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[发明专利]一种基于异质叠层非晶薄膜供给的平面锗硅及相关纳米线生长形貌和组分调控的方法-CN201710653561.5有效
发明人：余林蔚;赵耀龙;王军转 -专利权人：南京大学
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：一种利用叠层非晶前驱体层制备异质或合金半导体纳米线的方法，以硅锗体系为例，通过非晶硅(a‑Si)/非晶锗(a‑Ge)叠层薄膜作为前驱体，制备出自发相分离的硅锗岛链纳米线结构，采用叠层非晶薄膜作为前驱体层，通过金属液滴的吸收和平面纳米线生长过程，实现自发相分离的平面硅锗纳米线，其形貌可通过叠层的厚度以及叠加次序加以控制，调控为硅锗岛链结构；其中，当非晶锗层处于底部即a‑Si/a‑Ge结构时，硅锗纳米线中较宽的岛区为锗高浓度区域，而较细的纳米线连接为硅高浓度区域；或通过相反的叠加次序实现直径较为均匀的硅锗合金纳米线结构，或者其中包涵微区间隔的“硅‑锗”交替区域结构。
一种基于异质叠层非晶薄膜供给平面相关纳米生长形貌组分调控方法

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202111454488.1在审
发明人：孔真真;王桂磊;亨利·H·阿达姆松;杜勇;苗渊浩;苏佳乐 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括基底，基底上方形成有组分渐变的硅锗虚拟衬底层，硅锗虚拟衬底层上方形成有第一硅锗限制层，第一硅锗限制层上形成有硅量子阱层，硅量子阱层上形成有第二硅锗限制层，第二硅锗限制层上形成有帽层。通过在形成组分渐变的硅锗虚拟衬底层的过程中，调节组分渐变的硅锗过度程度和生长温度，能够调控应变大小，实现通过硅锗虚拟衬底层的优化，有效减少穿透位错的向上延伸，形成可限制载流子的结构；再在硅锗虚拟衬底层上方依次形成第一硅锗限制层、硅量子阱层和第二硅锗限制层，使最终形成的半导体结构为包含高迁移率二维电子气的异质结结构，能够在硅量子阱层中制备出更多数量的量子位元。
一种半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种锗硅异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN201110279693.9有效
发明人：卞剑涛;薛忠营;狄增峰;张苗 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种锗硅异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法，在SiGe或Ge区制作器件的源区，Si区制作器件的漏区，获得高ON电流的同时保证了低OFF电流，采用局部锗氧化浓缩技术实现局部高锗组份的SGOI或GOI，在局部高锗组份的SGOI或GOI中，锗组份从50%~100%可控，并且，薄膜厚度可控制在5~20nm，易于器件工艺实现。SiGe或Ge与Si在氧化浓缩过程中，它们之间形成了一个锗组份渐变的锗硅异质结结构，消除缺陷的产生。本发明的制备方法工艺简单，与CMOS工艺兼容，适用于大规模的工业生产。
一种锗硅异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]单晶锗锰磁性半导体/锗磁性异质结二极管及其制备方法-CN200910017191.1无效
发明人：颜世申;田玉峰;邓江峡;陈延学;刘国磊;梅良模 -专利权人：山东大学
申请日： 2009-08-06 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： H01L29/96 文献下载
摘要：单晶锗锰铁磁半导体/锗磁性异质结二极管及其制备方法，属于信息技术自旋电子器件技术领域。异质结二极管的p型层为单晶Ge_1-xMn_x铁磁半导体，锰的摩尔百分比含量x为：0＜x＜15％；Ge层为商业的本征的单晶半导体Ge或微量Sb掺杂的n型单晶半导体其室温下的整流特性可用磁场调控，磁电阻在Ge_1-xMn_x居里温度附近有极值，显示其输运与Ge_1-xMn_x磁性半导体密切相关，其制备工艺与硅半导体制备工艺相匹配利用分子束外延在单晶锗衬底上通过共蒸发的方式外延生长锗锰磁性半导体制备单晶锗锰铁磁半导体/锗磁性异质结二极管。且本发明方法制备的单晶锗锰铁磁半导体/锗磁性异质结二极管可以与现代半导体硅工艺很好的匹配，因此在自旋电子器件方面具有良好的应用前景。
单晶锗锰磁性半导体异质结二极管及其制备方法

[发明专利]一种硅基异质结构材料及其制备和应用-CN202210343681.6在审
发明人：刘贵龙;赵运霞;李甜甜;郭东磊;毋乃腾;刘献明 -专利权人：洛阳师范学院
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基异质结构材料及其制备和应用，将纳米硅和锗源分散于碳源中得到悬浊液，悬浊液先经过干燥、水热或纺丝处理，再通过焙烧将覆盖在硅锗材料表面的碳源碳化，即得到含有Si、GeOx(0≤x≤2)和碳的硅基异质结构材料。该材料中的Si与GeOx形成的异质结构，可促进电荷传输，提高材料的充放电稳定性，改善硅在充放电过程中的体积变化；材料中的碳有助于提升材料的导电性，并为硅和GeO
一种硅基异质结构材料及其制备应用

[发明专利]低噪声的锗硅异质结双极晶体管制作方法-CN201110240916.0有效
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-08-22 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种低噪声的锗硅异质结双极晶体管制作方法，包括以下步骤：步骤一、锗硅异质结双极晶体管的发射极采用多晶硅层，对发射极作掺杂后进行快速热退火，对杂质进行扩散再分布；步骤二、对多晶硅发射极作中高剂量的大原子杂质的预非晶化离子注入，并快速退火，实现非晶化的发射极再结晶，生成单晶层，使得发射区/基区结由单晶硅/单晶锗硅构成；步骤三、预非晶化离子注入后需立即进行快速热退火，对非晶化的发射极作再结晶处理。本发明可以减小由于多晶硅发射极所引起的噪声，改善器件的噪声特性。
噪声锗硅异质结双极晶体管制作方法

[发明专利]基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法-CN201210458192.1有效
发明人：罗杰馨;陈静;伍青青;柴展;余涛;吕凯;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明提供一种基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法。该基于SOI的锗硅异质结双极晶体管，其包括背衬底、位于背衬底上的埋氧化层以及形成于该埋氧化层上的有源区和隔离区；所述有源区一端形成有集电极，其余部分形成集电区，所述集电区与所述隔离区上形成有基区，所述基区上形成有发射极和基极，所述发射极和基极分别被侧墙氧化层包围；所述集电区包括掺杂硅膜以及位于所述掺杂硅膜下部的重掺杂第一多晶硅层。本发明的基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法利用高剂量的Si离子注入，在SOI的顶层硅膜与埋氧层交界的地方形成多晶硅，多晶硅层降低了集电极电阻，从而有效提高了基于SOI的SiGeHBT器件的截止频率
基于 soi 锗硅异质结双极晶体管及其制作方法

[发明专利]一种异质结电势控制绝缘栅双极型晶体管-CN201711481000.8有效
发明人：陈文锁;廖瑞金;李晓玲;蒋玉宇 -专利权人：重庆大学
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电势控制绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括SOI衬底、漂移区、阳极区、阴极区和栅极区；所述SOI衬底包括衬底层、介质层和顶层硅；所述衬底层为P型或者N型掺杂的硅材料；所述介质层覆盖于衬底层之上，所述介质层为二氧化硅材料；所述顶层硅覆盖于介质层之上，所述顶层硅为P型或者N型掺杂的硅材料；一种异质结电势控制绝缘栅双极晶体管的导电功能区在顶层硅中形成；所述漂移区贴附于介质层的上方，所述漂移区由N基区构成；所述阳极区和阴极区分别位于N基区的两侧；所述阳极区包括硅/锗硅异质结。所述阳极区还包括电势控制结构；所述阴极区包括硅/锗硅异质结；所述栅极区贴附于阴极区上方。
一种异质结电势控制绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]锗硅异质结双极晶体管及制造方法-CN201110353252.9有效
发明人：陈帆;薛恺;陈雄斌;周正良;潘嘉;李昊;周克然;陈曦;蔡莹 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-09 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，基区由硅缓冲层、锗硅层和硅帽层三层结构组成。锗硅层能在基区内形成一电子的加速电场，能提高器件频率响应。硅帽层能优化发射结的位置，降低基区复合电流，提高器件的线性度及BVCEO。集电极通过赝埋层和深孔接触从浅槽隔离中引出，能降低集电极电阻，提高器件频率响应。发射区和基区接触位置处形成有一层硅氧化层，能够提高发射结势垒高度，提高发射结注入效率。本发明还公开了一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法。
锗硅异质结双极晶体管制造方法

[发明专利]锗和III-V混合共平面的半导体结构及其制备方法-CN201110126394.1有效
发明人：狄增峰;卞剑涛;张苗;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了一种锗和Ⅲ-V混合共平面的半导体结构及其制备方法。锗和Ⅲ-V族半导体材料共平面异质集成的半导体结构包含至少一个形成在体硅衬底上的锗衬底，而另一衬底是被形成在锗半导体上的Ⅲ-V族半导体材料。的制备方法包括：制备体硅衬底上的锗半导体层；在锗半导体层上制备Ⅲ-V族半导体材料层；进行第一次光刻，将图形化窗口刻蚀至锗层以形成凹槽；在所述凹槽中制备侧墙；采用选择性外延制备锗薄膜；进行化学机械研磨以获得锗和Ⅲ-V族半导体材料共平面的异质集成半导体结构；去除侧墙及紧靠侧墙处的缺陷锗层部分；实现锗和Ⅲ-V族半导体材料之间的隔离；通过形成MOS结构来制备包含锗沟道PMOS和Ⅲ-V沟道NMOS的高性能CMOS器件
iii 混合平面半导体结构及其制备方法

[实用新型]基于晶圆键合技术的集成锗光电探测器-CN201921034835.3有效
发明人：汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于晶圆键合技术的集成锗光电探测器，包括：硅波导层，所述硅波导层中形成有锗光电探测器的下接触层；介质层，位于所述硅波导层上，所述硅波导层中具有锗光电探测器集成窗口，该集成窗口显露所述下接触层；单晶材料层，填充于所述集成窗口中，所述单晶材料层为单晶硅层或单晶锗材料层；锗吸收区，键合于所述单晶材料层；上接触层，形成于所述锗吸收区上部；下电极，形成于所述下接触层上；上电极，形成所述上接触层上。本实用新型通过将具有单晶结构的锗材料衬底与硅直接键合方式集成，可以获得质量更高的锗材料以及锗/硅异质结构，有利于锗光电探测器暗电流等特性的优化。
基于晶圆键合技术集成光电探测器

[发明专利]在衬底上沉积硅锗层的方法-CN202180053549.5在审
发明人： L·贝克尔;P·施托克 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种在衬底(1)上异质外延沉积硅锗层(3)的方法，包括：在衬底(1)的顶部设置掩模层(4)；去除所述掩模层(4)的外侧部分，以提供到达所述衬底的环形自由表面(6)的通路，其中所述环形自由表面(6)位于所述衬底的边缘区域中并围绕所述掩模层(4)的剩余部分(5)；在所述衬底的环形自由表面(6)的顶部沉积圆筒形硅锗层(2)；去除所述掩模层的剩余部分；以及在所述衬底(1)的顶部和所述圆筒形硅锗层(2)的顶部沉积所述硅锗层(3)，所述硅锗层(3)接触所述圆筒形硅锗层(2)的内侧表面。
衬底沉积硅锗层方法

[发明专利]用于没有锗层接触的硅上锗光电探测器的方法和系统-CN201510864620.4有效
发明人：卡姆-扬·霍恩;詹洛伦佐·马西尼;苏巴尔·萨尼 -专利权人：卢克斯特拉有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：公开了用于没有锗层接触的硅上锗光电探测器的方法和系统，并且在具有光电探测器的半导体晶片内，其中，所述光电探测器包括n型硅层、锗层、p型硅层、以及在所述n型硅层和所述p型硅层的每个上的金属接触，可以包括：接收光信号；在所述锗层中吸收光信号；从吸收的光信号生成电信号；以及经由所述n型硅层和所述p型硅层将电信号传送出所述光电探测器。所述光电探测器可以包括水平或垂直结双异质结构，其中，所述锗层位于n型硅层和p型硅层之上。本征掺杂的硅层可以位于在n型硅层和p型硅层之间的锗层之下。锗层的顶部部分可以被p掺杂。
用于没有接触硅上锗光电探测器方法系统

[发明专利]基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管-CN200810070524.2无效
发明人：张永;李成;陈松岩;赖虹凯;康俊勇 -专利权人：厦门大学
申请日： 2008-01-23 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，涉及一种异质结光晶体管。提供一种可极大地增加吸收区SiGe层的锗组分和SiGe层厚度，响应度高，响应波长范围宽，可对各区的Ge组分和厚度自由调节，设计灵活性强，主要用于近红外波段入射光探测的基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管。设有硅基硅锗虚衬底，在虚衬底上依次设有集电区、吸收区、基区和发射区，集电区为Si_1－yGe_y层，吸收区为Si_1－zGe_z
基于衬底硅锗异质结光晶体管

[发明专利]集电极耦合功率异质结双极晶体管单元-CN200610116090.6无效
发明人：马平西;马可·瑞可那里;李伟 -专利权人：捷智半导体研发（上海）有限公司
申请日： 2006-09-15 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种涉及集电极耦合功率异质结双极晶体管单元，尤指一种主要用于无线通讯领域中，要求能够提高锗硅对功放应用的截止频率和击穿电压的异质结双极晶体管单元。该装置由发射极、基极和集电极组成的晶体管、电源、互补金属－氧化物－半导体及集成电路等，由两个独立的相邻的成对发射极和一对基极和一对集电极构成一异质结双极晶体管，其间设有一优化的尺寸S；主要解决如何提高锗硅对功放应用的截止频率和击穿电压等有关技术问题本发明的优点是：异质结双极晶体管在窄发射极下展示了比宽发射极高的截止频率，能够有效地提高异质结双极晶体管的截止频率和击穿电压；并且这种单元与主流的锗硅双极CMOS工艺是相兼容的。
集电极耦合功率异质结双极晶体管单元