0.2；将所述原料铺设至所述固相合成所用的坩埚内，将所述坩埚放入合成炉中，进行固相合成碳化硅。本发明的方法能够提高碳化硅固相合成出料率。
一种提高相合碳化硅出料率合成方法

[发明专利]一种车辆悬挂用抗侧滚减振液压互联系统-CN202310402352.9有效
发明人：吴忠发;廖学官;王三槐;周元辉;黄兴 -专利权人：湖南联诚轨道装备有限公司;株洲联诚集团减振器有限责任公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B61F5/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种车辆悬挂用抗侧滚减振液压互联系统，包括：液压模块，作为抗侧滚减振液压互联系统执行元件，包括安装在车体上的前左液压缸、前右液压缸、后左液压缸和后右液压缸；阻尼模块，用于产生阻尼力，衰减转向架与车体之间的高低频运动，所述阻尼模块包括结构相同的前阻尼模块和后阻尼模块；蓄能模块，作为车辆侧滚运动能量吸收和车辆恢复平衡能量提供的蓄能单元，包括蓄能器一和蓄能器二；安全模块，用于调节液压油路最大压力和系统紧急安全爆破；本发明车辆行驶过程中发生点头振动、沉浮振动等高低频振动时，液压缸油腔之间油路流动，通过阻尼模块产生阻尼力，衰减转向架与车体的高低频运动。
一种车辆悬挂用抗侧滚减振液压联系

[发明专利]一种碳化硅籽晶粘结固定用加热装置和加热方法-CN202310658582.1有效
发明人：范子龙;刘春艳;周元辉;李晋;陈建明;杨洪雨;赵文超 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅籽晶粘结固定技术领域，具体涉及一种碳化硅籽晶粘结固定用加热装置和加热方法，包括同心定位工装，同心定位工装还包括：金属压块，其位于碳化硅籽晶的远离石墨盖板的一侧，且其侧面与所述金属固定环套接固定；定位压块，其位于所述金属压块与碳化硅籽晶之间，其下表面的中心处设置有向下的弧形凸起；定位部，其设置在所述定位压块的侧面且沿定位压块的圆周方向排布，并沿定位压块侧面向碳化硅籽晶方向延伸至接触石墨盖板顶面的侧面，定位压块、定位部、石墨盖板之间形成爪子型定位槽以容纳碳化硅籽晶；紧固件。本发明在保持碳化硅籽晶和石墨盖板的同心度的同时，既能充分排气又保证了定位压块不变形。
一种碳化硅籽晶粘结固定加热装置方法

[发明专利]一种固相合成碳化硅的装料方法及合成方法-CN202310883756.4有效
发明人： 周元辉;陈建明;刘春艳 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B28/02 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅单晶生产技术领域，具体涉及一种固相合成碳化硅的装料方法及合成方法。装料方法包括：向固相合成所用的坩埚的底部铺设碳化硅多晶块层，所述碳化硅多晶块层的硅的物质的量与碳的物质的量的比值大于1；向所述碳化硅多晶块层的上方铺设碳硅粉末均匀混合的第一混合料层，所述第一混合料层的碳与硅的物质的量之比为1:1~1.05；向所述第一混合料层的上方铺设碳硅粉末均匀混合的第二混合料层，所述第二混合料层的碳与硅的物质的量之比为1:0.85~0.95。本发明的方法能够提高固相合成制备的碳化硅的有效利用率，提高符合升华法要求的碳化硅原料的产率。
一种相合碳化硅装料方法合成

[发明专利]一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法-CN202310651590.3有效
发明人：陈建明;周元辉;赵文超;耿安东;杨洪雨 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法，生长装置包括坩埚部和加热部：坩埚部包括自上而下同轴设置的第一坩埚部和第二坩埚部，第一坩埚部的顶部的中间设置有籽晶容纳部，第二坩埚部具有空腔，空腔为原料容纳部，第一坩埚部的外径小于第二坩埚部的外径，第二坩埚部的底部中间设置有向第一坩埚部凹陷的凹槽；加热部包括第一加热部、第二加热部和第三加热部；第一加热部周向设置于凹槽内，第二加热部周向设置于第二坩埚部的外侧，第三加热部周向设置于第一坩埚部的外侧，第三加热部的内径小于第二坩埚部的外径。本发明的生长装置能够减少碳化硅单晶中的包裹体、位错密度、微管等缺陷，提高晶体内部质量。
一种碳化硅生长装置方法

[发明专利]多片碳化硅籽晶涂层同时处理的装置和方法-CN202310806850.X有效
发明人：杨洪雨;刘春艳;周元辉;陈建明;范子龙;赵文超 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种多片碳化硅籽晶涂层同时处理的装置和方法，该装置包括加热机构和籽晶放置机构，加热机构设置有容纳腔；籽晶放置机构可拆卸地放置于容纳腔内；其中，籽晶放置机构包括多个籽晶盒，多个籽晶盒可拆卸地依次重叠放置；籽晶盒包括底盘、垫环和支撑架，垫环设置于底盘的上表面，且环绕底盘的周向延伸，垫环的内周壁与底盘的上表面之间形成容纳空间，垫环用于放置晶片；支撑架与底盘连接，且位于容纳空间内，支撑架用于支撑晶片，且支撑架将容纳空间划分出充气腔。本发明的装置能够用于处理碳化硅籽晶涂层，且能够提高涂层的附着质量和强度，减少裂片的产生。
碳化硅籽晶涂层同时处理装置方法

[发明专利]电阻法碳化硅生长炉内部温场调节方法、系统及生长方法-CN202310890304.9有效
发明人：赵文超;陈建明;刘春艳;周元辉;杨洪雨;范子龙 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅晶体生长的衍生技术领域，具体涉及电阻法碳化硅生长炉内部温场的实时调节方法、调节系统和生长方法。实时调节方法包括实时获取碳化硅生长炉中的碳化硅原料的泄漏量，根据所述碳化硅原料的泄漏量和第一预设关系，获取电阻法生长的碳化硅晶体块的厚度，所述碳化硅原料的泄漏量为所述生长炉内坩埚内部物料的重量减小量；根据所述碳化硅晶体块的厚度和第二预设关系，获取所述生长炉内坩埚上移后的高度，根据所述坩埚上移后的高度，使坩埚的位置上移。本发明的方法，能够实时有效控制碳化硅生长界面相对石墨发热体的位置，减少晶体缺陷的形成，提高晶体质量。
电阻碳化硅生长内部调节方法系统

[发明专利]一种油压减振器阻尼活塞调试系统-CN201811625381.7有效
发明人： 周元辉;钱垂军;冯雨萌;凌平 -专利权人：湖南联诚轨道装备有限公司;株洲联诚集团减振器有限责任公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： F15B19/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种油压减振器阻尼活塞调试系统。包括液压缸和阻尼活塞调试工装；液压缸与阻尼活塞调试工装通过换向阀一和换向阀二连接。阻尼活塞调试工装包括密封盖一、密封盖二和调节装置；阻尼活塞夹紧在密封盖一和密封盖二之间；调节装置包括至少一个调节单件，调节单件设置在密封盖一或密封盖二上，与阻尼活塞上的调节阀一一对应，用以调节调节阀的流量。本发明中，使用液压缸作为系统的压力源，通过拉伸或压缩液压缸的活塞杆为阻尼活塞调试工装双向提供压力油，可以对阻尼活塞上反向设置的多个调节阀进行调节，模拟了阻尼活塞的实际使用环境。采用二位三通液控阀，实现了系统的自动换向；设计了梭阀和安全阀，保障了系统的安全性。
一种油压减振器阻尼活塞调试系统

[实用新型]鼓形销式联轴器-CN202321289176.4有效
发明人：王三槐;周元辉;伍国富;吴忠发;廖学官;黄兴;蒋怡国 -专利权人：株洲联诚集团减振器有限责任公司;湖南联诚轨道装备有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： F16D3/18 文献下载
摘要：鼓形销式联轴器，包括两个形成滑动花键联接副的球孔型外筒、球面配合伸入至球孔型外筒中的球头型轴套和呈腰鼓形状的鼓形销，其特征在于：球孔型外筒与球头型轴套之间形成沿轴向的圆柱腔，鼓形销插入至圆柱腔中与圆柱腔腔壁相切，并被轴向定位在球头型轴套上，鼓形销随球头型轴套在球孔型外筒中沿球面的摆动而摆动。本实用新型具有径向、角向、轴向的位置补偿功能，工况适应性强，传动可靠性高，不会对球孔型外筒和球头型轴套形成撞击，联轴器的运行稳定性高，内部结构振动小，磨损率低，使用寿命长，鼓形销可进行单个更换，无需整体更换，维护保养成本低，经济实用。
鼓形销式联轴器

[实用新型]轨道车辆自动翻转座椅-CN202320679619.4有效
发明人：王三槐;周元辉;吴忠发;廖学官;黄兴;陈湘 -专利权人：株洲联诚集团减振器有限责任公司;湖南联诚轨道装备有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B61D33/00 文献下载
摘要：轨道车辆自动翻转座椅，其特征在于：包括座椅靠背、与座椅靠背下端铰接的座板和装在座椅靠背中且带动座板翻转的电动推杆，电动推杆与座板铰接，座板随电动推杆的向下伸长而向上收起，随电动推杆的向上回缩而向下展开。本实用新型在电动推杆停止运行后利用电动推杆内部的丝杆与螺母稳定且可靠的自锁功能，实现座板收起和展开状态的自锁，省去座板的自锁闭结构，简化座椅靠背的内部结构，减小座椅靠背的空间体积和在车箱中的空间占用率，以增大车箱中的活动空间，在简化结构的同时保证座板翻转的可靠性。
轨道车辆自动翻转座椅

[发明专利]飞行指引符号图像识别方法-CN202310514683.1在审
发明人：张福凯;董力;孙大伟;范博书;张茂帝;宋广键;李立;姜星伟;陈稀亮;周卓;周元辉;朱寅君;刘经华;林谢贵;陈龙;杨亮;覃彤 -专利权人：中国航空无线电电子研究所
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G06V10/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种飞行指引符号图像识别方法，在显示画面中通过二值化处理和加权特征处理以及特征模板搜索具备特定颜色和形状特征的飞行路径矢量FPV符号和飞行路径指引FPD符号，并基于识别的符号进行反向计算，得到符号对应的参数值，用于对该参数的监控处理。该飞行指引符号图像识别方法可实现座舱显示单元飞行指引符号高完整性监控，保证该符号在数据处理和图像生成过程中的数据完整性。
飞行指引符号图像识别方法

[发明专利]一种碳化硅单晶的退火装置和退火方法-CN202310980904.4在审
发明人：谢红杰;刘春艳;周元辉;范子龙;杨洪雨;赵文超 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2023-08-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅晶体生长的衍生技术领域，具体涉及碳化硅单晶的退火装置和退火方法。退火装置包括：多孔碳材料的晶体盒，晶体盒包括第一底板、第一环形侧板和晶体盒上盖，第一底板和第一环形侧板围绕构成晶体盒腔体，晶体盒腔体为碳化硅单晶容纳部，第一环形侧板的轴向中部位置沿周向均匀设置有开孔；多孔碳材料的退火盒，退火盒包括第二底板、第二环形侧板和退火盒上盖，第二底板和第二环形侧板围绕构成退火盒腔体，退火盒腔体包括晶体盒容纳腔体和碳化硅粉料容纳腔体，碳化硅粉料容纳腔体包裹于所述晶体盒容纳腔体的四周。本发明的退火装置，在退火过程中，能够有效抑制碳化硅晶体升华，降低碳化硅晶体位错密度，提高晶体质量。
一种碳化硅退火装置方法

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