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[发明专利]电压调节器-CN202011139587.6在审
发明人： J·弗特 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：一种设备，包括：电流源、第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管连接在第一供电轨和输出端子之间，第二晶体管连接在输出端子和电流源的第一端子之间的第二晶体管，其中电流源的第二端子连接到第二供电轨。可变增益放大器电路通过将电位施加到第一晶体管的控制端子来响应电流源的第一端子处的电位。放大器电路的增益由输出端子处的电位确定。
电压调节器

[发明专利]偏置电流电路、信号处理装置及偏置电流控制方法-CN201780026812.5有效
发明人：加贺野未来;尾込智和 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H03F3/343 文献下载
摘要：偏置电流电路(116)包括：将电流源(201)连接到漏极端子和栅极端子的N型MOSFET(202)；及将偏置电流的输出端子(212、213)连接到漏极端子并将源极端子接地的N型MOSFET(203、204偏置电流电路(116)还包括：将漏极端子和源极端子中的任一方及另一方连接到N型MOSFET(202)及N型MOSFET(203、204)的栅极端子的N型MOSFET(205)；及将漏极端子连接到N型MOSFET(203、204)的栅极端子并将源极端子接地的N型MOSFET(206)。将在提供偏置电流时变成低电平、在停止偏置电流时变成高电平的控制信号输入到N型MOSFET(206)的栅极端子，将控制信号的反转信号输入到N型MOSFET(205)的栅极端子。
偏置电流电路信号处理装置控制方法

[发明专利]用于浪涌电流电路的方法和装置-CN200710093631.2无效
发明人： R·J·迈耶 -专利权人：电力集成公司
申请日： 2007-03-28 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H02J9/02 文献下载
摘要：根据本发明的各个方面的装置包括具有第一、第二和第三端子的电源开关。也包括了具有第一端子和第二端子的电容器。电容器的第二端子连接到电流源的第一端子，电流源的第二端子连接到浪涌电流限制电路的第二输入端子。电源开关的第一端子连接到二极管的阳极。二极管的阴极连接到电流源的第一端子。电源开关的第二端子连接到浪涌电流限制电路的第二输入端子。电源开关的第三端子被连接，以响应对应于功率开关的第一和第二端子之间的电压变化率的电流源两端的电压。
用于浪涌电流电路方法装置

[发明专利]直流子卡的校表治具-CN201310238746.1在审
发明人：朱玲莉 -专利权人：苏州工业园区新宏博通讯科技有限公司
申请日： 2013-06-17 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种直流子卡的校表治具，包括金手指座和电压源，该金手指座包括采样电流端子、采样电压端子，该采样电流端子与电压源连接。本发明利用电压源作为采样电流的设备源，简化了连接线路，提高了设备效率。
直流校表治具

[发明专利]低压力共源共栅结构-CN201280052481.X有效
发明人： A·V·T·多;P·B·利昂 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2012-10-25 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H03F1/22 文献下载
摘要：一种放大器系统，包括共源共栅公共源极(CS)放大器，该共源共栅公共源极放大器包括以公共源极配置连接的多个晶体管。压力降低电路，连接到该多个晶体管中的至少一个晶体管以均衡跨该多个晶体管的电压降。该压力降低电路包括第一晶体管，该第一晶体管包括控制端子、第一端子和第二端子。该第一晶体管的第二端子连接到该多个晶体管中的第一个晶体管的第一端子。电容器具有连接到第一晶体管的控制端子的第一端子和连接到该多个晶体管中的第二个晶体管的控制端子的第二端子。
压力共源共栅结构

[发明专利]偏置电路、LNA、LNB、通信用接收机、通信用发送机及传感器系统-CN201080064170.6有效
发明人：丸山正彦 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-10-26 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：偏置电路（11）是用于源极端子（4）接地的HEMT（1）的HEMT偏置电路（11），其包括双电源型的运算放大器（AMP1）、电阻元件（RI）、第1基准电压源（VX）及第2基准电压源（VY），运算放大器（AMP1）的正输入端子与HEMT（1）的漏极端子（3）相连接，其负输入端子与第2基准电压源（VY）相连接，其输出端子与HEMT（1）的栅极端子（2）相连接，电阻元件（RI）的一个端子与HEMT（1）的漏极端子（3）相连接，其另一端子与第1基准电压源（VX）相连接。
偏置电路 lna lnb 通信接收机发送机传感器系统

[发明专利]监测泄漏电流的系统和方法-CN202310004024.3在审
发明人： R·莱托;V·彭托列里 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01R19/25 文献下载
摘要：一种用于监测MOSFET的系统，系统包括：开关装置，其被配置为能够切换地将MOSFET的栅极端子和MOSFET的源极端子与栅控电压源隔离；以及测试电路，其被配置为在测试周期内检测MOSFET的栅极至源极电压的变化，在栅极端子和源极端子被隔离时测试周期发生。
监测泄漏电流系统方法

[发明专利]具有可控电阻的场效应晶体管-CN201880082340.X在审
发明人：李宇龙;P·M·所罗门;S·科斯瓦特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L27/098 文献下载
摘要：形成半导体器件的示例方法包括在衬底上形成场效应晶体管(FET)的源极端子和漏极端子。源极端子和漏极端子形成在沟道区的两侧。能量势垒邻近源极端子和沟道区形成。在沟道区上形成导电栅极。
具有可控电阻场效应晶体管

[发明专利]基板及其制造方法、显示装置-CN201180035563.9有效
发明人：原义仁;中田幸伸 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-07-14 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：薄膜晶体管基板(20a)包括：绝缘基板(10a)；设置于绝缘基板(10a)上的多个源极端子(15)；和以覆盖源极端子(15)各自的一部分的方式设置且包含氧化物半导体的第一端子罩(24)。而且，在相邻的源极端子(15)间的区域(R)，第一端子罩(24)被去除。
及其制造方法显示装置

[发明专利]混频器及半导体装置-CN202080038069.7在审
发明人：大嶋和晃;国武宽司;井上达则 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H03D7/00 文献下载
摘要：一种包括差动部、电流源、第一负载、输入端子及第一输出端子的混频器，差动部包括第一晶体管、第二晶体管，第一晶体管、第二晶体管各自在沟道形成区域中包含金属氧化物。第一晶体管、第二晶体管各自的第一端子与输入端子及电流源电连接，第一晶体管的第二端子与第一负载的第一端子及第一输出端子电连接。通过向第一负载的第二端子供应电压，第一负载具有使电流流过第一负载的第一端子与第二端子之间的功能，电流源具有使恒电流从第一晶体管、第二晶体管各自的第一端子流向电流源的功能。电流源包括在沟道形成区域中含硅的晶体管，差动部在电流源的上方。
混频器半导体装置

[发明专利]熔丝结构-CN202210905583.7在审
发明人：张敦仁;谢东衡;杨宝如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：熔丝结构包括第一晶体管和第二晶体管，该第一晶体管和该第二晶体管的每一个具有源极端子、漏极端子和栅极端子；第一源极/漏极接点，设置在第一晶体管的源极端子上；第二源极/漏极接点，设置在第二晶体管的漏极端子上；绝缘体，横向设置在第一源极/漏极接点和第二源极/漏极接点之间；源极/漏极接点导孔，设置在第一源极/漏极接点上；以及编程线，连接到源极/漏极接点导孔，其中绝缘体的宽度被设置成使得跨接在源极/漏极接点导孔和第二晶体管的漏极端子上所施加的编程电压能够击穿上述绝缘体
结构

[发明专利]用于带内载波聚合的接收器前端架构-CN202110939282.1在审
发明人： G·拉简德兰;G·S·萨霍塔;R·库马 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H03F1/22 文献下载
摘要：在示例性实施例中，一种装置包括第一晶体管，第一晶体管具有接收输入信号的栅极端子、输出放大信号的漏极端子、以及通过源极退化电感器连接至信号地的源极端子。该装置还包括第二晶体管，第二晶体管具有连接至第一晶体管的漏极端子的源极端子和连接至第一负载的漏极端子。该装置还包括第三晶体管，第三晶体管具有连接至第一晶体管的漏极端子的栅极端子、连接至第二负载的漏极端子和连接至信号地的源极端子。
用于载波聚合接收器前端架构

[发明专利]用于带内载波聚合的接收器前端架构-CN201580061296.0有效
发明人： G·拉简德兰;G·S·萨霍塔;R·库马 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H03F1/22 文献下载
摘要：在示例性实施例中，一种装置包括第一晶体管，第一晶体管具有接收输入信号的栅极端子、输出放大信号的漏极端子、以及通过源极退化电感器连接至信号地的源极端子。该装置还包括第二晶体管，第二晶体管具有连接至第一晶体管的漏极端子的源极端子和连接至第一负载的漏极端子。该装置还包括第三晶体管，第三晶体管具有连接至第一晶体管的漏极端子的栅极端子、连接至第二负载的漏极端子和连接至信号地的源极端子。
用于载波聚合接收器前端架构

[发明专利]单相差分变换电路、平衡‑不平衡变换器以及通信装置-CN201380026750.X有效
发明人：吉川直人;山本宪 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H03H11/32 文献下载
摘要：提供与输入端子连接的栅极、与第一电压源连接的源极、具有与输出节点连接的漏极的一个或多个第一导电型的第一晶体管、与输入端子连接的栅极、与第二电压源连接的源极、具有与输出节点连接的漏极的一个或多个第二导电型的第二晶体管、插入地连接在输入端子和输出节点之间的第一电阻元件、与输入端子连接的第一输出端子以及插入地直接或间接连接到输出节点的第二输出端子。
相差变换电路平衡不平衡变换器开关以及通信装置

[发明专利]一种半桥模块和封装方法-CN201710671883.2有效
发明人：柯俊吉;谢宗奎;孙鹏;魏昌俊;赵志斌;崔翔 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：所述半桥模块是以两个芯片为子单元的并联分组布设，所述半桥模块包括上半桥模块和下半桥模块；上半桥模块包括多个两芯片直接并联的上半桥子单元、一个辅助源极驱动信号端子、一个栅极驱动信号端子、一个漏极功率端子和一个源极功率端子，下半桥模块包括多个两芯片直接并联的下半桥子单元、一个辅助源极驱动信号端子、一个栅极驱动信号端子、一个漏极功率信号端子和一个源极功率信号端子，下半桥的漏极功率端子与上半桥的源极功率端子电气上是互连的。功率信号端子以及驱动信号端子的结构均为二叉树状结构。采用本发明的半桥模块或封装方法，可以降低电路杂散电感的分布差异，实现较好的碳化硅芯片的均流特性。
一种模块封装方法