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[发明专利]电容性光学调制器-CN202010690531.3在审
发明人： F·伯夫;C·巴雷拉 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：一种电容性电光调制器，包括硅层、覆盖硅层的锗条带或硅锗条带以及覆盖锗条带或硅锗条带的硅条带。硅条带比锗条带或硅锗条带宽。绝缘体在横向上与锗条带或硅锗条带和硅条带相邻，并且具有与硅条带的上表面齐平的上表面。绝缘层覆盖绝缘体和硅条带。III‑V族材料的层覆盖绝缘层。III‑V族材料的层形成为第三条带，该第三条带面对硅条带布置并且通过绝缘层的一部分与硅条带分离。
电容光学调制器

[发明专利]用于控制硅锗缓冲层中的位错位置的方法-CN200580051133.0有效
发明人：谢亚宏;尹泰植 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2005-07-25 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种用于控制位于衬底上的硅锗缓冲层中的位错位置的方法，包括将应变硅锗层沉积在衬底上以及用位错诱导剂照射该硅锗层的一个或多个区域。位错诱导剂可包括离子、电子、或其它辐射源。硅锗层中的位错位于一个或多个区域。然后可用退火工艺处理该衬底和应变硅锗层以将该应变硅锗层转变成弛豫状态。可将应变硅或硅锗顶层沉积在该弛豫硅锗层上。然后基于半导体的器件可在应变硅或硅锗层的未受损区域中制造。穿透位错被限制在可转化成SiO₂隔离区域的受损区内。
用于控制缓冲中的错位方法

[发明专利]自对准锗硅异质结双极型三极管及其制作方法-CN201110231124.7有效
发明人：周正良;李昊 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-08-12 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准锗硅异质结双极型三极管，包括：一集电区，包括形成于P型硅衬底上的N型埋层、形成于N型埋层上且被浅槽隔离的N型外延、位于N型埋层上并和所述N型外延形成连接的第一离子注入区和位于浅槽之间的N型外延中的第二离子注入区；所述N型埋层的掺杂浓度大于所述N型外延的掺杂浓度；一基区，由形成于N型外延上的重掺杂硼的锗硅外延层组成；一发射区，由形成于本征基区上部的多晶硅组成，和所述本征基区形成接触。
对准锗硅异质结双极型三极管及其制作方法

[发明专利]嵌入式锗硅外延位错缺陷的改善方法-CN201410654436.2在审
发明人：谭俊;周海锋;康俊龙 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-17 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入式锗硅外延位错缺陷的改善方法，包括在所述锗硅外延的反应过程中，在锗硅薄膜生长的一定厚度范围内，先适当降低锗浓度，再逐步提高所述锗浓度，形成一线性浓度梯度，直至超过平均锗浓度，最后保持所述锗浓度恒定而完成生长与传统技术相比，本发明减少了在嵌入式锗硅外延的生长过程中由于锗浓度的直接变化导致晶格失配而诱发的锗硅薄膜的位错缺陷，提高了锗硅的应力，改善了PMOS晶体管的电性。
嵌入式外延缺陷改善方法

[发明专利]多结光伏器件及其制备方法-CN201711071248.7有效
发明人：安德鲁·约翰逊;安德鲁·威廉·尼尔森;罗伯特·卡梅伦·哈伯 -专利权人： IQE公司
申请日： 2012-08-14 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：多结光伏器件及其制备方法，其中多结光伏器件是具有两个或更多由半导体材料形成的光吸收元件的多结光伏器件，其包括：第一硅锗或硅锗锡材料元件，第二硅锗锡材料元件，其中，第一硅锗或硅锗锡材料元件和所述第二硅锗锡材料元件与砷化镓晶格匹配
多结光伏器件及其制备方法

[发明专利]一种多层绝缘体上硅锗衬底结构及其制备方法和用途-CN202110540902.4有效
发明人：亨利·H·阿达姆松;王桂磊;罗雪;林鸿霄 -专利权人：中国科学院微电子研究所;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层绝缘体上硅锗衬底结构，其包括由下至上依次堆叠的背衬硅层、第一绝缘层、第一硅锗层以及交替垂直堆叠在所述第一硅锗层上的n层第二绝缘层和n层第二硅锗层，并且靠近所述第一硅锗层的是所述第二绝缘层；所述第一硅锗层的硅锗材料的化学式为Si1‑yGey；所述第二硅锗层的硅锗材料的化学式为Sub>1‑zGez，0＜z≤0.5；其中，n为1以上的正整数；所述第二绝缘层存在贯穿所述第二绝缘层的凹槽；并且所述凹槽中充满与所述第二硅锗层的硅锗材料相同的硅锗材料本发明还涉及一种多层绝缘体上硅锗衬底结构的制备方法。该衬底结构有利于减小器件的短沟道效应，同时有利于提升器件的开态电流，在小尺寸半导体器件的制备中有望得到应用。
一种多层绝缘体上硅锗衬底结构及其制备方法用途

[发明专利]一种高硅次氧化锌烟尘浸出锗的方法-CN202211266591.8有效
发明人：晋家强;罗恒;张梅;陈春林;肖海云;董铁广 -专利权人：云南驰宏资源综合利用有限公司
申请日： 2022-10-15 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C22B41/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高硅次氧化锌烟尘浸出锗的方法，属于次氧化锌烟尘回收锗技术领域，包括浸出、单宁沉锗和中和除铁三个主要步骤，通过控制各步骤中的工艺条件，在浸出工序实现硅、锌和锗氧化物的浸出，并实现铅渣分离；在单宁沉锗工序实现锗的沉淀析出，且在锗沉淀析出时硅和锌存在于溶液中，避免硅锗共沉淀；在中和除铁工序实现硅和铁的沉淀。本发明不仅能有效避免硅锗共沉淀，且能处理酸可溶SiO22‑3%wt的高硅次氧化锌烟尘，所得单宁沉锗渣中硅含量低。
一种高硅次氧化锌烟尘浸出方法

[发明专利]一种垂直MOSFET器件及其制造方法、应用-CN202111479807.4在审
发明人：陈卓;朱慧珑 -专利权人：北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：方法包括：衬底上形成由下至上垂直堆叠的第一硅层、第一锗硅层、第二锗硅层、第三锗硅层、第二硅层；其中，第一锗硅层和第三锗硅层中锗的摩尔含量都大于第二锗硅层中锗的含量；刻蚀形成纳米堆叠结构；选择性刻蚀第一锗硅层和第三锗硅层，从而形成第一凹槽、第三凹槽；在第一凹槽、第三凹槽内形成扩展区内侧墙；选择性刻蚀第二锗硅层，形成栅极凹槽；在栅极凹槽内形成假栅；形成源漏极；形成具有浅沟槽隔离层的有源区；去除假栅，形成栅介质层、栅极。
一种垂直 mosfet 器件及其制造方法应用

[发明专利]一种高锗浓度的锗硅外延方法-CN201010533250.3有效
发明人：缪燕;季伟 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-11-05 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种高锗浓度的锗硅外延方法，当通入硅烷和锗烷气体时，以降低硅烷和锗烷的百分比来增加锗硅外延的锗的含量，在相同的锗源流量时，随着硅源流量的降低，锗浓度有较大的提高，最终能够得到锗原子百分比为25～35％的无缺陷的锗硅外延薄膜。本发明在利用现有设备的前提下，平衡了生长速率与锗的掺杂浓度，获得高锗浓度的同时，外延的生长速率仅有很少的降低，能保证锗硅外延没有缺陷，达到器件要求，同时有足够的产能。
一种浓度外延方法

[发明专利]FD-SOI衬底结构、器件结构的制备方法-CN202010404706.X在审
发明人：徐大朋;薛忠营;罗杰馨;柴展 -专利权人：上海功成半导体科技有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种FD‑SOI衬底结构、器件结构的制备方法，衬底结构的制备方法包括：1)提供FD‑SOI衬底，包括硅基底、埋氧化层及顶硅层；2)于顶硅层上外延生长锗硅层；3)氧化锗硅层，将锗硅层中的锗推进顶硅层，形成顶锗硅层；4)去除氧化反应生成的二氧化硅层；5)于顶锗硅层上外延生长硅材料层。本发明的衬底结构采用顶锗硅层及硅材料层的堆栈结构，作为器件的沟道，该沟道不需要进行掺杂且厚度较薄，可以大幅降低源漏极之间的泄漏电流，另一方面，顶锗硅层可大幅提高空穴迁移率，进而提高器件性能。本发明的顶锗硅层上覆盖硅材料层，可以有效防止锗硅沟道表面形成溶于水的GeO2或易挥发的GeO，提高器件的稳定性。
fd soi 衬底结构器件制备方法

[发明专利]红外响应改进的多层半导体基体以及其上形成的图像传感器-CN200610005998.X有效
发明人：霍华德·E·罗德斯 -专利权人：豪威科技有限公司
申请日： 2006-01-18 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成在多层的半导体基体上的图像传感器，其采用硅－锗合金来改善红外响应。在一种具体实施方式中，硅－锗合金层具有如此的锗浓度梯度分布，即硅－锗合金层较高部分的锗浓度小于硅－锗合金层较低部分的锗浓度。
红外响应改进多层半导体基体及其形成图像传感器

[发明专利]嵌入式锗硅器件及其制作方法-CN201410697217.2在审
发明人：鲍宇;周军;朱亚丹;曾真 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入式锗硅器件及其制作方法，该方法先通过底部凹槽刻蚀形成第一凹槽并在其中嵌入第一锗硅，再利用第一凹槽底部的第一锗硅和侧壁的半导体衬底材料不同，来进行晶向选择性刻蚀以去掉部分侧壁的半导体衬底，形成Σ状的第二凹槽，使外延生长的第二锗硅更接近沟道，提高沟道应力；同时先后形成的第一凹槽和第二凹槽，使第一锗硅和第二锗硅的外延生长选择性没有要求，具体工艺条件的选择范围更大，第一锗硅和第二锗硅的锗的浓度可调范围更大，即有利于工艺整合以及缺陷控制，有利于优化嵌入锗硅的形貌。可见，本发明形成的嵌入式锗硅器件在PMOS源/漏区形成的Σ状嵌入式锗硅的形貌更佳，且更接近沟道区，具有更大的沟道区有效应力。
嵌入式器件及其制作方法

[发明专利]一种侦测锗硅残留的方法-CN201510663115.3在审
发明人：成鑫华;周海锋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体制造技术领域，尤其涉及一种侦测锗硅残留的方法，通过在开启刻蚀气体的沉积条件下对硅片进行锗硅沉积形成第一锗硅堆叠后，继续在关闭刻蚀气体的条件下对该硅片再次进行锗硅沉积形成第二锗硅堆叠，并根据第一锗硅堆叠和第二锗硅堆叠的厚度推算出刻蚀气体的刻蚀速率，之后对刻蚀气体的刻蚀速率进行长期的监控，并定出合理的波动范围，即可长期监控以防止沉积锗硅残留的存在；该方法能有效的侦测锗硅沉积工艺在硬掩膜上的残留
一种侦测残留方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201611237765.2有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上的锗硅层；对所述锗硅层进行氧化处理，在所述锗硅层上形成含氧锗硅层；对所述含氧锗硅层表面进行还原处理，降低所述含氧锗硅层中的锗含量；在进行所述还原处理后，在所述含氧锗硅层上形成高k栅介质层；在所述高k栅介质层上形成金属栅极。本发明改善锗硅沟道区与高k栅介质层之间的界面性能，且提高形成的高k栅介质层的质量，从而提高形成的半导体器件的电学性能。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体基板的制造方法-CN200780027926.8有效
发明人：冈哲史;能登宣彦 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2007-07-04 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明是一种半导体基板的制造方法，其至少具备：在单晶硅基板上，形成硅锗组成渐变层的工序；在硅锗组成渐变层上，形成硅锗组成固定层的工序；平坦化该硅锗组成固定层的表面的工序；除去该平坦化后的硅锗组成固定层表面上的自然氧化膜的工序；以及在已除去该表面的自然氧化膜的硅锗组成固定层上，形成应变硅层的工序，其特征在于：上述硅锗组成渐变层的形成与上述硅锗组成固定层的形成，是在高于800℃的温度T₁进行；上述硅锗组成固定层表面的自然氧化膜的除去，是在还原性气体环境下，于800℃以上且低于上述温度T₁的温度T₂，通过热处理而进行；并且上述应变硅层的形成，是在低于温度T₁的温度T<由此，可于平坦化的硅锗层上，使该硅锗层表面的平坦性不会恶化，磊晶生长应变硅层。
半导体制造方法