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[发明专利]半导体装置以及电池监视系统-CN201510686603.6有效
发明人：柳川贤二 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01M10/42 文献下载
摘要：电池监视IC具备第一电流源(40)以及第二电流源(42)，第一电流源(40)基于与从电池监视IC经由电源端子(24)连接的组电池(BT)供给的电源电压对应的电源电流来生成第一电流，并输出给输出端子(30另外，第二电流源(42)基于从上段的电池监视(IC)经由输入端子(28)输入的外部电流来生成第二电流，并输出给输出端子(30)。供给给外部负载(14)的外部负载电流Iload为由各电池监视IC的第一电流源(40)生成的第一电流的相加值。
半导体装置以及电池监视系统

[实用新型]过程流体温度变送器-CN202121302689.5有效
发明人：杰森·H·路德;凯文·C·库兹曼 -专利权人：罗斯蒙特公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G01K7/16 文献下载
摘要：一种过程流体温度变送器包括多个端子、激励源、测量设备和控制器。多个端子耦接到RTD。激励源可操作地耦接到多个端子并且被配置为向RTD施加激励信号。测量设备耦接到多个端子并且被配置为测量RTD对所施加的激励信号的响应。控制器与激励源和测量设备耦接。控制器被配置为通过使激励源将激励信号施加给RTD并且在激励信号被施加给RTD时使测量设备测量RTD的响应来执行RTD电阻测量。控制器还被配置为通过使激励源改变激励信号的施加并且使测量设备测量对所改变的激励信号的RTD响应来执行RTD诊断。
过程流体温度变送器

[发明专利]开关、充电监视设备和可再充电电池模块-CN201210304274.0在审
发明人：小野和俊;柳瀬直人;田上浩康;执行信彦;铃木登志生;塚本耕治 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：这里公开了一种用于接通/关断第一端子和第二端子之间的连接的开关。该开关包括：第一晶体管电路，由在该第一端子和该第二端子之间串联连接的两个晶体管配置；和第二晶体管电路，具有与所述两个晶体管的源极端连接的栅极端和与所述两个晶体管的栅极端连接的源极端。通过在高和低电平之间切换所述第二晶体管电路的源极端的电势，而在通和断状态之间切换该第一端子和该第二端子之间的连接。
开关充电监视设备充电电池模块

[发明专利]发光元件的驱动电路和使用它的发光装置、显示装置-CN201180011221.3无效
发明人：石川裕之 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2011-02-24 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：对每个发光组件(4a～4c)设置LED端子(P3a～P3c)，各LED端子与对应的发光组件(4a～4c)的第2端子连接。对每个LED端子(P3a～P3c)设置电流源(30a～30c)，各电流源通过对应的LED端子(P3a～P3c)向对应的发光组件(4a～4c)供给可调节的驱动电流(ILEDa～ILEDc)。基准电压源(34)生成与驱动电流(ILED)对应的基准电压(Vx)。控制电路(40)控制DC/DC变换器(104)，以使LED端子(P3a～P3c)各自的电压中最低的电压与基准电压(Vx)一致。
发光元件驱动电路使用装置显示装置

[发明专利]一种SiCMOSFET多芯片并联子单元压接封装结构-CN202310077150.1在审
发明人：王来利;李磊;龚泓舟;马良俊;袁天舒;马定坤;聂延 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及电力半导体封装技术领域，尤其涉及一种SiC MOSFET多芯片并联子单元压接封装结构，包括双面DBC陶瓷板、弹性组合、栅极钼片端子、源极钼片端子、漏极钼片端子、单面DBC陶瓷板、SiC MOSFET芯片和散热器，多个SiC MOSFET芯片均与单面DBC陶瓷板表面连接，且露出SiC MOSFET芯片表面的栅极和源极；SiC MOSFET芯片的漏极电极与单面DBC陶瓷板相连，SiC MOSFET芯片的栅极电极分别通过四个栅极钼片端子引出，漏极钼片端子与单面DBC陶瓷板连接，栅极钼片端子与双面DBC陶瓷板上的栅极部分连接，源极钼片端子与双面DBC陶瓷板上的源极部分连接；单面DBC陶瓷板和双面DBC陶瓷板均采用Al2<
一种 sicmosfet 芯片并联单元封装结构

[发明专利]开关及使用了该开关的开关电路-CN201210076091.8有效
发明人：山田光一 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：在第4n沟道MOSFET(Mn4)中，连接了源极端子与背栅端子之间。开关元件连接在第4n沟道MOSFET(Mn4)的源极端子和地电位之间，且在第4n沟道MOSFET(Mn4)截止时将第4n沟道MOSFET(Mn4)的源极端子设为地电位。保护电路(40)设置在第4n沟道MOSFET(Mn4)的源极端子与上述开关元件的输入端子的连接点、和地电位之间，使因静电放电引起的从第4n沟道MOSFET(Mn4)的漏极端子流入的负电流流向地电位。
开关使用开关电路

[发明专利]采样开关电路-CN202210647900.X在审
发明人：弗拉德·克雷楚;工藤真大 -专利权人：株式会社索思未来
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：一种采样开关电路，包括：输入节点，其被连接成接收待被采样的输入电压信号；采样晶体管，其包括栅极端子、源极端子和漏极端子，源极端子连接至输入节点；电容器；电流源，其被配置成使限定的电流流过其中，以及切换电路系统在预充电配置中，切换电路系统将电容器连接到电流源与第一电压参考节点之间的电流路径中，以在电容器两端形成取决于限定的电流的电势差。在输出配置中，切换电路系统将电容器连接在第二电压参考节点与采样晶体管的栅极端子之间，使得在采样晶体管的栅极端子处施加的电压电平取决于限定的电流。
采样开关电路

[实用新型]一种V/v平衡变压器综合补偿系统-CN201620466781.8有效
发明人：许志伟;谢卫才;彭晓;李永坚 -专利权人：湖南工程学院
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H02J3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种V/v平衡变压器综合补偿系统，包括V/v平衡变压器、无源滤波器和电压源换流器；所述的V/v平衡变压器包括网侧绕组、负载绕组和补偿绕组；网侧绕组通过3个接线端子A、B和C与电网相连；负载绕组用于与负载相接；接线端子F接地；补偿绕组包括2个绕组，分别为绕组a’和b’；绕组a’和b’串联形成3个接线端子G、H和K；接线端子K为绕组a’和b’的连接点，接线端子G和H各接一个所述的无源滤波器；3个接线端子G、H和K分别与电压源换流器的3个补偿输出端相接。
一种平衡变压器综合补偿系统

[实用新型]端子压接机-CN202020907026.5有效
发明人：杨西安;黄志豪 -专利权人：浙江匠恩工具有限公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01R43/048 文献下载
摘要：一种端子压接机。解决了现有端子压接机结构复杂，加工不同尺寸的端子时需要更换模具的问题。它包括壳体，所述的壳体内设有动力源，所述的动力源通过传动装置与成型装置相连接，所述的成型装置设于壳体外，所述的成型装置具有打开便于取放待加工端子的第一位置和由动力源驱动动作使得待加工端子成型的第二位置。本实用新型的有益效果是，通过动力源和传动装置的配合能使得成型装置可靠动作，从而使得成型装置能对不同的端子进行压接，使得产品适配范围广，不需要频繁更换冲压模具。
端子接机

[实用新型]多用直流源互补脉冲检测线-CN202120430433.6有效
发明人：张晟 -专利权人：深圳市双昊测控技术有限公司
申请日： 2021-02-28 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G01R35/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及电能表校验装置技术领域，具体涉及多用直流源互补脉冲检测线，包括接线端子盒、脉冲输入线和脉冲输出线，所述脉冲输入线和脉冲输出线分别设置于接线端子盒的两侧，所述接线端子盒的底端设置有脉冲源接入线，所述脉冲输入线、脉冲输出线和脉冲源接入线均穿过接线端子盒侧壁延伸至接线端子盒内部，所述脉冲输入线和脉冲输出线的终端均设置有脉冲接口。本实用新型将同一校检仪的脉冲输入线端的直流电源，互补到脉冲输出线端，不需要另外配备直流电源即可实现无源脉冲输出插口的校检；通过接线端子盒设置多种型号的脉冲接口，以应对多种型号仪表的不同接口，提高了脉冲检测线的适用性
多用直流互补脉冲检测

[发明专利]放大电路以及放大装置-CN202080025864.2在审
发明人：杉本泰崇 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H03F3/189 文献下载
摘要：放大电路(1)具备：输入端子(10)，被输入高频信号；放大晶体管(20)，具有控制端子，对高频信号进行放大；偏置电路(40)，包括发射极跟随器电路或者源极跟随器电路，向放大晶体管(20)的控制端子供给偏置电流；电感器(50)，串联配置在发射极跟随器电路的发射极或者源极跟随器电路的源极与放大晶体管(20)的控制端子之间；以及可变电阻电路(70)，与电感器(50)连接。
放大电路以及装置

[发明专利]具有不对称端子的电容器结构-CN201680033348.8在审
发明人： Y·K·宋;H·B·蔚;K-P·黄 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01G2/06 文献下载
摘要：无源分立器件(400)包括第一不对称端子(410A)和第二不对称端子(410B)。该无源分立器件(400)进一步包括被扩展以电耦合至第一不对称端子(410A)的第一侧和第二侧的第一内部电极(420A)。该无源分立器件(400)还可包括被扩展以电耦合至第二不对称端子(420B)的第一侧和第二侧的第二内部电极(420B)。
具有不对称端子电容器结构

[发明专利]切换场板功率MOSFET-CN201710857465.2有效
发明人： H·林;F·巴约奇 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本申请公开一种功率MOSFET IC器件(100)，其包括形成在半导体衬底(105)中的源极向下增强型晶体管(133)以及形成在半导体衬底(105)的掺杂区(129)中的耗尽型晶体管(131)。耗尽型晶体管(131)的栅极端子(115B)在掺杂区(129)的至少一部分上方形成为场板，该场板可切换地连接到源极向下增强型晶体管(133)的源极端子(127)。可提供控制电路(602、604、606)，以便当功率MOSFET集成电路(100)处于断开状态时有助于耗尽型晶体管(131)的栅极端子(115B)与源极向下增强型晶体管(133)的源极端子(127)之间的连接控制电路(602、604、606)还可被配置为当功率MOSFET(100)处于导通状态时有助于耗尽型晶体管(131)的栅极端子(115B)到源极向下增强型FET器件(133)的栅极端子(111B)的连接或到提供基准电压的外部驱动器
切换功率 mosfet

[发明专利]二极管电路-CN201110159474.7无效
发明人：中村尚幸;宫地博幸 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-06-14 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H03K19/0944 文献下载
摘要：具有阳极端子A以及阴极端子K的主动二极管(100)包括：晶体管(110)，其具有栅极端子(111)、漏极端子(112)、以及源极端子(113)，漏极端子(112)与阳极端子A以及阴极端子K之中的一方连接，源极端子(113)与阳极端子A以及阴极端子K之中的另一方连接；以及栅极电压发生电路(120)，其将被调整为与晶体管(110)的阈值电压相等的栅极电压供应给栅极端子(111)。
二极管电路

[发明专利]用于将功率源的极性与电致变色装置匹配的结构和方法-CN200980149713.1无效
发明人： P.莱托卡特 -专利权人：法国圣戈班玻璃厂
申请日： 2009-10-26 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： G02F1/163 文献下载
摘要：本发明涉及一种结构（1），包括带有两个电装置接头（9，10）的电致变色装置（2）和电路装置（3），其中电路装置（3）具有：与两个装置接头连接的电压/电流测量设备（46），带有两个电极端子（14，16）的至少一个电功率源（12），所述功率源通过可控的电极端子换接电路（4）连接到两个装置接头上，其中通过电极端子换接电路可以将一个装置接头选择性地与两个电极端子之一导电连接，并且同时将另一装置接头与相应另外的电极端子导电连接；用于控制电极端子换接电路的电子控制设备，所述控制设备设计为使得测量在装置接头之间的电压和/或电流，并且装置接头分别与电极端子连接，使得在装置接头上测量的电学量的极性对应于电功率源的极性。此外，本发明还涉及一种方法，其中测量在装置接头之间的电压或电流，将所测量的电学量的极性与功率源的极性进行比较，并且将装置接头与电极端子电连接，使得在电极端子上测量的电学量的极性对应于电功率源的极性。
用于功率极性变色装置匹配结构方法