“王晓彧”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果29个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种电子束辐照掺杂石墨烯的方法及其在辐伏同位素电池中的应用-CN202310913195.8在审
发明人： 王晓彧;韩运成;何厚军;冯加明 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明公开一种电子束辐照掺杂石墨烯的方法及其在辐伏同位素电池中的应用。该电子束辐照掺杂石墨烯的方法，包括步骤：S1、利用化学气相沉积法或等离子体增强化学气相沉积法在铜基或镍基表面生长石墨烯；S2、利用电子加速器设备对上述铜基或镍基石墨烯表面进行电子束辐照；S3、通过衬底剥离技术，将辐照掺杂后的石墨烯与铜基或镍基衬底分离，从而得到电子束辐照掺杂石墨烯。同时提供一种电子束辐照掺杂石墨烯在辐伏同位素电池中的应用。本发明不仅能实现石墨烯材料半导体性能的有效调控，同时能够保证石墨烯辐伏同位素电池的长期稳定运行，为电子束辐照掺杂石墨烯工业化生产和加工以及石墨烯辐伏同位素电池的商业化应用提供技术支持。
一种电子束辐照掺杂石墨方法及其同位素电池中的应用

[实用新型]一种基于声阻抗渐变结构压电材料的空气耦合超声换能器-CN202320419936.2有效
发明人：郭紫怡;王晓彧;陆智媛;苏皖;鲍聪聪;朱赛杰;刘璎珞 -专利权人：南京工业职业技术大学
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于声阻抗渐变结构压电材料的空气耦合超声换能器，沿声有效发射方向依次包括背衬吸声层、第一电极层、声阻抗渐变结构压电振子、第二电极层和匹配结构，声阻抗渐变结构压电振子沿声有效传播方向的声阻抗系数降低，包括压电陶瓷结构和高分子复合材料结构。压电陶瓷结构包括多层压电陶瓷层，沿声有效发射方向的连通数减少或者压电陶瓷体积比降低；高分子复合材料结构包括二层以上的高分子复合材料层，沿声有效发射方向的连通数增加或者高分子材料体积比提高，与压电陶瓷结构适配。该超声换能器结构有助于在保证压电性能的前提下，有效缩小压电材料与空气之间声阻抗的差异，便于实现声阻抗的匹配。
一种基于声阻抗渐变结构压电材料空气耦合超声换能器

[发明专利]一种采用全氟磺酸聚合物提高性能的石墨烯基同位素电池及其制备方法-CN202310476446.0在审
发明人： 王晓彧;冯加明 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明属于微能源和核技术应用领域，公开了一种采用全氟磺酸聚合物提高性能的石墨烯基同位素电池及其制备方法。该石墨烯基同位素电池包括自上而下依次层叠布置的放射源、全氟磺酸聚合物层、石墨烯层、本征半导体材料层、N型半导体材料层和背电极；全氟磺酸聚合物层作为石墨烯转移的中间介质层和石墨烯的高效P型掺杂剂，与石墨烯层组成全氟磺酸复合石墨烯层。采用本发明制备方法的能有效解决当前石墨烯功函数、本征载流子浓度较低及石墨烯转移过程中的褶皱破损导致石墨烯基同位素电池输出性能不理想的问题；同时，增加本征半导体材料层，能有效提高石墨烯基同位素电池器件的势垒宽度，进一步提升器件的整体输出性能。
一种采用全氟磺酸聚合物提高性能石墨同位素电池及其制备方法

[发明专利]一种基于三维通孔结构的核电池及其制备方法-CN202211392693.4在审
发明人： 王晓彧;韩运成;张佳辰;何厚军;任雷;张思纬;李桃生 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开一种基于三维通孔结构的核电池及其制备方法，所述核电池包括三维通孔PIN结半导体换能单元、放射源和电极层；所述单元自上而下依次为：P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层；放射源填充在本征半导体通孔中，P型半导体通孔和N型半导体通孔中填充电绝缘材料，所述方法包括：在半导体衬底上得PIN结构，刻蚀得三维通孔阵列；在所述阵列底部制金属种子层，在N型半导体通孔中填充导电材料；在本征半导体通孔中填充放射源材料，在P型半导体通孔中填充电绝缘材料，在N型半导体通孔中将上述填充的导电材料转换为电绝缘材料。本发明提高放射源衰变粒子在本征层内的能量沉积和放射源衰变能到电能的转换效率，实现高输出性能核电池的制备。
一种基于三维结构核电及其制备方法

[实用新型]一种材料弹性模量的检测装置-CN202222355828.1有效
发明人： 王晓彧;黄文茜;郭紫怡 -专利权人：南京工业职业技术大学
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G01N3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种材料弹性模量的检测装置，包括实验架、试样、拉力机构、施力机构、换能机构和数字示波器，所述拉力机构的一端与实验架的一侧连接，拉力机构的另一端与试样的一端连接；所述施力机构的一端与实验架的另一侧连接，施力机构的另一端与试样的另一端连接；所述换能机构分别与实验架和施力机构连接，并与数字示波器电连接。该检测装置具有结构简单、易于操作、线性度和对称度高、稳定性和重复性好等优点。
一种材料弹性模量检测装置

[发明专利]一种SiC三维PIN结构辐射伏特式3-CN202010854285.0有效
发明人：韩运成;张佳辰;柳伟平;王晓彧;李桃生 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G21H1/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种SiC三维PIN结构辐射伏特式3H源同位素电池，包括呈三维结构的SiC换能元件(1)、电极单元(2)和至少一个3H同位素源(3)，所述SiC换能元件(1)采用PIN型结构，所述3H同位素源(3)设置在所述SiC换能元件(1)内，所述电极单元(2)与所述SiC换能元件(1)连接。本发明结构简单，利用长半衰期、高能量密度、不易受环境影响、价格便宜的3H同位素作为能量来源，换能单元材料SiC为第三代半导体材料，能量转换效率高，抗辐射，抗高温，形成可以长时间、适应能力强和稳定工作的电源装置。
一种 sic 三维 pin 结构辐射伏特 base sup

[发明专利]一种基于石墨烯的异质结同位素电池-CN202010868066.8有效
发明人：柳伟平;韩运成;王晓彧;张佳辰;李桃生 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于石墨烯的异质结同位素电池，包括石墨烯异质结能量转换结构和与所述石墨烯异质结能量转换结构相配合的放射源，所述石墨烯异质结能量转换结构包括衬底材料层，设置在所述衬底材料层的背面的背电极，设置在所述衬底材料层的正面的石墨烯层，所述石墨烯层与所述衬底材料层之间形成异质结。本发明采用石墨烯与半导体材料形成异质结，异质结金属层的石墨烯的厚度仅几个纳米，减小了金属层对源层的吸收阻挡作用，并且石墨烯的功函数较高，能与半导体材料形成较大的内建电场，有利于开路电压的提升，同时石墨烯还能作为电极材料，进一步减小放射源衰变粒子的能量损失提高了同位素电池的整体能量转换效率。
一种基于石墨异质结同位素电池

[发明专利]一种基于气动磁镜中子源驱动的次临界同位素生产系统-CN202210886315.5在审
发明人：韩运成;熊厚华;任雷;曾秋孙;王晓彧;李桃生 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G21G1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于气动磁镜中子源驱动的次临界同位素生产系统，包括：气动磁镜中子源(S1)，用于通过发生氘氘反应产生聚变中子；次临界包层(S2)，设置在所述气动磁镜中子源(S1)内，含有低浓缩235U盐溶液，用于通过中子与235U发生裂变反应产生放射性同位素；分离提纯单元(S3)，与所述次临界包层(S2)连接，用于对产生的放射性同位素进行分离提纯。本发明利用氘氘聚变型反应的高源强气动磁镜中子源，由于氘相对于氚的获取更容易、存储更安全、成本更低等特点，本发明具有造价低、中子通量高和同位素生产效率高等优点。
一种基于气动磁镜中子源驱动临界同位素生产系统

[外观设计]口罩（中药型）-CN202230296020.3有效
发明人： 王晓彧;史浩宇;李子昂;高灿阳;崔子昂;丁慧;吉嘉璐 -专利权人： 王晓彧
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： 29-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：口罩（中药型）。2.本外观设计产品的用途：用于空气过滤的口罩。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
口罩中药

[发明专利]一种基于金属-绝缘-半导体结构的叠层慢中子探测器及其制备方法-CN202210561590.X在审
发明人：任雷;韩运成;何厚军;张锐;王晓彧;张佳辰;陈思泽;郁杰 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01T3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于金属‑绝缘‑半导体结构的叠层慢中子探测器及其制备方法。叠层结构慢中子探测器是由多个基本探测单元通过串联或并联的方式叠加构成的。所述基本探测单元包含隔离层、栅电极金属层、中子转换材料绝缘层、半导体层、衬底以及欧姆接触金属层，生长在半导体层上的中子转换材料薄膜为绝缘层，构成了金属电极‑中子转换材料薄膜‑半导体‑金属电极的结构。本发明在传统金属‑半导体的肖特基结构探测器的基础上增加了一层中子转换材料薄膜绝缘层，实现对慢中子响应，提高了器件的紧凑型，相比于传统肖特基结构探测器可降低1～2个量级的器件暗电流，提高信噪比以及对特征峰的能量分辨率。
一种基于金属绝缘半导体结构叠层慢中子探测器及其制备方法

[发明专利]一种硅基叠层结构辐射伏特式同位素电池-CN202210502108.5在审
发明人：陈春花;何厚军;韩运成;任雷;张佳辰;王晓彧;张思纬 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基叠层结构辐射伏特式同位素电池，包括呈超薄叠层结构的硅换能元件(1)、同位素源(2)和电极单元(3)。所述硅换能元件(1)采用PN结型或PIN结型结构，所述同位素源(2)设置在所述两层硅换能元件(1)之间，所述电极单元(3)位于硅换能元件(1)两侧用于引出生成电流。本发明结构简单，利用3H同位素、63Ni同位素、或147Pm同位素作为能量来源，换能单元材料硅制备工艺相对成熟，可形成适应能力强和长时间稳定工作的电源装置。本发明同位素电池的功率密度可达到500μW/cm3以上，相对传统的平面结构同位素电池可提升1‑2个数量级。
一种硅基叠层结构辐射伏特同位素电池

[发明专利]增稠的粘弹性流体及其用途-CN201280022032.0有效
发明人： J·F·加德贝瑞;M·J·恩格尔;J·D·诺瓦克;J·周;王晓彧 -专利权人：阿克佐诺贝尔化学国际公司
申请日： 2012-05-21 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： C09K8/68 文献下载
摘要：本发明一般性涉及一种粘弹性流体、增稠的酸组合物等以及使用所述胶凝的组合物的方法。本发明的增稠的组合物可有用地用于增产和/或改变地下地层的渗透率的方法中，用于钻井液、完井液、修井液、酸化液、压裂、砾石充填等中。
粘弹性流体及其用途

[实用新型]一种电流变液超声测试装置-CN201620744844.1有效
发明人： 王晓彧;吴浩东;陈江龙;谢从兵 -专利权人：江苏融庆科技有限公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： G01N29/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电流变液超声测试装置，包括超声换能器固定装置、上层盖板和下层载体，所述上层盖板和下层载体分别设置在超声换能器固定装置上下两侧。所述上层盖板包括第一带孔板块，第一带孔板块中部设有第一铜电极，第一铜电极连接电极引出线，电极引出线另一端为第一电极引出点，第一带孔板块四角设有第二螺丝固定通孔。所述下层载体包括第二带孔板块，第二带孔板块中部设有电流变液承载槽，电流变液承载槽连接电极引出槽，电极引出槽另一端为第二电极引出点，第二带孔板块四角设有第三螺丝固定通孔。
一种流变超声测试装置

[实用新型]一种氮化镓基声表面波器件-CN201320181100.X有效
发明人： 王晓彧;吴浩东;陈江龙 -专利权人：镇江畅信超声电子有限公司
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： H03H9/21 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓基声表面波器件，由下至上依次为SiC基片、氮化铝成核层、氮化镓材料层、氮化铝层以及氮化镓铝层；氮化镓铝层上设有声表面波叉指换能器，声表面波叉指换能器包括输入换能器、输出换能器及外围的吸声材料区。本实用新型使得声表面波能量能集中于声表面波器件氮化镓层中，有益于提供声表面波器件效率。
一种氮化镓基声表面波器件

[实用新型]一种氮化镓基器件中继器-CN201220342938.8有效
发明人： 王晓彧;吴浩东;陈江龙 -专利权人：镇江畅信超声电子有限公司
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H04B7/15 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓基器件中继器，包括顺序连接的第一匹配器、第二匹配器、第三匹配器以及第四匹配器；所述第一匹配器与第二匹配器之间连接第一氮化镓带通声表面波滤波器；所述第二匹配器与第三匹配器之间连接氮化镓功率放大器；所述第三匹配器与第四匹配器之间连接第二氮化镓带通声表面波滤波器。本实用新型中均采用氮化镓器件进行设计，有利于实现电子器件小型化，便于集成，待氮化镓工艺成熟可进行单片设计。
一种氮化器件中继

1
2
下一页»
尾页
共 29 条