[发明专利]一种改善磁性石榴石液相外延生长过程中晶片碎裂的方法有效
| 申请号： | 202210792212.2 | 申请日： | 2022-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN115418711B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 杨青慧;俞靖彦;张鼎;张元婧;李涵;张怀武 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B19/00 | 分类号： | C30B19/00;C30B29/28 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种改善磁性石榴石液相外延生长过程中晶片碎裂的方法，属于光通讯器件技术领域。包括：在非磁性石榴石基片背面依次制备黏附金属层、应力金属层和隔绝金属层；将非磁性石榴石基片正面浸入熔体中，采用液相外延法在非磁性石榴石基片正面生长Bi取代稀土类铁石榴石单晶膜。本发明提出的一种改善磁性石榴石液相外延生长过程中晶片碎裂的方法，在基片的背面设置热膨胀系数大于基片的应力层，抵抗在生长和降温过程中薄膜与基片之间热膨胀系数差异带来的应力，平衡晶片在生长过程中产生的翘曲；在基片和应力层之间设置黏附金属层，提高应力层的黏附性；在应力层上设置隔绝金属层，用于隔离应力层和高温熔体，防止熔体中的熔融氧化铅腐蚀应力层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 磁性 石榴石 外延 生长 过程 晶片 碎裂 方法 | ||
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- 2011-12-13 - 2012-12-19 - C30B19/00
- 一种厚度可控的液相外延薄膜制备装置，包括(1)籽晶秆；(2)衬底；(3)炉盖，(4)发热体，(5)炉膛壁，(6)熔体，(7)坩埚，(8)耐火砖，(9)保温砖，(10)炉壳，(11)陶瓷发热体。陶瓷发热体(11)的特征是它受一个独立的温度控制系统控制，其位置是位于籽晶秆和衬底之间，与衬底直接相连。发热体(4)和陶瓷发热体(11)均具有各自独立的温度控制系统；本实用新型通过设置陶瓷发热体，通过控制位于陶瓷发热体下是衬底的温度，以调节被衬底吸附的熔体的粘度，影响熔体在籽晶秆旋转主用下被甩熔体的量，使衬底底部吸附的熔体表面平整，并达到影响膜厚度的效果，保证垂直浸渍液相外延膜生长方法能够生长所需要的膜。
- 一种用于液相外延用富镓的砷化镓熔体凝固的方法-201210211640.8
- 邱锋;吕英飞;胡淑红;郭建华;邓惠勇;戴宁 - 中国科学院上海技术物理研究所
- 2012-06-25 - 2012-10-17 - C30B19/00
- 本发明公开了一种用于液相外延用富镓的砷化镓熔体凝固的方法。该发明的特征是在外延层生长结束后，富镓砷化镓熔源，因快速冷却，导致其在室温下还处于熔体状态，为了溶源再次进行外延生长，熔体需要凝固，以便于液相外延生长中的取样或装样，此时只需添加微量镓溶剂，并沿顺时针或逆时针旋转搅动，伴随晶体生长提拉法的动作，使富镓砷化镓熔体凝固。本发明的优点是：采用以微量镓晶粒带动熔体运动而凝固的技术，操作过程无污染引入，且操作时间短，减少熔源、石墨舟和石英管腔体在空气中的暴露时间，大大缩短实验装载时间，减少材料装载过程中的非故意吸附，提高材料生长的纯度，为液相外延技术实现不凝固的富镓熔体材料生长提供了可能。
- 碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法-201210142488.2
- 孙瑞贇;杨建荣;魏彦锋;张传杰;孙权志;陈倩男;张娟;陈晓静 - 中国科学院上海技术物理研究所
- 2012-05-09 - 2012-09-19 - C30B19/00
- 本发明公开了一种碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法，其特征步骤如下：使原本背面残液不可使用的碲镉汞材料通过化学腐蚀和机械抛光的办法，在不影响材料质量的情况下得以正常使用。该装置和方法的优点是：整个过程中清洗干净的碲镉汞外延薄膜表面始终被光刻胶所保护，从而不会导致碲镉汞外延薄膜被污染和氧化，也不会因为接触硬物而导致划伤，保证外延薄膜的洁净与表面完美。此技术使原本不可用的外延薄膜经过处理后可以使用，同时也保证了外延薄膜的质量不受影响，从而大大提高了碲镉汞外延薄膜材料制备的成品率。
- 一种连续液相外延法制备薄膜的方法和装置-200910111527.0
- 张伟娜;郑智雄;南毅;马殿军;王致绪;邹予;戴文伟 - 南安市三晶阳光电力有限公司
- 2009-04-17 - 2010-06-30 - C30B19/00
- 一种连续液相外延法制备薄膜的方法和装置，属于液相外延技术领域。本发明使用一种至少具两个旋转单元的设备进行液相外延生长，衬底片可在旋转单元中轮流进行外延操作，每次操作完毕，不必等炉膛完全冷却，即将衬底片上升至其中的一个旋转单元内，离开炉膛上方进行冷却，同时将另一旋转单元内第二批次的衬底片转入炉膛，进行第二批次的液相外延操作，如此重复，消除了现有技术炉膛必须冷却后再重新升温，能量大量浪费的弊端。
- 外延成长方法-200810168718.6
- 宋健民 - 中国砂轮企业股份有限公司
- 2008-09-26 - 2010-03-31 - C30B19/00
- 一种外延成长的方法，包括提供一模具；提供一基板，且基板设置于模具内；提供一溶剂及一溶质，液化溶剂使溶质溶在溶剂内，以形成一熔融液于模具与基板之间；以及形成一第一外延层于基板表面，其中，熔融液是由一温度梯度熔解模具及基板，以形成第一外延层于基板表面。
- 专利分类
