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[发明专利]一种氟化石墨烯/石墨烯异质结的制备方法-CN201510361771.8在审
发明人：徐杨;陆薇;阿亚兹;孟楠;万霞;程呈;郭宏伟;周翰铭;王雪;施添锦;王锋;马玲玲;刘雪梅;李炜;刘威 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： C01B31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氟化石墨烯/石墨烯异质结的制备方法，主要采用深反应刻蚀的方法，以 SF₆气体作为氟化剂制得氟化石墨烯/石墨烯异质结。所制得的氟化石墨烯异质结为多层，顶层为氟化石墨烯，顶层以下为石墨烯。本发明方法制备的氟化石墨烯/石墨烯异质结氟化程度高，氟化性质好，该方法可用于大尺寸氟化石墨烯/石墨烯异质结的制备，当采用的石墨烯样品其衬底为铜网时，还可实现氟化石墨烯/石墨烯/氟化石墨烯双层异质结。制得的氟化石墨烯/石墨烯异质结尺寸可以达到晶圆级，这为氟化石墨烯/石墨烯异质结的性质探究以及氟化石墨烯/石墨烯异质结器件的加工都奠定了良好的基础。
一种氟化石墨烯异质结制备方法

[发明专利]石墨烯介质层异质结构的制作方法-CN201910749342.6有效
发明人：高学栋;冯志红;蔚翠;何泽召;刘庆彬;郭建超;周闯杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明适用于石墨烯材料技术领域，提供了一种石墨烯介质层异质结构的制作方法，包括：获取多块石墨烯介质层薄膜，并将多块石墨烯介质层薄膜置于去离子水中清洗；通过预设衬底在去离子水中旋转的方式将任一块石墨烯介质层薄膜缠绕在预设衬底上，得到石墨烯介质层异质结构样品；晾干石墨烯介质层异质结构样品；采用获得石墨烯介质层异质结构样品的方式继续在预设衬底上的晾干的石墨烯介质层异质结构样品外缠绕其余石墨烯介质层薄膜，直至得到预设层数的石墨烯介质层异质结构本发明通过预设衬底在去离子水中旋转的方式获得预设层数的石墨烯介质层异质结构，极大的提高了石墨烯介质层异质结构的制作效率，简化了其制作流程。
石墨介质层异质结构制作方法

[发明专利]氟修饰的富勒烯/石墨烯异质结的制备方法-CN201810372031.8有效
发明人：周吕;金树人;姚琪;陈超 -专利权人：常州天鸽环保科技有限公司
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C01B32/154 文献下载
摘要：本发明涉及一种氟修饰的富勒烯/石墨烯异质结的制备方法、富勒烯的制备方法及装置，其中，氟修饰的富勒烯/石墨烯异质结的制备方法通过在富勒烯/石墨烯异质结上的自由活性基团与氟碳高分子树脂发生反应得到。加大富勒烯/石墨烯异质结的缺陷，提高材料的溶解性和吸附性。
修饰富勒烯石墨烯异质结制备方法

[发明专利]关于石墨烯的结构和方法-CN201280019817.2在审
发明人： A·K·海姆;K·S·诺沃肖洛夫;R·V·戈尔巴乔夫;L·A·波诺马连科 -专利权人：曼彻斯特大学
申请日： 2012-03-22 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本申请涉及基于石墨烯的异质结构以及制备基于石墨烯之异质结构的方法。所述石墨烯异质结构包括：i）第一封装层；ii）第二封装层；和iii）石墨烯层。该异质结构在电子器件中发现应用。
关于石墨结构方法

[发明专利]石墨烯垂直异质结器件及其制备方法-CN201810234998.X有效
发明人：李裴森;潘孟春;彭俊平;邱伟成;胡悦国;陈棣湘;胡佳飞;田武刚;张琦 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯垂直异质结器件及其制备方法，该石墨烯垂直异质结器件包括石墨烯层、第一异质层和具有贯穿孔的支撑基底，石墨烯层设于支撑基底表面，第一异质层位于贯穿孔中，第一异质层与石墨烯层物理结合构成第一异质结制备方法，包括以下步骤：(1)在支撑基底上开设垂直于支撑基底表面的贯穿孔；(2)将悬浮石墨烯转移至支撑基底表面；(3)采用生长法在支撑基底的贯穿孔中制备第一异质层。该方法能解决传统石墨烯垂直器件制备存在的界面氧化、吸附和不平整等问题，所制备的垂向异质结器件具有电阻小、防氧化、界面平整、结构紧凑、成本低等优点。
石墨垂直异质结器件及其制备方法

[发明专利]柔性石墨烯/锗异质结的制备方法与转移方法-CN202211473690.3在审
发明人：李连碧;丁斌斌;李蕾;贡楷文;王蓉;李泽斌;张国青;夏蔡娟;宋立勋;曹得重;臧源;胡继超;林生晃 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明公开了柔性石墨烯/锗异质结的制备方法，以高纯Ge作为靶材，铜箔石墨烯作为衬底，激光作为粒子激发源，采用PLD法在铜箔石墨烯上沉积锗薄膜。本发明还公开了柔性石墨烯/锗异质结的转移方法，给制备好的柔性石墨烯/锗异质结旋涂PMMA支撑膜，然后用CuSO4溶液刻蚀掉铜箔，实现柔性石墨烯/锗异质结的整体转移。本发明提供的柔性石墨烯/锗异质结的制备方法及转移方法解决了石墨烯由于光吸收率低，导致石墨烯探测器的光响应度较低，石墨烯自身的光生载流子寿命短的问题，可以制备出近红外高响应、高速度的石墨烯基异质结。
柔性石墨锗异质结制备方法转移

[发明专利]一种基于石墨烯的异质结同位素电池-CN202010868066.8有效
发明人：柳伟平;韩运成;王晓彧;张佳辰;李桃生 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于石墨烯的异质结同位素电池，包括石墨烯异质结能量转换结构和与所述石墨烯异质结能量转换结构相配合的放射源，所述石墨烯异质结能量转换结构包括衬底材料层，设置在所述衬底材料层的背面的背电极，设置在所述衬底材料层的正面的石墨烯层，所述石墨烯层与所述衬底材料层之间形成异质结。本发明采用石墨烯与半导体材料形成异质结，异质结金属层的石墨烯的厚度仅几个纳米，减小了金属层对源层的吸收阻挡作用，并且石墨烯的功函数较高，能与半导体材料形成较大的内建电场，有利于开路电压的提升，同时石墨烯还能作为电极材料
一种基于石墨异质结同位素电池

[发明专利]一种铁磁/石墨烯/铁磁异质外延薄膜及其制备方法-CN202010455831.3有效
发明人：潘孟春;彭俊平;胡悦国;李裴森;邱伟成;胡佳飞;陈棣湘 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁磁/石墨烯/铁磁异质外延薄膜，包括石墨烯层以及分别位于石墨烯层上、下表面的第二异质铁磁层和第一异质铁磁层，所述石墨烯层在第一异质铁磁层上直接外延生长得到，所述第二异质铁磁层在石墨烯层上外延生长得到
一种石墨铁磁异质外延薄膜及其制备方法

[发明专利]异质外延金刚石及其制备方法-CN201710062928.6在审
发明人：郁万成;金鹏;张烨;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质外延金刚石及其制备方法。该异质外延金刚石包括异质衬底；石墨烯柔性层，制备于异质衬底上；金刚石层，外延生长于石墨烯柔性层上；其中，石墨烯柔性层作为异质衬底上生长金刚石的柔性中间层。本发明利用石墨烯作为外延金刚石的模板和过渡缓冲层，消除了由于异质衬底与金刚石间晶格失配造成的外延金刚石质量降低。
外延金刚石及其制备方法

[发明专利]一种CoPS/黑磷烯垂直异质结构材料的制备方法、CoPS/黑磷烯复合材料及应用-CN202210593408.9在审
发明人：梁婷婷;谢敬佩;王爱琴;王文炎;马窦琴;毛志平;王建 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明属于电催化分解水用催化剂领域，具体涉及一种CoPS/黑磷烯垂直异质结构材料的制备方法、CoPS/黑磷烯复合材料及应用。该方法包括以下步骤：(1)将黑磷烯、可溶性钴盐、氨水在水中进行搅拌反应，固液分离，得到Co(OH)2/黑磷烯异质结构材料；(2)将所述Co(OH)2/黑磷烯异质结构材料和P2S5在300～450℃下进行气氛保护退火，得到CoPS/黑磷烯垂直异质结构材料本发明将CoPS纳米片垂直负载在黑磷烯上，构建结构稳定的CoPS/黑磷烯垂直异质结构，利用异质界面间强耦合效应可为催化剂提供大量的活性位点，从而改善材料的电催化性能。
一种 cops 黑磷垂直结构材料制备方法复合材料应用

[发明专利]石墨烯异质结线栅偏振器-CN202310244945.7在审
发明人：祁晋林;周旭;唐志列 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯异质结线栅偏振器，包括基底和设于所述基底上的石墨烯异质结线栅，所述石墨烯异质结线栅包括多个间隔且相互平行的线栅单元；每个线栅单元是由第一石墨烯薄膜、介电薄膜和第二石墨烯薄膜组成的异质结，其中所述第一石墨烯薄膜设于所述基底表面上，所述第二石墨烯薄膜设于第一石墨烯薄膜上，所述介电薄膜夹在所述第一石墨烯薄膜与第二石墨烯薄膜之间。本发明的所述石墨烯异质结线栅偏振器工作在可见光到近中红外波段工作波段宽，并且出射的偏振光的偏振态可调。
石墨烯异质结线栅偏振

[发明专利]非互易自旋波异质结波导材料及其制备方法和用途-CN201710331977.5在审
发明人：金立川;洪彩云;张怀武;饶毅恒;杨青慧;钟智勇;文岐业 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：一种非互易自旋波异质结波导材料，包括GGG单晶基片；以及YIG/石墨烯异质结材料，所述YIG/石墨烯异质结材料通过在所述GGG单晶基片表面生长一YIG薄膜、并将单层石墨烯转移到所述YIG薄膜烘干处理形成本发明同时提供了非互易自旋波异质结波导材料的制备方法和用途。本发明制得的YIG/石墨烯异质结薄膜相对于单一YIG薄膜上下表面传输的自旋波具有显著的非互易性，即YIG/石墨烯异质结材料的上下表面传播的自旋波幅值和峰位均发生了显著改变。
非互易自旋波异质结波导材料及其制备方法用途

[发明专利]一种二硫化钼/石墨烯异质结器件-CN201910995467.7有效
发明人：徐明生;王维佳 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L39/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/石墨烯异质结器件，所述二硫化钼/石墨烯异质结器件包括二硫化钼材料层和石墨烯材料层，所述二硫化钼和石墨烯层间的旋转角度在7°‑15°之间。本发明提供的二硫化钼/石墨烯异质结器件通过控制MoS2材料层与石墨烯材料层间的旋转角能够调控异质结体系的能带结构而可以诱导出超导特性。
一种二硫化钼石墨烯异质结器件

[发明专利]一种液相激光辅助合成异质原子掺杂石墨烯气凝胶的方法-CN201811366967.6在审
发明人：梁长浩;孙红梅;叶一星;蔡云雨;吴守良 -专利权人：中科院合肥技术创新工程院
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明公开了一种液相激光辅助合成异质原子掺杂石墨烯气凝胶的方法，涉及无机纳米材料制备领域。包括如下步骤：步骤1、将氧化石墨烯和含异质原子化合物混合均匀，并放入水中进行超声分散得到均一稳定的混合溶液；步骤2、将得到的混合溶液通过液相激光辐照得到异质原子掺杂的氧化石墨烯溶液，随后向该溶液中加入还原剂在室温下反应1‑20小时得到异质原子掺杂的石墨烯溶液；步骤3、将得到的异质原子掺杂的石墨烯溶液洗涤至中性，经过低温冷冻干燥后，得到异质原子掺杂的石墨烯气凝胶包括。本发明利用含异质原子化合物的光分解产物提供掺杂的氮源或硫源，在常温常压液相环境中即可实现石墨烯的掺杂，有效阻止了石墨烯在掺杂过程中的堆叠。
异质原子掺杂的石墨烯气凝胶掺杂石墨烯溶液混合溶液激光辅助石墨烯种液合成氧化石墨烯溶液低温冷冻干燥无机纳米材料光分解产物化合物混合氧化石墨烯常温常压超声分散激光辐照液相环境还原剂氮源堆叠放入均一硫源水中洗涤制备

[发明专利]一种氮化硼/石墨烯异质结器件-CN201911000926.X在审
发明人：徐明生;王维佳;冯志红;蔚翠 -专利权人：浙江大学;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硼/石墨烯异质结器件，其特征在于，所述氮化硼/石墨烯异质结器件包括六方氮化硼材料层和石墨烯材料层，所述氮化硼和石墨烯层间的旋转角度在5°‑15°之间。本发明提供的氮化硼/石墨烯异质结器件在特定的层与层堆砌(旋转)结构，可以使异质结体系出现平带结构而导致超导现象。
一种氮化石墨烯异质结器件

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