专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种改善磁性石榴石液相外延生长过程中晶片碎裂的方法-CN202210792212.2有效
  • 杨青慧;俞靖彦;张鼎;张元婧;李涵;张怀武 - 电子科技大学
  • 2022-07-05 - 2023-08-29 - C30B19/00
  • 一种改善磁性石榴石液相外延生长过程中晶片碎裂的方法,属于光通讯器件技术领域。包括:在非磁性石榴石基片背面依次制备黏附金属层、应力金属层和隔绝金属层;将非磁性石榴石基片正面浸入熔体中,采用液相外延法在非磁性石榴石基片正面生长Bi取代稀土类铁石榴石单晶膜。本发明提出的一种改善磁性石榴石液相外延生长过程中晶片碎裂的方法,在基片的背面设置热膨胀系数大于基片的应力层,抵抗在生长和降温过程中薄膜与基片之间热膨胀系数差异带来的应力,平衡晶片在生长过程中产生的翘曲;在基片和应力层之间设置黏附金属层,提高应力层的黏附性;在应力层上设置隔绝金属层,用于隔离应力层和高温熔体,防止熔体中的熔融氧化铅腐蚀应力层。
  • 一种改善磁性石榴石外延生长过程晶片碎裂方法
  • [发明专利]一种单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法-CN202211207916.5在审
  • 杨青慧;李涵;张鼎;俞靖彦;张元婧;张怀武 - 电子科技大学
  • 2022-09-30 - 2022-12-30 - C30B19/10
  • 一种单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法,属于液相外延单晶厚膜制备技术领域。包括:1)在石榴石单晶衬底上形成双层石墨烯结构;2)在双层石墨烯结构上生长石榴石籽晶层;3)退火、清洗;4)生长石榴石晶片层;5)对生长有石榴石晶片层的衬底进行剥离处理。本发明采用衬底/双层石墨烯/籽晶层/晶片层的复合膜结构,双层石墨烯作为单晶膜释放层,使得衬底对单晶膜生长基元或结晶的取向可透过的石墨烯层通过表面静电场传递,影响籽晶层生长基元的排列取向,传递晶格常数;双层石墨烯之间、以及石墨烯层与籽晶层和晶片层之间仅存在范德华力,并非化学键合,可使用胶带等外力吸附轻松地转移厚膜,实现石榴石衬底的重复使用。
  • 一种外延生长重复使用石榴石衬底方法
  • [发明专利]一种磁光传感用成像单晶晶片快速生产的方法-CN202211207915.0在审
  • 杨青慧;李涵;张鼎;俞靖彦;张元婧;张怀武 - 电子科技大学
  • 2022-09-30 - 2022-12-27 - C30B29/28
  • 一种磁光传感用成像单晶晶片快速生产的方法,属于磁光传感用单晶晶片制备技术领域。包括:1)在石榴石单晶衬底上生长石榴石单晶晶片层;2)将衬底提出至熔体液面上方,液相外延炉的温度升高至1150~1200℃;3)将衬底下降至熔体液面下,单向旋转1min,保持旋转并将衬底提出,1min后停止旋转;4)将衬底提离液相外延炉,得到的晶片在浓硝酸中浸泡,去离子水冲洗,烘干。本发明将晶体表面处理过程合并至晶体生长过程中,省去了研磨、抛光等工艺流程,减少生长时间,提高生产效率、降低了生产成本;采用高温熔体浸渍清洗法,能有效控制表面白雾、团簇型裂纹等表面污染层,获得和传统工艺相同晶体表面质量的磁光成像单晶晶片。
  • 一种传感成像晶片快速生产方法
  • [发明专利]一种铋取代稀土铁石榴石的划切方法-CN202210792208.6在审
  • 杨青慧;俞靖彦;张鼎;张元婧;李涵;张怀武 - 电子科技大学
  • 2022-07-05 - 2022-12-02 - B28D1/22
  • 一种铋取代稀土铁石榴石的划切方法,属于光通讯器件技术领域。包括以下步骤:1)采用液相外延法在SGGG基片上制备Bi取代稀土类铁石榴石单晶膜,得到带单晶膜的SGGG基片;2)通过在蓝膜上黏贴软弹性垫后再将带单晶膜的SGGG基片固定于软弹性垫上,或者通过PDMS封装的方式,将带单晶膜的SGGG基片固定于蓝膜上;3)采用划片机将带单晶膜的SGGG基片切割为11毫米×11毫米的小片。本发明提出的一种铋取代稀土铁石榴石的划切方法,采用具有弹性的软体保护晶片,使晶片完美贴合软体,抑制晶片在切割过程中的振动和位移;同时通过软体缓冲晶片切割过程中产生的应力释放,有效防止了划切过程中的崩裂。
  • 一种取代稀土铁石方法
  • [发明专利]一种铋取代稀土铁石榴石单晶厚膜制备方法-CN202210310658.7在审
  • 杨青慧;黄建涛;张鼎;张元婧;李涵;俞靖彦;张怀武 - 电子科技大学
  • 2022-03-28 - 2022-06-24 - C30B19/10
  • 本发明属于磁性石榴石单晶膜制备领域,具体提供一种铋取代稀土铁石榴石单晶厚膜制备方法,用于解决液相外延生长的铋取代稀土铁石榴石单晶厚膜容易产生晶体缺陷、开裂、剥落等难题,进而提高制备良品率。本发明采用液相外延法在SGGG基片上生长单晶石榴石厚膜,生长过程中,基片的旋转速度采用N阶变化:基片的第一阶旋转速度至第N阶旋转速度依次设置为R1至RN、且RNRN‑1…R1,并以第一阶旋转速度开始在单个阶段变换周期内均匀升高至下一阶旋转速度、直至第N阶旋转速度,再依次均匀降低至第一阶旋转速度,如此交替变化直至生长结束;最终能够制备得到不易产生结晶缺陷、翘曲、裂纹、剥离的高品质(TmLuBi)3Fe5O12单晶石榴石厚膜。
  • 一种取代稀土铁石榴石单晶厚膜制备方法

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