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[发明专利]肖特基势垒二极管-CN202280016967.1在审
发明人：有马润;藤田实;川崎克己;平林润 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明的技术问题在于，防止使用氧化镓的肖特基势垒二极管的绝缘击穿。本发明的肖特基势垒二极管(11)具备：设置在半导体基板(20)上的漂移层(30)、阳极电极(40)和阴极电极(50)。设置在漂移层(30)的外周沟槽(61)的宽度(W1)比中心沟槽(62)的宽度(W2)宽。外周沟槽(61)的外周壁(S1)具有随着朝向外侧而接近垂直的弯曲形状，外周沟槽(61)的内周壁(S2)比外周壁(S1)更接近垂直。由此，在施加了逆向电压的情况下，在外周沟槽(61)的外周底部产生的电场被缓和。
肖特基势垒二极管

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN202280016981.1在审
发明人：有马润;藤田实;川崎克己;平林润 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明的技术问题在于，防止使用氧化镓的肖特基势垒二极管的绝缘击穿。本发明的肖特基势垒二极管(11)具备：设置在半导体基板(20)上的漂移层(30)、阳极电极(40)和阴极电极(50)。阳极电极(40)的一部分隔着绝缘膜(63)埋入外周沟槽(61)和中心沟槽(62)内。绝缘膜(63)随着朝向外侧而外周沟槽(61)的深度方向上的厚度变厚，由此，埋入外周沟槽(61)的阳极电极(40)的外周壁(S1)具有随着朝向外侧而接近垂直的弯曲形状。其结果是，在施加了逆向电压的情况下，在外周沟槽(61)的外周底部产生的电场被缓和。
肖特基势垒二极管

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN201880058896.5有效
发明人：有马润;平林润;藤田实;川崎克己;井之口大辅 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种肖特基势垒二极管，其难以产生因电场集中而引起的绝缘破坏。该肖特基势垒二极管具备：由氧化镓构成的半导体基板(20)；设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)；与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)；以及与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有在俯视时设置于包围阳极电极(40)的位置的外周沟道(10)。如此，当在漂移层(30)设置外周沟道(10)时，电场因外周沟道(10)的存在而被分散。由此，由于缓和了阳极电极(40)的角部中的电场集中，因此难以产生绝缘破坏。
肖特基势垒二极管

[发明专利]结晶制造方法、结晶制造装置及单晶-CN202210252469.9在审
发明人： 川崎克己;有马润;藤田实;平林润 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种结晶制造方法，其中，首先，将具备前端变细的前端部(1A)的原料(1)配置于结晶生长区域(2U)的上方；接着，将前端部(1A)的侧面在维持前端部(1A)的形状的同时利用向斜上方行进的辐射热选择性地加热使其熔融，从该侧面熔融的材料将前端部(1A)的侧面和结晶生长区域(2U)的上表面物理连接。在结晶制造装置中，原料熔融用辐射热是从电阻加热器(R)放射的。
结晶制造方法装置

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN202080087212.1在审
发明人：有马润;藤田实;川崎克己;平林润 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-10-05 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明的课题在于在使用了氧化镓的肖特基势垒二极管中，防止阳极电极与保护膜的界面的剥离。肖特基势垒二极管(11)具备：由氧化镓构成的半导体基板(20)；设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)；与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)；与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)；覆盖设置于漂移层(30)的沟槽(61)的内壁的绝缘膜(63)；和覆盖阳极电极(40)的保护膜(70)，保护膜(70)的一部分(72)嵌入沟槽(61)内。这样保护膜(70)的一部分(72)嵌入沟槽(61)内，因此，阳极电极(40)与保护膜(70)的密合性提高。由此，能够防止阳极电极(40)与保护膜(70)的界面的剥离。
肖特基势垒二极管

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN202080087234.8在审
发明人：藤田实;有马润;川崎克己;平林润 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-10-05 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明的课题在于在氧化镓的肖特基势垒二极管中，防止由沟槽与场绝缘层的对准偏差引起的绝缘破坏。该肖特基势垒二极管具备：与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)；与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)；覆盖设置于漂移层(30)的沟槽(61)的内壁的绝缘膜(63)；隔着绝缘膜(63)覆盖沟槽(61)的内壁并且与阳极电极(40)电连接的金属膜(64)；以及场绝缘层(70)。场绝缘层(70)包含：位于漂移层(30)的上表面(31)与阳极电极(40)之间的第一部分(71)以及隔着金属膜(64)和绝缘膜(63)覆盖沟槽(61)的内壁的第二部分(72)。由此，即使沟槽(61)与场绝缘层(70)的对准发生偏差，也不会发生绝缘破坏。
肖特基势垒二极管

[发明专利]坩埚、晶体及光学元件-CN202210048249.4在审
发明人： 川崎克己 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C30B15/08 文献下载
摘要：本发明提供一种可以获得晶体内的添加元素的偏差小的晶体的坩埚、使用该坩埚而获得的晶体以及使用该晶体的光学元件。坩埚具有蓄积成为结晶的原料的熔液的熔液贮存部(24)和控制结晶的形状的喷嘴部(34)。喷嘴部(34)具有使熔液从熔液贮存部(24)流出到喷嘴部(34)的端面(35)的喷嘴孔(36)。喷嘴孔(36)的内周面的表面粗糙度为10μm以下。
坩埚晶体光学元件

[发明专利]单晶生长用坩埚、单晶制造方法及单晶-CN201980080253.5在审
发明人： 川崎克己;平林润;藤田实;井之口大辅;有马润;近藤牧雄 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明是收纳单晶生长用原料熔融液(8)并使其固化的单晶生长用坩埚(5A)，其具备：围绕原料熔融液(8)的侧壁部(5s)、及连续于侧壁部(5s)并支撑原料熔融液(8)的底部(5b)，侧壁部(5s)在横截面图中，在内侧具有周长冗余性。侧壁部(5s)在横截面图中，在任一部位上在内侧具有周长冗余的部位，如果在单晶生长后的冷却步骤中单晶生长用坩埚(5A)被冷却，则在横截面图中，在内侧周长冗余的部位向单晶生长用坩埚(5A)的外侧扩展。
生长坩埚制造方法

[发明专利]利用EFG法的单晶生长用的模具、利用EFG法的单晶生长方法及利用EFG法得到的单晶-CN201980018372.8在审
发明人： 川崎克己;平林润;藤田实;井之口大辅;有马润;近藤牧雄 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本发明的利用EFG法的单晶生长用的模具具备：下表面，其浸渍于添加有杂质的原料熔融液中；矩形状的上表面，其与晶种相对且具有长边和短边；以及多个狭缝部，其从下表面向上表面延伸，且使原料熔融液从下表面上升至上表面。多个狭缝部的上表面处的开口部的长边方向各自相互平行，且相对于上表面的长边不平行。
利用 efg 生长模具方法得到

[发明专利]氧化铝基板-CN201680011843.9有效
发明人：山泽和人;大井户敦;川崎克己 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2016-03-02 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种形成有AlN层且降低了翘曲的氧化铝基板。本发明提供一种基板材料，在本基板上生长AlN晶体等的情况下，具有能够耐受通常的操作的程度的强度，并且在生长中或者冷却中施加了过度的应力的情况下防止在生长晶体中引入裂纹或碎裂。制成：在表面形成有AlN层的氧化铝基板中，在AlN层的内部或者AlN层与氧化铝基板界面形成有含稀土区域以及空隙的基板。通过含稀土区域集中晶格失配应力，另外空隙释放应力，从而能够降低AlN层的翘曲。另外，由于含稀土区域集中应力，空隙降低机械强度，因此能够诱发裂纹或者碎裂的起源和传播，结果能够防止在本基板上生长的晶体中混入裂纹或碎裂。进一步含稀土区域能够确保操作程度的机械强度。
氧化铝

[发明专利]氮化物的单晶-CN201880033081.1在审
发明人：大井户敦;川崎克己;山泽和人 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高结晶性的氮化物的单晶。氮化物的单晶(10)具有纤锌矿型晶体结构，硼的含量为0.5质量ppm以上且251质量ppm以下。
氮化物单晶纤锌矿型晶体结构高结晶性

[发明专利]氧化铝基板-CN201580042829.0有效
发明人：山泽和人;大井户敦;川崎克己 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2015-08-06 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明涉及氧化铝基板。本发明的目的在于提供一种在将AlN结晶等制作于氧化铝基板上时能够制作出更高质量的结晶的氧化铝基板。本发明的另外一个目的在于提供一种AlN层的翘曲被减小的氧化铝基板。本发明的再有一个目的在于提供一种基板材料，在作为种基板进行使用的情况下，当被过度施加由不可避免发生的晶格不匹配引起的应力时，能够促进自然剥离主导的基板独立化。通过将AlN层形成于氧化铝基板的表面上并且将稀土含有层以及/或者稀土含有区域形成于AlN层的内部或者AlN层与所述氧化铝基板的界面上从而缓和对AlN层的应力，能够减小翘曲。另外，如果使用这样的基板来培养AlN结晶则能够通过自然剥离令培养了的结晶独立化。
氧化铝

[发明专利]氧化铝基板-CN201580042856.8有效
发明人：山泽和人;大井户敦;川崎克己 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2015-08-06 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明涉及氧化铝基板。本发明的目的在于提供一种在将AlN结晶等制作于氧化钠基板上时能够制作出更高质量的结晶那样AlN层的翘曲被减小的氧化铝基板。通过在氧化铝基板表面形成包含碳含有相的AlN层从而缓和对AlN层的应力，能够减小翘曲。
氧化铝

[发明专利]天线用磁性材料、以及天线和无线通信器械-CN201210062089.5有效
发明人：石仓友和;村本充广;原田明洋;川崎克己;黑田朋史 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种可以实现在高频率下可宽频带且高效率地使用且在生产性和经济性方面表现优良的小型天线等的天线用磁性材料、以及使用其的天线和无线通信器械。天线用磁性材料包含用通式(1)：MA·Fe12-X·MBX·O19(式中，MA是选自Sr和Ba中的至少一种，MB是MC或MD，MC是选自Al、Cr、Sc和In中的至少一种，MD是选自Ti、Sn和Zr中的至少一种与选自Ni、Zn、Mn、Mg、Cu和Co中的至少一种的等量混合物，X是1以上5以下的数)表示的M型六方晶铁氧体作为主相，并且，平均结晶粒径为5μm以上。
天线磁性材料以及无线通信器械

[发明专利]磁性石榴石单晶膜形成用衬底、光学元件及其制备方法-CN02816498.9无效
发明人：坂下幸雄;川崎克己;大井户敦;守越广树;内田清志;山泽和人 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2002-06-21 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明涉及为液相外延生长磁性石榴石单晶膜的磁性石榴石单晶膜形成用衬底，和使用该衬底进行晶体生长的单晶膜的制备方法和通过该制备方法制备的单晶膜以及光学元件。该衬底(2)具有对为进行液相外延生长所使用的熔融溶液不稳定的石榴石系单晶形成的衬底基板(10)，和在前述衬底基板(10)上形成的对前述熔融溶液稳定的石榴石系单晶薄膜形成的缓冲层(11)。使用该衬底(2)可以制备优质的磁性石榴石单晶膜(12)。该磁性石榴石单晶膜(12)可以作为用于光学隔离器、光学循环器、光磁传感器等法拉第元件等的光学元件使用。
磁性石榴石单晶膜形成衬底光学元件及其制备方法

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