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[发明专利]单晶金刚石及其制造方法-CN202280020017.6在审
发明人：左亦康;李真和;西林良树;寺本三记;小林丰;角谷均 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：一种单晶金刚石，其中，X射线衍射摇摆曲线的半值宽度为20秒以下，拉曼分光光谱的拉曼位移为1332cm‑1以上且1333cm‑1以下的峰的半值宽度为2.0cm‑1以下，蚀坑密度为10000个/cm2以下，氮的原子数基准的含有率为0.0001ppm以上且0.1ppm以下，13C的原子数基准的含有率为0.01％以上且1.0％以下。
金刚石及其制造方法

[发明专利]一种单晶金刚石的生产方法-CN202310895817.9在审
发明人：鲁振海;王彩利;朱肖华;常新磊;张东阳 -专利权人：河南天璇半导体科技有限责任公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明属于化学气相沉淀技术的单晶生长领域，特别是涉及一种单晶金刚石的生产方法。为了解决现有技术中由于将单晶金刚石单片切割而导致切割时浪费时间、且在籽晶生长过程中不同籽晶间的温差较大的技术问题，本发明提出了一种单晶金刚石的生产方法，包括使m×n片籽晶排列成m排×n列的矩阵并进行沉积生长的生长步骤和切割不同籽晶的切割步骤，其中，m≥2，n≥2；在生长步骤后执行切割步骤，在切割步骤后再次执行生长步骤，在切割步骤中，使每片籽晶至少与一片籽晶连为一体。使每片籽晶至少与一片籽晶连为一体，能够减短切割的路径，从而缩短切割时长，还能够使不同籽晶之间通过边缘多晶进行热交换，从而使不同籽晶间的温差较小。
一种金刚石生产方法

[发明专利]一种快/热中子同时探测的金刚石探测器的制备方法-CN202310804330.5在审
发明人：刘金龙;牟恋希;王鹏;杨良禾;郭明明;李建林;李成明;魏俊俊;陈良贤;张建军 -专利权人：北京科技大学;河南飞孟金刚石股份有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种快/热中子同时探测的金刚石探测器的制备方法，属于半导体技术领域，辐射探测器制备技术，涉及具有共格界面金刚石与六方氮化硼复合结构的中子探测器制备方法。具体包括如下步骤：a)“探测器级”单晶金刚石材料的制备及处理；b)具有共格界面的金刚石六方氮化硼复合结构的制备；c)分区域镀制不同材料的金属电极；d)将探测器各自封装到相应的检测系统中。本发明通过构建具有共格界面金刚石六方氮化硼结构的中子探测器，能够分别实现对于热中子和快中子的收集，降低金刚石中子探测器的暗电流，显著提高了中子探测效率。
一种热中子同时探测金刚石探测器制备方法

[发明专利]一种超疏水氧终端多晶硼掺杂金刚石膜的制备方法-CN202111330072.9有效
发明人：李红东;王鹏;刘钧松;成绍恒;高楠;崔政 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明的一种超疏水氧终端多晶硼掺杂金刚石膜的制备方法属于多晶金刚石膜制备的技术领域，步骤包括沉积硼掺杂多晶金刚石薄膜、沉积Au和Cu薄膜、管式炉中高温刻蚀等。本发明首次实现氧终端金刚石膜具有超疏水性，且制备过程以一种简便、易操作、成本较低的方式，本研究将在开发坚硬的超疏水材料领域中具有重要意义。
一种疏水终端多晶掺杂金刚石制备方法

[发明专利]一种黄色钻石的生产工艺-CN202311056796.8在审
发明人：孙飞 -专利权人：浙江新瑞芯材科技有限公司
申请日： 2023-08-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种黄色钻石的生产工艺，包括以下步骤：采用单质钻石原料作为钻石晶种，采用切割设备对钻石晶种进行切片，将切片后的钻石晶种固定，将固定后的钻石晶种使用抛光设备的对钻石晶种表面进行抛光处理，将打磨、抛光后的钻石晶种放置在压力培育室内进行培育，向压力培育室内通入甲烷，同时加入氢气和氮气。本发明采用钻石晶种为母石，利用高纯度甲烷，在氢、氮等气体辅助下，在培育室内，让甲烷与钻石一样的碳分子不断地积累到钻石原石上面，经过一层层的增生，使氮元素可以充分、均匀的分布在钻石内部的，使钻石在自然光线下显现出黄色，提升钻石的装饰性，使消费者更加喜爱。
一种黄色钻石生产工艺

[发明专利]一种金刚石、其光学性质改进方法及制造方法-CN202111575391.6有效
发明人：马懿;缪嘉伟;艾永干 -专利权人：苏州贝莱克金刚石科技有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石、其光学性质改进方法及制造方法。所述光学性质改进方法包括：在待处理的金刚石的至少部分表面涂覆光学改性涂料，以在所述金刚石表面形成光学改性薄膜，所述光学改性薄膜的透光率低于50％；以及以激光对所述金刚石未被光学改性薄膜覆盖的至少部分区域进行切割。涂覆于金刚石表面能够防止激光因金刚石折射率不均匀导致的发散现象，避免了激光的能量传递至金刚石的缺陷处或应力集中处，进而有效杜绝了开裂现象，光学改性薄膜还具有导热、增韧的功能，能够及时传导金刚石表面的局部热量，使得金刚石被切割表面的温度均匀程度得以提升，光学改性薄膜的增韧作用使得微观裂纹不会扩大成宏观裂纹，进一步地避免了金刚石的开裂。
一种金刚石光学性质改进方法制造

[发明专利]一种高韧性CVD金刚石膜及其制备方法和应用-CN202210290325.2在审
发明人：王博;张长安;赵利民;袁俊;张舒冬 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中石化（大连）石油化工研究院有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高韧性CVD金刚石膜及其制备方法和应用。该CVD金刚石膜内部全部为SP3杂化金刚石相，所述SP3杂化金刚石相为多晶结构。本发明提供的高韧性CVD金刚石膜及其制备方法和应用。本发明的CVD金刚石膜具有良好的韧性，同时也具有良好的硬度和耐磨性，可用于地质钻探领域。
一种韧性 cvd 金刚石及其制备方法应用

[发明专利]一种金刚石生长的基片台结构及其使用方法-CN202110209128.9有效
发明人：余军火;王连忠;王斌;卢泽;杨成武 -专利权人：廊坊西波尔钻石技术有限公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本申请涉及单晶金刚石生长技术领域，尤其是涉及一种金刚石生长的基片台结构及其使用方法，其技术方案要点是：基片台结构包括钼片，钼片上设置有多个活动插销，活动插销向钼片的一端面外侧延伸，多个活动插销将钼片划分成多个籽晶生长区域；活动插销与钼片滑动连接；达到了方便将金刚石从基片台上取下以提高基片台的重复利用性，进而降低单晶金刚石生长的成本的目的。
一种金刚石生长基片台结构及其使用方法

[发明专利]一种提高单晶金刚石表面β-氧化镓薄膜结合力的方法-CN202310622178.9在审
发明人：王永胜;于盛旺;陈子豪 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶提高金刚石表面β‑Ga2O3薄膜结合力的方法，属于金刚石表面薄膜制备技术领域。本发明使用两步水热法在单晶金刚石上制备了β‑Ga2O3薄膜：通过等离子刻蚀处理单晶金刚石表面，随后在高温水浴环境下播种，然后生长GaOOH薄膜，最后高温退火即可。在此基础上，通过掩膜/光刻等工艺进一步制备β‑Ga2O3器件。本发明能够有效改善β‑Ga2O3器件由于极低的热导率所导致的自热效应，提高器件的性能和稳定性，提高了金刚石与β‑Ga2O3之间的膜基结合力，解决了两者结合时由于晶格常数和热膨胀系数的较大差异导致β‑Ga2O3薄膜与金刚石衬底之间出现裂缝或者掉落的问题。
一种提高金刚石表面氧化薄膜结合方法

[发明专利]一种可控制备单晶金刚石纳米柱阵列簇的方法-CN202210891980.3有效
发明人：谭心;贺占清;杨桥;王建 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明涉及金刚石色心单光子源领域，公开了一种可控制备单晶金刚石纳米柱阵列簇的方法，包括以下步骤：以单面抛光单晶硅为基底，采用微波等离子体化学气相沉积方法制备分离的微米尺度的金刚石单晶颗粒；采用阳极氧化铝模板在金刚石单晶颗粒上表面制备金属阵列掩膜；采用氧等离子体刻蚀技术实现单晶金刚石纳米柱阵列簇的制备；本发明针对现有光刻技术制备金刚石纳米柱阵列难以实现纳米尺度制备和成本高的问题，为高纯度、高亮度的金刚石单光子源的集成化和低成本制备奠定基础。
一种可控制备金刚石纳米阵列方法

[发明专利]一种大尺寸HPHT金刚石单晶片同质外延生长方法-CN202210747489.3有效
发明人：陈明;张国凯;曹通;薛晨阳;朱培;郭鋆;郭崇 -专利权人：中南钻石有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明属于大尺寸单晶金刚石制造工艺技术领域，具体涉及一种大尺寸HPHT金刚石单晶片同质外延生长方法。本发明的方法以大尺寸HPHT单晶片作为晶种，采用CVD法同质外延生长，通过控制生长初期的等离子刻蚀条件和CH4的添加方式，并合理设置CH4的添加浓度和保持时间，大幅度降低了HPHT单晶片表面因缺陷密度高易形成多晶杂质的概率，实现生长表面状态的顺利过渡，保证了结晶质量和生长时间。该方法直接解决大尺寸HPHT单晶片生长难度大的难题，而且经激光切割和抛光处理后，原HPHT单晶片和分离的CVD单晶片均可用于再次生长，重复利用率高，也证明了制备的CVD单晶片质量良好稳定，具有较高的发展前景和应用价值。
一种尺寸 hpht 金刚石晶片同质外延生长方法

[发明专利]仿生自清洁多晶金刚石的制备方法-CN202310479229.7在审
发明人：刘康;范赛飞;张伟伟;刘本建;朱嘉琦;代兵 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：仿生自清洁多晶金刚石的制备方法，本发明的目的是为了解决多晶金刚石表面易吸附粉尘的问题。制备方法：一、超声清洗多晶金刚石；二、金刚石放入化学气相沉积设备中；三、通入反应气体H2与O2，使金刚石表面温度保持在500～900℃之间进行氧刻蚀1～3h；四、通入Ar、N2与CH4，进行纳米金刚石的外延生长0.5～3h；五、通入H2，使金刚石表面温度保持在500～900℃之间进行氢刻蚀1～3h；六、关闭设备；七、滴入氟硅烷进行表面化学修饰。本发明采用三步法分别对金刚石进行氧刻蚀、外延生长和氢刻蚀，在多晶金刚石表面形成高比表面积的双重微纳结构，实现了多晶金刚石表面的超疏水，并且具有优异的自清洁功能。
仿生清洁多晶金刚石制备方法

[发明专利]一种双层加热管合成培育钻石调整温度梯度的装置-CN202310490621.1在审
发明人：刘坤;刘杰;张梦杰;李凤凤;刘嘉煜 -专利权人：郑州华晶金刚石股份有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明属于合成培育钻石或者特种钻石技术领域，尤其涉及一种双层加热管合成培育钻石调整温度梯度的装置，包括位于外部的柱状中空的复合叶腊石，以及白云石环和位于芯部的圆形导电圈，叶腊石中心设有四周密封的加热组件和位于加热组件中心的内部合成体，加热组件包括石墨加热片和石墨加热管，石墨加热管包括主石墨加热管和辅助石墨加热管，内部合成体从上至下依次包括传压陶瓷片、绝缘保温填充片、碳源、催化剂触媒、晶床，晶床中心设有晶种，碳源、催化剂触媒和晶床外边缘还套设一个高纯氧化镁管，本发明具有结构简单、调整方便的优点。
一种双层热管合成培育钻石调整温度梯度装置

[发明专利]金刚石在碳化硅衬底上成核密度周期性调制方法-CN202111326033.1有效
发明人：彭燕;胡秀飞;王希玮;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种金刚石在碳化硅衬底上成核密度周期性调制方法，通过在碳化硅衬底的碳面或硅面上制备凹槽。将制备有凹槽的碳化硅衬底放置在CVD设备的生长腔内，通入反应气体和辅助气体进行金刚石颗粒的生长，最后，生长至预设时间后，将所述碳化硅衬底从所述生长腔内取出，观察所述凹槽的底部、侧壁以及外部的金刚石颗粒形貌和成核密度。基于在金刚石颗粒生长过程中，处于凹槽不同的位置接触到等离子体有差异，使得凹槽不同位置的金刚石颗粒成核密度的差异，进而实现金刚石颗粒在碳化硅衬底上成核密度周期性调制。
金刚石碳化硅衬底成核密度周期性调制方法

[发明专利]一种单晶金刚石及制备方法-CN202210011087.7有效
发明人：任泽阳;丁森川;张金风;苏凯;马源辰;李俊鹏;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶金刚石及制备方法，其制备方法包括步骤：S1、在衬底上制备金刚石成核层；S2、在金刚石成核层上外延生长晶面取向均一、且表面凹凸不平的多晶金刚石层；S3、在多晶金刚石层的凹凸不平的表面上外延生长金属铱；S4、对金属铱进行表面抛光处理，以露出多晶金刚石层与金属铱交错分布的平面，形成复合衬底；S5、在复合衬底上生长单晶金刚石。该制备方法在晶面取向均一的多晶金刚石表面即可形核，避免传统单晶金刚石异质外延过程中形核阶段对衬底直流偏压的需要，且所形成的单晶金刚石晶体取向均一，质量较高，从而实现了与现有设备的兼容，降低了工艺复杂度，提高了成品率。
一种金刚石制备方法

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