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[实用新型]一种SiC MOSFET功率模块的结构-CN202220712885.8有效
发明人：於正新;许海东 -专利权人：南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SiC MOSFET功率模块的结构，包括底板、DBC基板、SiC MOSFET芯片、第一二极管、源极端子、漏极端子、源极信号端子和栅极信号端子；底板上焊接DBC基板，所述DBC基板上焊接SiC MOSFET芯片、第一二极管、源极端子、漏极端子、源极信号端子和栅极信号端子，SiC MOSFET芯片与源极端子、源极信号端子和栅极信号端子连接，第一二极管与漏极端子连接，源极端子和源极信号端子连接
一种 sic mosfet 功率模块结构

[发明专利]使用共源共栅功率级提高功率转换器效率的系统和方法-CN202211617772.0在审
发明人： R·尼科尔森;F·元 -专利权人：予力半导体公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：在一个方面，所述电路包括第一功率级和第二功率级，所述第一功率级包括具有第一栅极端子、第一漏极端子和第一源极端子的第一开关，以及具有第二栅极端子、第二漏极端子和第二源极端子的第二开关，所述第一源极端子耦合到所述第二漏极端子，所述第二功率级包括具有第三栅极端子、第三漏极端子和第三源极端子的第三开关，以及具有第四栅极端子、第四漏极端子和第四源极端子的第四开关，所述第三源极端子耦合到所述第四漏极端子，其中所述第二功率级并联耦合到所述第一功率级，使得所述第一漏极端子耦合到所述第三漏极端子，并且所述第二源极端子连接到所述第四源极端子。
使用共源共栅功率提高转换器效率系统方法

[发明专利]在高精度长期频率/定时测量中的噪声抑制技术-CN201080017332.0无效
发明人：赛义德·阿里·哈吉米里;王华;孝哉翔平 -专利权人：加州理工学院
申请日： 2010-02-22 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： G01R23/20 文献下载
摘要：一种频率/定时测量仪器包括具有参考源输出端子的参考源。至少一个目标源具有目标源输出端子。所述至少一个目标源通信地耦合到该参考源。频率定时测量块具有电耦合到该参考源输出端子的第一输入端子、电耦合到该目标源输出端子的第二输入端子、以及至少一个输出端子。频率定时测量块被配置成执行噪声成形技术以减少可归因于在该参考源和目标源之间相关的相位噪声的测量误差，并在所述至少一个输出端子处提供减少的相关噪声测量。也说明了抑制相关噪声的方法。
高精度长期频率定时测量中的噪声抑制技术

[发明专利]源极驱动器-CN201911198458.1在审
发明人：傅晓立 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种源极驱动器，所述源极驱动器包括输出端子，所述输出端子包括多个有效输出端子和多个虚拟端子，多个所述有效输出端子组成多个有效输出端子组，多个所述虚拟端子组成多个虚拟端子组，所述有效输出端子组与所述虚拟端子组间隔设置本发明提供的源极驱动器，通过设置虚拟端子将源极输出进行分组，能使EMI测试通过又可避免浪费。
驱动器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110654837.8在审
发明人：乔治奥斯韦理安尼堤斯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：栅极结构以及源极端子和漏极端子位于绝缘介电层中，并且源极端子和漏极端子分别位于栅极结构的两个相对端处。沟道区夹置在栅极结构与源极端子和漏极端子之间且环绕栅极结构。沟道区在源极端子与漏极端子之间延伸。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种电流镜像电路-CN201110446787.0有效
发明人：张立国;蔡新午;赵骞;潘文杰;周建波 -专利权人：国民技术股份有限公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种电流镜像电路，通过在电流镜像电路中设置电压复制电路和放大电路，将电流镜源端子电路的漏极电压与电流镜镜像端子电路的漏极电压进行放大比较，通过放大电路的负反馈机制保证电流镜源端子电路的漏极电压与电流镜镜像端子电路的漏极电压相等，使得电流镜源端子电路和电流镜镜像端子电路的源极、栅极、漏极电压相等，进而使得流过电流镜源端子电路的源漏电流与流过电流镜镜像端子电路源漏电流相同，避免因组成镜像电路的元器件的尺寸的影响导致电流源镜像电路的偏置电流不准的情况发生
一种电流电路

[发明专利]场效应磁传感器-CN201110429504.1有效
发明人：吉尔贝托·库拉托拉;维克多·齐伦;安科·黑林格 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：根据一个或多个示例实施例，通过使用针对第一和第二端子中的每个端子的独立沟道区中的反型层来控制在第一和第二源极/漏极端子与第三源极/漏极端子之间的相应的电流流动。响应于磁场，使得在第三源极/漏极端子与第一和第二源极/漏极端子之一之间传送的电流量大于在第三源极/漏极端子与第一和第二源极/漏极端子中的另一个源极/漏极端子之间传送的电流量。
场效应传感器

[发明专利]一种低电感的塑封模块-CN202210646376.4有效
发明人：柯攀;杨健明;胡斌 -专利权人：北京萃锦科技有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明提供一种低电感的塑封模块，包括基板、塑封体，设置在所述基板上的大衬板以及设置在所述大衬板上的功率端子、多个功率芯片以及两个小衬板，所述小衬板设置在所述大衬板的中部，所述功率芯片分布在小衬板两侧，所述大衬板和所述小衬板上均设有栅极电阻和源极电阻，所述小衬板的一端垂直设有驱动端子，所述驱动端子包括栅极端子和两个源极端子，所述源极端子并联并对称设置在所述栅极端子的两侧，所述源极端子和所述栅极端子结构一致，均包括端子A段和端子B段，所述端子A段置于所述塑封体内部，所述端子B段置于所述塑封体外部，所述栅极电阻和源极电阻分别电连接栅极端子和源极端子，本发明采用的驱动端子栅极电感小，改善了开关特性。
一种电感塑封模块

[发明专利]共源共栅半导体器件及其制造方法-CN202010284962.X在审
发明人：里卡多·杨多克;马诺耶·巴拉克瑞南 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及一种离散共源共栅半导体器件以及相关的制造方法，该器件包括：高电压耗尽型器件管芯，其具有布置在其第一主表面上的栅极端子、源极端子和漏极端子；低电压增强型器件管芯，其具有形成在其第一主表面上的栅极端子和源极端子以及形成在与第一主表面相对的第二主表面上的漏极端子；其中，高电压器件管芯的漏极端子安装在漏极连接上；低电压器件管芯的源极端子和高电压器件的栅极端子安装在共源极连接上；并且低电压器件管芯的漏极端子安装在高电压器件的源极端子上。
共源共栅半导体器件及其制造方法

[发明专利]混合存储器以及基于MTJ的MRAM位单元和阵列-CN201410811852.9有效
发明人： S·马尼帕特鲁尼;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明描述了用于混合eDRAM和MRAM存储器单元的装置，其包括：具有第一端子和第二端子的电容器；第一晶体管，其具有耦合到第一字线(WL)的栅极端子、耦合到位线(BL)的源极端子/漏极端子、和耦合到所述电容器的所述第一端子的漏极端子/源极端子；具有第一端子和第二端子的电阻存储器元件，所述电阻存储器元件器件的所述第一端子耦合到所述电容器的所述第一端子；以及第二晶体管，其具有耦合到第二WL的栅极端子、耦合到源线(SL)的源极端子/漏极端子、和耦合到所述电阻存储器元件器件的所述第二端子的漏极端子/源极端子。
耦合到漏极端子源极端子电容器电阻存储器元件栅极端子晶体管混合存储器端子耦合耦合位单元源线字线

[发明专利]跨阻电路和方法-CN202110160954.9有效
发明人：倪金华;王炜;沈慧 -专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：在一些实施例中，跨阻电路可以包括电流源偏置端子、电流源输出端子以及耦合到电流源输出端子的跨阻放大器，其中所述电流源偏置端子处的电压信号与所述电流源输出端子处的电压信号相关。在一些实施例中，电流源可以是光电二极管。
电路方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310410073.3有效
发明人：外村文男;石井秀雄;太田毅 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：第一源极端子和第一栅极端子形成在第一区域中。在第二区域中，第二源极端子和第二栅极端子被布置为在基本上平行于第一源极端子和第一栅极端子对齐的方向上对齐。温度检测二极管被布置在第一源极端子和第二源极端子之间。温度检测二极管的第一端子和第二端子在基本上平行于第一源极端子和第一栅极端子对齐的方向的第一方向上或基本上与其垂直的第二方向上对齐。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]麦克风传感器用读出电路-CN202211643302.1在审
发明人：成准济;朴永彩 -专利权人： FYD股份有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H04R3/00 文献下载
摘要：本发明一实施例的麦克风传感器用读出电路设置有用于从麦克风传感器接收检测信号的输入端子及用于输出检测信号的输出端子，包括：第一晶体管，第一栅极端与输入端子连接，第一源极端与输出端子及电源端子连接，第一漏极端与接地连接；第二晶体管，第二漏极端与输出端子及第一源极端连接，第二源极端与电源端子连接，第二栅极端与基准端子连接；第三晶体管，第三漏极端与第一源极端、第二漏极端及输出端子连接，第三栅极端与基准端子连接，第三源极端与接地连接；第四晶体管，第四漏极端与基准端子及电源端子连接，第四栅极端与输出端子、第三漏极端连接，第四源极端与第一漏极端连接；以及二极管部，与第四漏极端、第四源极端及第一漏极端连接。
麦克风传感器用读出电路

[实用新型]双向MOSFET开关-CN201821359310.2有效
发明人： J-P·埃格蒙特;J·C·J·杰森斯 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：为了提高反向电流的电流监测准确性，提供具有减少的体电流的双向MOSFET开关，开关的特征在于包括：第一类型的半导体的体区，将第二类型的半导体的源极区和漏极区分开，体区连接到体端子，源极区连接到源极端子，且漏极区连接到漏极端子；第二类型的半导体的隐埋层，将体区与第一类型的半导体的衬底分开，隐埋层耦接到隐埋层端子；栅极端子，可驱动以在体区中形成沟道从而启用源极端子与漏极端子之间的导通；第一配置开关，在源极端子电压超过漏极端子电压时将体端子从源极端子断开连接；以及第二配置开关，在源极端子电压超过漏极端子电压时将体端子连接到隐埋层端子。
源极端子漏极端子隐埋层体区半导体体端子电流监测体电流源极区断开连接反向电流反向偏置栅极端子漏极区衬底导通沟道漏极配置驱动

[发明专利]使用静电式传声器的系统和方法-CN201480075367.8在审
发明人：厄兹·加拜;哈伊姆·普里莫 -专利权人：怀斯迪斯匹有限公司
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H04R3/00 文献下载
摘要：用于超低功率声传感器的方法和系统包括：缓冲晶体管，缓冲晶体管的栅极端子连接至电容式声传感器的第一端子，缓冲晶体管的漏极端子经由负载网络连接至电源并且漏极端子连接到输出端子，并且缓冲晶体管的源极端子连接至调节电流源；其中，调节电流源连接在缓冲晶体管的源极端子与参考端子之间；并且参考端子能够连接至电容式声传感器的第二端子。
使用静电传声器系统方法

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