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[发明专利]非互易自旋波异质结波导材料及其制备方法和用途-CN201710331977.5在审
发明人：金立川;洪彩云;张怀武;饶毅恒;杨青慧;钟智勇;文岐业 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：一种非互易自旋波异质结波导材料，包括GGG单晶基片；以及YIG/石墨烯异质结材料，所述YIG/石墨烯异质结材料通过在所述GGG单晶基片表面生长一YIG薄膜、并将单层石墨烯转移到所述YIG薄膜烘干处理形成本发明同时提供了非互易自旋波异质结波导材料的制备方法和用途。本发明制得的YIG/石墨烯异质结薄膜相对于单一YIG薄膜上下表面传输的自旋波具有显著的非互易性，即YIG/石墨烯异质结材料的上下表面传播的自旋波幅值和峰位均发生了显著改变。
非互易自旋波异质结波导材料及其制备方法用途

[发明专利]一种基于异质结结构的弹性波增强器-CN202210569156.6在审
发明人：陶智勇;宋乐;刘欢;张日丰;张乔木;樊亚仙 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G01H17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于异质结结构的弹性波增强器，其属于弹性波调控技术领域，其包括弹性波异质结，所述弹性波异质结实现异质结内部的弹性波信号增强。基于异质结结构的弹性波增强器进一步包括两段结构参数不同的周期起伏弹性的第一结构和第二结构，弹性波异质结设置在第一结构和第二结构之间；两段起伏第一结构和第二结构均可传输弹性波信号，分别具有不同的传输特性。本发明基于异质结结构的弹性波增强器，可根据实际应用场景进行调整，调整第一结构入射面或第二结构出射面的高度，进而实现对弹性波信号增强效果的调整。
一种基于异质结结构弹性增强

[发明专利]基于多铁异质结的电场控制自旋波逻辑器件及其控制方法-CN202010766278.5有效
发明人：朱明敏;崔淑婷;施胜宾;年迪青;邱阳;杨浛;郁国良;周浩淼 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N30/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多铁异质结的电场控制自旋波逻辑器件及其控制方法，包括多铁异质结，多铁异质结表面布设波导层，且有若干顶电极分布于波导层两侧，其中该逻辑器件分成若干功能区域：至少一个激发区，位于逻辑器件的一端，通过电极施加电压，多铁异质结产生的应变传递至波导层，影响波导层中的磁各向异性，进而使磁化方向产生偏转，最终激发自旋波；至少一个检测区，位于逻辑器件另一端，自旋波导致的波导层应变与多铁异质结耦合，产生微波电信号；至少一个调控区，位于激发区和检测区之间，通过电极调整电场以调控自旋波；利用自旋波干涉作用完成逻辑运算。
基于多铁异质结电场控制自旋逻辑器件及其方法

[发明专利]一种基于GaN半导体材料异质结场效应晶体管结构的太赫兹波空间外部调制器-CN201510952054.2在审
发明人：文岐业;李胜;张波;田伟 -专利权人：成都浩博依科技有限公司
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GaN半导体材料异质结场效应晶体管结构的太赫兹波空间外部调制器，包括衬底层（1）、GaN缓冲层（2）、AlGaN势垒层（3）、欧姆金属层（4）、隔离介质层（5）、肖特基金属层（6）和超颖材料层（7），GaN缓冲层（2）和AlGaN势垒层（3）是在衬底上外延的异质结，在自发极化和压电极化的作用下在异质结界面处产生二维电子气，作为器件的导电沟道。该调制器以超颖材料的人工单元为基本结构，引入GaN半导体异质结场效应晶体管，通过改变GaN半导体异质结场效应晶体管的栅极电压来调控超颖材料的人工单元开口的通断，从而实现对太赫兹波的高速有效调制。能够有效提高太赫兹波空间外部调制器的调制速率，实现对太赫兹波的高速高效调制。
一种基于 gan 半导体材料异质结场效应晶体管结构赫兹空间外部调制器

[发明专利]基于碲化铋-石墨烯异质结的太赫兹探测器及其制备方法-CN201910638572.5在审
发明人：金立川;张磊;贾侃成;张怀武;张岱南;魏苗清;文岐业 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：一种基于碲化铋‑石墨烯异质结的太赫兹波探测器及其制备方法，属于太赫兹波探测器件技术领域。所述探测器包括半导体衬底，形成于半导体衬底之上的绝缘层，形成于绝缘层之上的由石墨烯和碲化铋层组成的异质结，位于异质结两端的源极和漏极，以及形成于半导体衬底背面的栅极。本发明采用石墨烯和碲化铋纳米片组成的异质结作为场效应管沟道，有效解决了单层石墨烯在太赫兹频段光吸收率低的问题，吸收率相较于单层石墨烯提高了20％以上；采用背栅以及先形成源极和漏极的方法，有效保证了石墨烯‑碲化铋异质结的完整性，提高了太赫兹探测器的性能。
异质结石墨烯碲化铋衬底绝缘层半导体太赫兹波探测器单层石墨烯漏极源极吸收率场效应管沟道太赫兹探测器光吸收率有效解决纳米片频段探测器背栅制备保证

[发明专利]一种基于光子晶体异质结的太赫兹隔离器-CN201310560668.7有效
发明人：袁明辉;黄鑫;陈长英;阎祖星;殷越;陈麟;朱亦鸣 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： G02F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光子晶体异质结的太赫兹隔离器，包括：由第一光子晶体和第二光子晶体组成的用于接收太赫兹波入射的光子晶体异质结，分别设置在光子晶体异质结两侧用于引入太赫兹波的入射端口和用于导出太赫兹波的出射端口本发明中的基于光子晶体异质结的太赫兹隔离器，不需要外加低温和磁场等极端条件，在常温常态条件下就可以正常工作。
一种基于光子晶体异质结赫兹隔离器

[发明专利]一种基于面内异质结的极化波波导传输耦合装置及制备方法-CN201811336502.6有效
发明人：戴庆;郭相东;杨晓霞;胡海;胡德波;廖宝鑫 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于面内异质结的极化波波导传输耦合装置，该传输耦合效率可调控，所述装置自下而上依次包括设置的衬底、电介质层、石墨烯/hBN面内异质结薄膜；本发明可改变石墨烯等离激元极化波和hBN声子极化波的动量匹配条件，从而调控极化波之间的传输耦合效率；当调控石墨烯费米能达到两种极化波动量匹配点时，极化波之间的耦合效率可达到100％，实现100％透射。
一种基于面内异质结极化波导传输耦合装置制备方法

[发明专利]一种镍铁氧化物异质结吸波材料及其制备方法-CN202110270000.3有效
发明人：张喆;晏晓东;徐汉文;顾志国 -专利权人：江南大学
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍铁氧化物异质结吸波材料及其制备方法，属于新型无机非金属材料技术领域。本发明方法包括：将镍盐、铁盐和乙二胺四乙酸二钠溶解于水中；向得到的溶液中滴加碱性溶液调节溶液pH值至8～14；将得到悬浮液置于水热釜中进行水热反应；冷却后进行固液分离、水洗和干燥，即得镍铁氧化物异质结吸波材料本发明制备的镍铁氧化物异质结吸波材料粒径均一，金属比例可调，成分可控，有效提高了铁氧体材料的吸波性能，且制备工艺简单，不仅解决了大批量生产的问题，而且能耗低，生产成本低。
一种氧化物异质结吸波材料及其制备方法

[发明专利]一种有效提升响应度的太赫兹探测器-CN201911322249.3有效
发明人：谢倩;黄安鹏;李杰;王政 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种有效提升响应度的太赫兹探测器，包括源电极、异质结区、栅电极、栅氧化层、漏电极、漏区、衬底和源区；衬底内部两侧分别设有漏区和源区，漏区上方设有与其形成欧姆接触的漏电极，源区上方设有与其形成欧姆接触的源电极，栅氧化层形成在衬底上表面且位于漏电极和源电极之间，栅电极形成在栅氧化层上表面，异质结区与源区右边界、栅氧化层下边界邻接，其中异质结区的电子迁移率高于衬底，异质结区的长度大于等离子体波衰减距离且小于等于栅极长度，异质结区的厚度小于衬底厚度。本发明在提高沟道迁移率的同时，降低栅电极与沟道之间的交流泄漏电流，避免衬底交流电流对局部沟道等离子体波的形成产生干扰，从而提升探测器响应度。
一种有效提升响应赫兹探测器

[发明专利]基于基片集成波导天线的锗硅异质结双极晶体管探测器-CN201811094137.2有效
发明人：孙鹏林;傅海鹏;张齐军;马建国 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01Q19/10 文献下载
摘要：一种基于基片集成波导天线的锗硅异质结双极晶体管探测器，包括用于探测的锗硅异质结双极晶体管，所述锗硅异质结双极晶体管的基极通过匹配网络连接用来接收太赫兹波信号的基片集成波导天线，所述锗硅异质结双极晶体管的发射极接地，所述锗硅异质结双极晶体管的集电极通过输出滤波器分别连接四分之一波长开路微带线和直流偏置电压，以及构成输出端。本发明的基于基片集成波导天线的锗硅异质结双极晶体管探测器，提高片上集成天线的增益和效率，减小接直流偏置的封装线引入的寄生效应。
基于集成波导天线锗硅异质结双极晶体管探测器

[发明专利]一种使用微波烘干异质结电池硅片装置-CN202310043208.0在审
发明人：韩美洲;胡大鹏;贺成成;戴加勇 -专利权人：苏州港麟微电子有限公司
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： F26B3/347 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用微波烘干异质结电池硅片装置，涉及异质结电池领域，包括微波室，所述微波室内设置有微波发生器，所述微波室之前设置有进料装置，所述进料装置连接于机架，所述机架与微波室连接。进料装置将装有异质结电池硅片的花篮推入微波室内，微波室内的微波发生器发出的微波是一种高频波，能够进行高速变换引起水分子的高速度轮摆运动，它们互相磨擦产生极大的热量，致使异质结电池硅片变得干燥，解决了目前市场上对于异质结电池硅片的干燥步骤中，采取把花篮放到真空烘箱里面用红外、加热丝、加热板或加热棒发出的热量来烘干硅片，导致烘干时间长、烘干效果不理想，易导致异质结电池硅片下一步纯化不够完美的问题。
一种使用微波烘干异质结电池硅片装置

[发明专利]基于四价化合物异质结结构的多尺度仿真方法-CN201910374381.2在审
发明人：江斌;渠开放;吉娜;李桂华;王伟 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于四价化合物异质结结构的多尺度仿真算法，包括对四价化合物异质结材料原子层面的建模、材料特性计算等。本发明的主要步骤是：从原子层面对四价化合物异质结进行材料结构建模；分析实例材料空间异质结构，需要考虑范德瓦尔斯力在异质结构中的作用；利用第一性原理对异质结材料特性进行分析，从而得到能带、态密度等特性。本发明结合第一性原理、密度泛函理论、平面波和赝势理论、最大化局部瓦涅尔函数的系统级多尺度方法，对探究新型四价化合物异质结构二维材料的相关材料性能具有重要的意义。
四价化合物异质结构多尺度第一性原理异质结材料异质结结构建模范德瓦尔斯力密度泛函理论材料结构材料特性材料性能二维材料仿真算法实例材料原子层面平面波系统级异质结原子层最大化分析

[发明专利]一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源-CN201910525464.7有效
发明人：徐新龙;姚泽瀚;张隆辉;黄媛媛;朱礼鹏;杜婉怡 -专利权人：西北大学
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源，包括二维材料薄膜与三维半导体材料所构成的范德瓦尔斯异质结、泵浦光源和电极；本发明通过使用二维材料薄膜如石墨烯或过渡金属硫族化合物与三维半导体材料构建范德瓦尔斯异质结，以增强半导体材料中的太赫兹辐射；本发明通过构建范德瓦尔斯异质结，在偏压的作用下有效提高了三维半导体表界面的太赫兹波产生强度，在未来集成化、一体化的太赫兹系统中有广泛的应用前景。
一种基于瓦尔斯异质结赫兹辐射源

[发明专利]基于SiGe基异质结频率可重构全息天线的制备方法-CN201611185730.9在审
发明人：尹晓雪;张亮 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于SiGe基异质结频率可重构全息天线的制备方法。该方法包括在SiGeOI衬底上按照全息天线的结构制作多个SiGe基异质结SPiN二极管，且SiGe基异质结SPiN二极管的P区采用Si材料、i区采用SiGe材料及N区采用Si材料；将多个SiGe基异质结SPiN二极管依次互连PAD以形成多个SiGe基异质结SPiN二极管串；在SiGe基异质结SPiN二极管串与直流偏置电源之间采用半导体工艺制作直流偏置线以实现SiGe基异质结SPiN二极管串与直流偏置电源的连接本发明制备的全息天线体积小、结构简单、易于加工、无复杂馈源结构、频率可快速跳变，且天线关闭时将处于电磁波隐身状态，易于组阵，可用作相控阵天线的基本组成单元。
基于 sige 基异质结频率可重构全息天线制备方法

[发明专利]一种离子调控型自旋波晶体管及其制备方法-CN202110155537.5有效
发明人：金立川;刘帅;张怀武;钟智勇;徐嘉鹏;张磊 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种离子调控型自旋波晶体管及其制备方法，属于自旋波器件技术领域。所述离子调控型自旋波晶体管包括衬底基片，形成于衬底基片之上的底电极层，形成于底电极层之上的磁性薄膜，形成于磁性薄膜之上的离子层‑顶电极层异质结，以及位于离子层‑顶电极层异质结两侧的微波天线。本发明离子调控型自旋波晶体管，磁性薄膜中的磁性原子与离子层中储存的离子，在电场的作用下发生氧化还原反应，使磁性薄膜的磁性能发生改变，进而实现自旋波传输幅度和相位的电场调控具有低功耗和长距离传输等技术优势
一种离子调控自旋晶体管及其制备方法

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