专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种改善磁性石榴石液相外延生长过程中晶片碎裂的方法-CN202210792212.2有效
  • 杨青慧;俞靖彦;张鼎;张元婧;李涵;张怀武 - 电子科技大学
  • 2022-07-05 - 2023-08-29 - C30B19/00
  • 一种改善磁性石榴石液相外延生长过程中晶片碎裂的方法,属于光通讯器件技术领域。包括:在非磁性石榴石基片背面依次制备黏附金属层、应力金属层和隔绝金属层;将非磁性石榴石基片正面浸入熔体中,采用液相外延法在非磁性石榴石基片正面生长Bi取代稀土类铁石榴石单晶膜。本发明提出的一种改善磁性石榴石液相外延生长过程中晶片碎裂的方法,在基片的背面设置热膨胀系数大于基片的应力层,抵抗在生长和降温过程中薄膜与基片之间热膨胀系数差异带来的应力,平衡晶片在生长过程中产生的翘曲;在基片和应力层之间设置黏附金属层,提高应力层的黏附性;在应力层上设置隔绝金属层,用于隔离应力层和高温熔体,防止熔体中的熔融氧化铅腐蚀应力层。
  • 一种改善磁性石榴石外延生长过程晶片碎裂方法
  • [发明专利]一种用于连续生长石榴石晶体的高精度液相外延炉-CN202310394142.X在审
  • 杨青慧;王峰;张鼎;张元婧;李涵;杨舒婷;张怀武 - 电子科技大学
  • 2023-04-13 - 2023-07-11 - C30B29/28
  • 本发明属于铁氧体单晶薄膜制备技术领域,具体提供一种用于连续生长石榴石晶体的高精度液相外延炉,用以解决常规单温区液相外延炉进行多批次RIG单晶连续生长过程中重复的熔融、搅拌(均匀化)、降温过程使得制备时间明显延长、生产效率大幅降低、能耗显著增高以及液相原料污染、铂金坩埚寿命缩短等问题。本发明采用双温区炉体设计,在连续生长过程中,坩埚及其内液相原料一直处于高温区,而生长完成后的晶体冷却过程则在低温区完成,从而避免重复进行原料熔融、均匀化以及降温,显著缩短晶体的制备周期、提升制备效率、降低能源消耗,同时降低铂金坩埚的损耗率,实现石榴石晶体的高效、低成本制备。
  • 一种用于连续生长石榴石晶体高精度外延
  • [发明专利]一种用于减少铂金坩埚腐蚀的液相外延炉及方法-CN202310277691.9在审
  • 杨青慧;王峰;张鼎;李涵;张元婧;杨舒婷;张怀武 - 电子科技大学
  • 2023-03-21 - 2023-06-23 - C30B19/06
  • 本发明属于单晶薄膜制备技术领域,具体提供一种用于减少铂金坩埚腐蚀的液相外延炉及方法,用以解决现有的铂金坩埚在液相外延工艺中因与高温原料发生化学反应而遭受到严重腐蚀的问题。本发明包括:炉腔、升降机构以及气路系统,炉腔顶部设置有开关密封门,用以实现对炉腔顶部的密封;炉腔的底部设置外沿设有密封环的坩埚支架,用以实现对炉腔底部的密封;炉腔的内部开设与气路系统相连的输气孔,用以通入气氛气体并维持气压;通过具有密封结构的炉腔与气路系统的设计,使得高温原料在液相环境中充分氧化,有效解决了铂金坩埚受严重腐蚀的问题,避免了铂金坩埚受损、寿命缩短等问题,同时降低了液相外延工艺中铂金坩埚的周期性加工成本。
  • 一种用于减少铂金坩埚腐蚀外延方法
  • [发明专利]一种单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法-CN202211207916.5在审
  • 杨青慧;李涵;张鼎;俞靖彦;张元婧;张怀武 - 电子科技大学
  • 2022-09-30 - 2022-12-30 - C30B19/10
  • 一种单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法,属于液相外延单晶厚膜制备技术领域。包括:1)在石榴石单晶衬底上形成双层石墨烯结构;2)在双层石墨烯结构上生长石榴石籽晶层;3)退火、清洗;4)生长石榴石晶片层;5)对生长有石榴石晶片层的衬底进行剥离处理。本发明采用衬底/双层石墨烯/籽晶层/晶片层的复合膜结构,双层石墨烯作为单晶膜释放层,使得衬底对单晶膜生长基元或结晶的取向可透过的石墨烯层通过表面静电场传递,影响籽晶层生长基元的排列取向,传递晶格常数;双层石墨烯之间、以及石墨烯层与籽晶层和晶片层之间仅存在范德华力,并非化学键合,可使用胶带等外力吸附轻松地转移厚膜,实现石榴石衬底的重复使用。
  • 一种外延生长重复使用石榴石衬底方法
  • [发明专利]一种磁光传感用成像单晶晶片快速生产的方法-CN202211207915.0在审
  • 杨青慧;李涵;张鼎;俞靖彦;张元婧;张怀武 - 电子科技大学
  • 2022-09-30 - 2022-12-27 - C30B29/28
  • 一种磁光传感用成像单晶晶片快速生产的方法,属于磁光传感用单晶晶片制备技术领域。包括:1)在石榴石单晶衬底上生长石榴石单晶晶片层;2)将衬底提出至熔体液面上方,液相外延炉的温度升高至1150~1200℃;3)将衬底下降至熔体液面下,单向旋转1min,保持旋转并将衬底提出,1min后停止旋转;4)将衬底提离液相外延炉,得到的晶片在浓硝酸中浸泡,去离子水冲洗,烘干。本发明将晶体表面处理过程合并至晶体生长过程中,省去了研磨、抛光等工艺流程,减少生长时间,提高生产效率、降低了生产成本;采用高温熔体浸渍清洗法,能有效控制表面白雾、团簇型裂纹等表面污染层,获得和传统工艺相同晶体表面质量的磁光成像单晶晶片。
  • 一种传感成像晶片快速生产方法
  • [发明专利]一种铋取代稀土铁石榴石的划切方法-CN202210792208.6在审
  • 杨青慧;俞靖彦;张鼎;张元婧;李涵;张怀武 - 电子科技大学
  • 2022-07-05 - 2022-12-02 - B28D1/22
  • 一种铋取代稀土铁石榴石的划切方法,属于光通讯器件技术领域。包括以下步骤:1)采用液相外延法在SGGG基片上制备Bi取代稀土类铁石榴石单晶膜,得到带单晶膜的SGGG基片;2)通过在蓝膜上黏贴软弹性垫后再将带单晶膜的SGGG基片固定于软弹性垫上,或者通过PDMS封装的方式,将带单晶膜的SGGG基片固定于蓝膜上;3)采用划片机将带单晶膜的SGGG基片切割为11毫米×11毫米的小片。本发明提出的一种铋取代稀土铁石榴石的划切方法,采用具有弹性的软体保护晶片,使晶片完美贴合软体,抑制晶片在切割过程中的振动和位移;同时通过软体缓冲晶片切割过程中产生的应力释放,有效防止了划切过程中的崩裂。
  • 一种取代稀土铁石方法
  • [发明专利]一种铋取代稀土铁石榴石单晶厚膜制备方法-CN202210310658.7在审
  • 杨青慧;黄建涛;张鼎;张元婧;李涵;俞靖彦;张怀武 - 电子科技大学
  • 2022-03-28 - 2022-06-24 - C30B19/10
  • 本发明属于磁性石榴石单晶膜制备领域,具体提供一种铋取代稀土铁石榴石单晶厚膜制备方法,用于解决液相外延生长的铋取代稀土铁石榴石单晶厚膜容易产生晶体缺陷、开裂、剥落等难题,进而提高制备良品率。本发明采用液相外延法在SGGG基片上生长单晶石榴石厚膜,生长过程中,基片的旋转速度采用N阶变化:基片的第一阶旋转速度至第N阶旋转速度依次设置为R1至RN、且RNRN‑1…R1,并以第一阶旋转速度开始在单个阶段变换周期内均匀升高至下一阶旋转速度、直至第N阶旋转速度,再依次均匀降低至第一阶旋转速度,如此交替变化直至生长结束;最终能够制备得到不易产生结晶缺陷、翘曲、裂纹、剥离的高品质(TmLuBi)3Fe5O12单晶石榴石厚膜。
  • 一种取代稀土铁石榴石单晶厚膜制备方法
  • [发明专利]用于液相外延法生长石榴石单晶单面厚膜的衬底夹具-CN202110268770.4在审
  • 杨青慧;杨雪;张鼎;张元婧;黄建涛;张怀武 - 电子科技大学
  • 2021-03-12 - 2021-07-06 - C30B19/06
  • 一种用于液相外延法生长石榴石单晶单面厚膜的衬底夹具,包括固定支架、环形连接件、多条铂金柱;固定支架通过连接杆与液相外延设备的提拉杆连接,并同时与环形连接件固定连接;环形连接件下方固定连接多条均匀、竖直分布的铂金柱;每个铂金柱内侧设置截面为半圆形的支撑件,用于放置衬底,每个铂金柱的外侧设置凹槽,用于通过铂丝固定衬底。本发明在铂金柱底部设置高度一致的支撑件,以保证衬底水平放置;铂金柱外侧设置凹槽,通过缠绕铂丝进一步固定衬底。本发明衬底夹具可实现衬底基片绝对水平放置,进而精确控制衬底的位置,实现液相外延衬底单面生长单晶厚膜,单面生长厚膜可有效降低厚膜生长过程中的晶格失配,更加有利于厚膜的生长。
  • 用于外延生长石榴石单面衬底夹具
  • [发明专利]一种平面化磁光开关-CN202010450071.7在审
  • 杨青慧;李苏凡;张怀武;张鼎;张元婧;杨雪 - 电子科技大学
  • 2020-05-25 - 2020-09-18 - G02F1/09
  • 一种平面化磁光开关,属于激光通信技术领域。该平面化磁光开关包括法拉第转子、起偏器和检偏器,所述法拉第转子包括基片,以及对称设置于基片两侧的磁光薄膜层、第一微带线层和第二微带线层,所述第一微带线和第二微带线用于提供直流偏置,且第一微带线和第二微带线相互垂直。本发明提供的一种平面化磁光开关,在磁光薄膜层上设置两层相互垂直的矩形微带线,来代替传统的永磁体或通电线圈提供直流偏置磁场,不仅有效减小了磁光开关的体积,还可通过控制两层微带线的电流实现多路光纤的开关切换,可满足器件小型化、平面化的要求。
  • 一种平面化开关

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