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[实用新型]一种泵源端子-CN202320483451.X有效
发明人：陈志如 -专利权人：深圳市振億鑫科技有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01R13/24 文献下载
摘要：一种泵源端子，它涉及泵源端子技术领域。它包括端子壳体、一字线槽、冠簧，端子壳体的下方向内凹陷形成一字线槽，且冠簧设置在端子壳体内，端子壳体包括了公针插孔、冠簧放置孔、公针沉槽，公针插孔设置在端子壳体的顶部，且公针插孔向下凹陷形成冠簧放置孔与公针沉槽本实用新型有益效果为：本泵源端子在使用时，采用一字线槽进行连接电源线束，线束无需焊接公针上即可安装，不仅其安装更为快捷方便，且在后续需要拆除维修时，由于线束未采用直接焊接在公针上的方式，使其可快速将其端子拆卸下
一种端子

[发明专利]晶体管和用于制造晶体管的方法-CN201480034526.X在审
发明人： W.达韦斯 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：该晶体管（100）还包括漏端子（145）和源端子（150），所述漏端子和源端子至少被嵌入在第二半导体层（135）中，其中借助所述漏端子（145）和源端子（150）至少能够电接触第一和第二半导体材料之间的分界层该晶体管（100）还包括所述漏端子（145）和源端子（150）之间的沟道区域（155）。该晶体管（100）还包括栅端子（170），其至少部分地覆盖沟道区域（155）。最后，该晶体管（100）包括凹槽（180），其被布置在载体衬底（100）的与所述漏端子（145）和源端子（150）相对的侧上并且至少部分地重叠沟道区域（155），其中凹槽（180）的侧面边缘（182）和
晶体管用于制造方法

[发明专利]能量收集系统-CN202310420080.5在审
发明人：乔兰·彼得·范德费尔登;古斯塔沃·坎波斯·马丁斯 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于将能量收集源的低电压输入转换成直流(DC)输出电压的能量收集系统，其中，所述能量收集源是提供交流(AC)输出的能量收集源(如，压电能量收集源)和提供DC输出的能量收集源(如，光伏能量收集源)中的一个，其中，所述能量收集系统包括：第一输入端子(H+)和第二输入端子(H‑)、输出端子(Vout)、AC‑DC转换器单元、控制单元、源微分电路。
能量收集系统

[发明专利]驱动模块、显示面板、显示装置和多显示器装置-CN201380053824.9有效
发明人：丸嶋庆成;中村仲荣;浅山宣明 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：为了仅从一边侧输入栅极信号和源极信号就能够进行显示控制，显示装置(1)包括：接受来自输入信号生成部(13)的输入的输入端子；输出栅极信号和源极信号，生成上述栅极信号的栅极驱动电路和生成上述源极信号的源极驱动电路，显示装置还包括：仅在一边侧有输出端子的驱动模块(12)；和仅在一边侧有控制端子的显示面板(11)。
驱动模块显示面板显示装置显示器装置

[实用新型]微小信号采集卡-CN201220749245.0有效
发明人：郭恩全;杨朋;聂文彬;王一鸣;高宝平;邓云海;宁成军 -专利权人：陕西海泰电子有限责任公司
申请日： 2012-12-30 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： G01R15/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及微小信号采集卡，包括功能切换电路、电流源电路、信号调理电路、电流采样电路、信号采集处理电路以及通讯接口电路，功能切换电路的一端连接有端子HI、接地端子L、端子HS、端子LS、端子I、电流源电路以及电流采样电路，功能切换电路的另一端依次与信号调理电路、信号采集处理电路和通讯接口电路连接，端子HI、接地端子L形成电压采集端，端子HS和端子LS形成电阻采集端，接地端子L和端子I形成电流采集端和电流源输出端。
微小信号采集

[发明专利]源极驱动器、源极驱动器的制造方法和液晶模块-CN200880118325.2有效
发明人：加藤达也 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2008-11-27 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种薄膜安装型的源极驱动器，在薄膜基体材料的表面安装有设有多个能与外部连接的端子的半导体芯片，设有形成有与半导体芯片的输入端子连接的布线的输入端子布线区、以及形成有与半导体芯片的输出端子连接的布线的输出端子布线区，其中，在薄膜基体材料的两端具有以形成有连续的孔并在表面形成有铜箔的方式构成的扣齿部，输入端子布线区和输出端子布线区朝向未设有扣齿部的一侧相互反向地设置，形成将半导体芯片的端子中输入端子和输出端子以外的端子与扣齿部的铜箔连接的热传导图案由此，提供能够使散热量增加的源极驱动器、源极驱动器的制造方法和液晶模块。
驱动器制造方法液晶模块

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110619997.9在审
发明人：乔治奥斯·韦理安尼堤斯;吕俊颉;杨世海;马礼修 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体器件包括栅极层、低掺杂半导体层、晶体铁电层以及源极端子和漏极端子。晶体铁电层设置在栅极层和低掺杂半导体层之间。源极端子和漏极端子设置在低掺杂半导体层上。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于锁相环路的电荷泵装置的方法和电路-CN201780086190.5有效
发明人：艾伦·C·罗杰斯;拉古亨·巴格万 -专利权人：模拟比特公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H03L7/089 文献下载
摘要：本发明提供一种电荷泵，其包括：(I)电流源；(II)p沟道源电流网络，其包括：第一p沟道晶体管；第二p沟道晶体管；p沟道电流开关，其包括耦合到所述第一p沟道晶体管的漏极端子的至少一个源极端子、耦合到相位比较器的至少一个栅极，以及至少一个漏极端子；第三p沟道晶体管；和(III)n沟道吸收器电流网络，其包括：第一n沟道晶体管；第二n沟道晶体管；第三n沟道晶体管；n沟道电流开关，其包括耦合到所述第三n沟道晶体管的源极端子的至少一个漏极端子、耦合到相位比较器的至少一个栅极；和耦合到所述第一n沟道晶体管的漏极端子的至少一个源极端子；且其中所述p沟道源电流网络和所述n沟道吸收器电流网络从所述第一p沟道晶体管提取基线电流。
用于环路电荷装置方法电路

[发明专利]半导体装置-CN202210242761.2在审
发明人：三上和人 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：半导体装置(101)具有：MOSFET芯片(5)，其设置于图案(31)之上，自身的漏极电极及源极电极分别与图案(31)及图案(32)电连接；SBD芯片(6)，其设置于图案(33)之上，自身的阴极电极及阳极电极分别与图案(33)及图案(34)电连接；漏极主端子(7)，其与图案(31)连接；源极主端子(8)，其与图案(32)连接；阴极主端子(9)，其与图案(33)连接；以及阳极主端子(10)，其与图案(34)连接。漏极主端子(7)与阴极主端子(9)及源极主端子(8)与阳极主端子(10)的至少一者未电连接。
半导体装置

[发明专利]显示装置及其操作方法-CN201811178677.9有效
发明人：朴正洙;金劭贤 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：所述显示装置包括：基板；在所述基板上的底部屏蔽金属层，所述底部屏蔽金属层接合到电压源；驱动晶体管，所述驱动晶体管具有第一端子(例如源极端子)和第二端子(例如漏极端子)，所述驱动晶体管在所述底部屏蔽金属层的上方，所述驱动晶体管的第一端子接合到参考电压以用于设定所述第一端子处的电压值，所述底部屏蔽金属层和所述电压源的接合独立于所述第一端子和所述参考电压的接合；及有机发光二极管(OLED)，具有接合到所述驱动晶体管的第一端子的电极
显示装置及其操作方法

[实用新型]一种电缆防盗器-CN201320087526.9有效
发明人：曾文;曾志 -专利权人：湖南中电能源有限公司
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： G08B13/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电缆防盗器，其包括可恢复性电阻、继电器、接线端子排以及无源信号反射器，所述可恢复性电阻一端连接接线端子排的B端子，可恢复性电阻另一端连接继电器常闭触点一端，继电器常闭触点另一端连接接线端子排的A端子，所述无源信号反射器二端分别连接接线端子排的C端子以及N端子。本实用新型由于无需外部电源供电，而直接利用电缆回路、继电器与自动恢复性电阻以及无源信号反射器直接构成，具有结构简单、新颖、可靠性高的优点。
一种电缆防盗器

[发明专利]垂直嵌入的无源组件-CN201580084901.6在审
发明人： W.J.兰伯特;M.K.罗伊;M.J.马努沙罗 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-12-26 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：实施例一般针对垂直嵌入的无源组件。装置的实施例包括半导体管芯;以及与半导体管芯耦合的封装。该封装包括与半导体管芯连接的一个或多个无源组件，该一个或多个无源组件垂直嵌入封装衬底中，无源组件中的每个包括第一端子和第二端子。第一无源组件嵌入在封装中钻孔的通孔中，第一无源组件的第一端子借助通过封装上的上堆积层的过孔连接到半导体管芯。
无源组件半导体管芯封装垂直嵌入的嵌入堆积层耦合的钻孔通孔

[发明专利]半导体装置-CN201610946484.8有效
发明人：今井翔平;山本和也;佐佐木善伸;三轮真一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：耗尽型的场效应晶体管(Q1)具有栅极端子、漏极端子以及源极端子。III－V族异质结的双极晶体管(Q2)具有基极端子、与栅极端子电连接的发射极端子、以及连接于与源极端子相同的电位的集电极端子。第1电阻(Rbe)连接在基极端子和发射极端子之间。第2电阻(Rcb)连接在基极端子和集电极端子之间。
半导体装置

[发明专利]电流电压变换电路以及自激振荡电路-CN201510266311.7有效
发明人：羽鸟大辅;吉田隆司;高山忠彦;吉田勇作 -专利权人：横河电机株式会社
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明的一个方式的电流电压变换电路具备第一电阻，其一端与传感器的电极连接，其另一端与第一电位连接；第一电流源；第一电容器，其一端与所述第一电阻的一端连接，其另一端与所述第一电流源连接；第一输出端子；第一电压源；第一晶体管，其第一端子与所述第一电容器的另一端连接，其第二端子与所述第一输出端子连接，其控制端子与所述第一电压源连接；以及第二电阻，其一端与所述第一晶体管的所述第二端子连接，其另一端与第二电位连接。
电流电压变换电路以及振荡

[发明专利]放大电路-CN201980031795.3在审
发明人：渡边大介;别府伸耕 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H03F1/22 文献下载
摘要：放大电路(1)具备：FET(10)，具有源极端子(S1)、漏极端子(D1)、栅极端子(G1)；FET(20)，具有源极端子(S2)、漏极端子(D2)、栅极端子(G2)，并与FET(10)并联连接；FET(30)，具有与漏极端子(D1以及D2)连接的源极端子(S3)、漏极端子(D3)、以及栅极端子(G3)，并与FET(10以及20)进行共源共栅连接；以及反馈电路(21以及22)，将从源极端子(S2)或漏极端子(D2)输出的高频信号反馈到栅极端子(G2)，将FET(20)的栅极宽度W2除以FET(20)的栅极长度L2的值W2/L2比将FET(10)的栅极宽度W1除以FET(10)的栅极长度L1的值W1/L1小
放大电路