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[发明专利]场效应磁传感器-CN201110429504.1有效
发明人：吉尔贝托·库拉托拉;维克多·齐伦;安科·黑林格 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：根据本发明的场效应磁传感器促进了高灵敏的磁场检测。根据一个或多个示例实施例，通过使用针对第一和第二端子中的每个端子的独立沟道区中的反型层来控制在第一和第二源极/漏极端子与第三源极/漏极端子之间的相应的电流流动。响应于磁场，使得在第三源极/漏极端子与第一和第二源极/漏极端子之一之间传送的电流量大于在第三源极/漏极端子与第一和第二源极/漏极端子中的另一个源极/漏极端子之间传送的电流量。
场效应传感器

[发明专利]半导体器件和这种器件的制造方法-CN200980141586.0有效
发明人：简·雄斯基;安科·黑林格 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2009-10-06 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，例如MOSFET(1)，包括衬底(40)，所述衬底包括：第一区域(18)和第一导电类型的第二区域(16)，以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的、与第一导电类型相反类型的第三区域(42)，所述第三区域由电介质层(20)覆盖，所述衬底(40)还包括在所述第三区域(42)和所述第二区域(16)之间横向延伸的多个沟槽(12)，所述沟槽填充有绝缘材料并且通过有源条带(14)间隔开，所述有源条带包括具有深度不超过所述沟槽深度的掺杂分布，其中每一个沟槽在到达所述电介质层(20)之前终止，即通过衬底部分(26)与所述第三区域间隔开，使得所述衬底部分和所述沟槽之间的各个边界没有由所述电介质层覆盖。也公开了一种制造这种半导体器件的方法。
半导体器件这种器件制造方法

[发明专利]高电压半导体器件-CN200880111827.2无效
发明人：简·雄斯基;安科·黑林格 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2008-10-16 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明描述了具有更好的电压闭锁能力相对特征导通电阻的权衡的中/高电压半导体器件的实现方法。该方法不需要任何附加工艺步骤，就可以在基线和亚微米CMOS中实现。诸如晶体管之类的CMOS半导体器件是已知的。典型地，由于诸如电压击穿等效应，这种器件在高电压(HV)下仅具有有限的应用。多数IC(集成电路)的应用需要针对电源的DC:DC升降转换的功率管理单元。典型地，针对这种应用，需要具有从10V升到10V-25V的能力的诸如晶体管之类的NMOS和PMOS半导体器件。
电压半导体器件

[发明专利]晶体管及其制造方法-CN200880105465.6无效
发明人： 安科·黑林格;菲利浦·默尼耶-贝拉德;雷蒙德·达菲 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2008-08-27 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造晶体管(400)的方法，该方法包括：在衬底(102)上形成栅极(101)，在栅极(101)的横向侧壁上以及在衬底(102)的相邻部分(202)上形成隔离物(201)，重新布置隔离物(201)的材料使得重新布置的隔离物(301)仅覆盖栅极(101)的横向侧壁的下部(303)以及衬底(102)的增加部分(302)，以及在重新布置的隔离物(301)下方的衬底(102)的一部分中提供源/漏区(402、403)。
晶体管及其制造方法

[发明专利]晶体管及其制造方法-CN200880105448.2无效
发明人：菲利浦·默尼耶-贝拉德;安科·黑林格;约翰内斯·唐克斯 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2008-08-29 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种制造晶体管(300)的方法，所述方法包括：在衬底(102)上形成栅极(101)；在栅极(101)的横向侧壁上以及在衬底(102)的相邻部分(202)上形成隔离物(201)；改变隔离物(201)的材料，使得改变后的隔离物(301)仅覆盖栅极(101)的横向侧壁的下部(303)；以及在改变后的隔离物(301)中提供源/漏区(301)。
晶体管及其制造方法

[发明专利]扩展漏极晶体管及其制造方法-CN200880022004.2无效
发明人：菲利皮·默尼耶-贝亚尔;安科·黑林格 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2008-06-19 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：扩展漏极晶体管(100)包括衬底(101)；形成在衬底(101)上的栅极(103)，所述栅极(103)具有第一侧壁(104)和与第一侧壁(104)相对的第二侧壁(105)；扩展漏极(106)，其被注入在衬底(101)中与栅极(103)的第二侧壁(105)相邻的表面部分中；栅极(103)的第二侧壁(105)上的间隔层(107)；源极(108)，其被注入在衬底(101)中与栅极(103)的第一侧壁(104)相邻的表面部分；以及漏极(109)，其被注入在衬底(101)中与间隔层(107)相邻的表面部分中，使得扩展漏极(106)被布置在栅极(103)与漏极(109)之间。
扩展晶体管及其制造方法

[发明专利]具有高击穿电压的半导体器件及其制造方法-CN200680022229.9有效
发明人：简·雄斯基;安科·黑林格 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2006-06-14 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种半导体器件包括至少一个有源部件(18)，具有在半导体衬底(4)的有源区(19)中的半导体衬底上的p－n结(26)。将浅沟隔离图案用于形成包含绝缘体(14)的多个纵向延伸的浅沟(12)。这些沟槽限定了浅沟(12)之间的多个纵向有源条(10)。浅沟隔离深度(d_STI)比纵向有源条的结深度(d_Si)大，而有源条(10)的宽度(w_Si)比p－n结的耗尽长度(ldepi)小。
具有击穿电压半导体器件及其制造方法