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[发明专利]一种基于GRNN模型的半导体器件温度分布预测方法-CN202111007778.1有效
发明人：吕红亮;严思璐;戚军军;郭袖秀;张玉明;张义门 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GRNN模型的半导体器件温度分布预测方法，所述方法包括：基于目标半导体器件对应的参数，建立半导体器件模型；获取所述半导体器件模型在多个预设环境下的多个数据集；基于所述训练数据集对GRNN神经网络模型进行训练，以得到初始温度分布预测模型；基于所述测试数据集对所述初始温度分布预测模型进行验证，并根据验证结果对所述初始温度分布预测模型进行调整，以得到目标温度分布预测模型。本发明能够快速、高效、精准地得到目标温度分布预测模型，从而可以基于所述目标温度分布预测模型进行半导体器件的温度分布预测。
一种基于 grnn 模型半导体器件温度分布预测方法

[发明专利]一种基于BP神经网络模型的半导体器件温度分布预测方法-CN202111007779.6有效
发明人：吕红亮;戚军军;严思璐;程林;张玉明;张义门 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于BP神经网络模型的半导体器件温度分布预测方法，所述方法包括：基于目标半导体器件对应的参数，建立半导体器件模型；获取所述半导体器件模型在多个预设环境下的多个数据集；基于所述训练数据集对BP神经网络模型进行训练，以得到初始温度分布预测模型基于所述训练数据集对BP神经网络模型进行训练，以得到初始温度分布预测模型；基于所述测试数据集对所述初始温度分布预测模型进行验证，并根据验证结果对所述初始温度分布预测模型进行调整，以得到目标温度分布预测模型。本发明能够快速、高效、精准地得到目标温度分布预测模型，从而可以基于所述目标温度分布预测模型进行半导体器件的温度分布预测。
一种基于 bp 神经网络模型半导体器件温度分布预测方法

[发明专利]一种基于交叉耦合负阻电路的单端输入反射放大器电路-CN202110918828.5有效
发明人：吕红亮;夏敏杰;陈旭;赵冉冉;戚军军;张玉明;张义门 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H03F3/19 文献下载
摘要：本发明提供的一种基于交叉耦合负阻特性的单端输入低功耗反射放大器电路，通过射频输入模块输入的射频信号，谐振槽模块选择反射射频信号的工作频段；直流偏置供电模块给负阻抗模块提供直流偏置使其工作在负阻区域，负阻抗模块在负阻区域提供负阻抗与射频输入模块输入端口的阻抗失配产生高于1的反射系数，使得射频信号的反射能量增强，从而反射出去。本发明可以在较低功耗范围内提供较高的增益，对信号进行反射放大，从而提升射频识别技术的通信距离，并且减小版图的面积，使得集成度更高；同时由于本发明在负阻抗模块结构简单，并在晶体管栅极加入了独立的偏置，可以根据需求通过调整直流偏置来减少电路功耗。
一种基于交叉耦合电路输入反射放大器

[发明专利]一种基于振荡负阻特性的低功耗单端反射放大器电路-CN202110920111.4有效
发明人：吕红亮;陈旭;夏敏杰;赵冉冉;戚军军;张玉明;张义门 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H03F1/34 文献下载
摘要：本发明提供的一种基于振荡负阻特性的低功耗单端反射放大器电路，通过确定工作频率区间并选择在工作频率区间的射频信号，在符合偏置条件的直流偏置电压下工作，产生负电阻对接收的射频信号进行负放大；将负阻放大模块放大的射频信号在选频模块，负阻放大模块、以及反馈模块之间形成的闭环回路中反馈，以维持负阻放大模块持续工作；对射频信号持续进行负阻放大并输出。本发明采用E类振荡器的设计原理，实现负阻特性的反射放大功能，功耗能够达到个位数的毫瓦级别，功耗低，利于应用于射频识别系前端；并且反射放大器电路结构简单，使用单个晶体管设计负阻放大，不会额外占用过多的芯片面积，更加方便集成，更加方便适用于射频识别系统中。
一种基于振荡特性功耗反射放大器电路

[发明专利]单层MoS2-CN202110686636.6有效
发明人：吕红亮;贾紫骥;孙佳乐;吕智军;张玉明;张义门 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种单层MoS2‑Si基隧穿二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供第一衬底，并在第一衬底的一侧表面制备SiO2隔离区，得到第一衬底结构；获取第二衬底，第二衬底包括预先生长得到的单层MoS2；利用外延层转印技术，将单层MoS2转移至第一表面；图形化所述单层MoS2，形成单层MoS2沟道层；在第一表面淀积形成第一电极和第二电极，使第二电极与SiO2隔离区及单层MoS2沟道层直接接触，获得制作完成的单层MoS2‑Si基隧穿二极管。本发明提供的单层MoS2‑Si基隧穿二极管及其制备方法能够降低界面缺陷密度，进而抑制陷阱辅助隧穿，并从工艺角度改善器件的亚阈值摆幅。
单层 mos base sub

[发明专利]一种共面波导等效电路结构及其参数提取方法-CN202110298384.X有效
发明人：吕红亮;谭戴导;赵冉冉;张玉明;张义门 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种共面波导等效电路结构及其参数提取方法，共面波导等效电路结构包括：第一等效电容(Cf1)、第二等效电容(Cf2)、第一等效电阻(Rsi1)、第二等效电阻(Rsi2)、第一等效电感(Lsi1)、第二等效电感(Lsi2)、第三等效电容(Cox1)、第四等效电容(Cox2)、第三等效电阻(Rs)、第三等效电感(Ls)、第四等效电阻(Rsk)以及第四等效电感(Lsk)。本发明建立用于毫米波波段带地屏蔽层共面波导等效电路结构，不仅保证了结果的准确性，同时包含的电路元件较少，有助于对用于毫米波波段带地屏蔽层共面波导进行深入分析。
一种波导等效电路结构及其参数提取方法

[发明专利]一种基于BP神经网络建立接地共面波导可缩放模型的方法-CN202210949799.3在审
发明人：吕红亮;胡洋辉;谭戴导;戚军军;张玉明;张义门 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于BP神经网络建立接地共面波导可缩放模型的方法，该方法包括：生成包括接地共面波导器件的尺寸参数的多组输入参数、与多组输入参数对应的多组电学特性真实参数；根据多组输入参数和多组器件电学特性真实参数，确定训练集和测试集；采用训练集训练初始模型，得到训练后的模型；初始模型包含第一隐藏层和第二隐藏层；第一隐藏层包括第一数量的神经元；第二隐藏层包括第二数量的神经元；神经元的激活函数为双曲正切S型函数；采用测试集测试训练后的模型，得到预训练的模型。本发明可以提高建模效率，而且生成的模型对接地共面波导器件的电学特性参数的预测准确性高，能实现模型可输入的尺寸参数的可缩放性。
一种基于 bp 神经网络建立接地波导缩放模型方法

[发明专利]半导体器件大信号特性的表征方法-CN202110535092.3有效
发明人：吕红亮;程林;戚军军;严思璐;张玉明;张义门 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G06F30/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件大信号特性的表征方法，该方法包括：获取半导体器件，并建立大信号模型拓扑；根据预设直流经验基模型、预设交流经验基模型和大信号模型拓扑，确定经验基宏模型；获取预先采集得到的大信号特性测试数据，并对经验基宏模型中的待拟合参数进行参数估计，得到第一参数；对第一参数进行调谐，得到第二参数；根据第二参数，对经验基宏模型进行优化，并根据优化后的经验基宏模型表征半导体器件的大信号特性。此种设计方式无需将半导体器件电流模型分为本征和非本征两部分，并且能够避免建立繁琐的耗尽电荷模型，使其提取过程更加便捷，进而节省计算机硬件资源和计算时间，同时也有利于保证待拟合参数的拟合精度。
半导体器件信号特性表征方法

[发明专利]一种多软件协同的大规模集成电路电磁热一体化设计方法-CN202110256878.1在审
发明人：吕红亮;严思璐;戚军军;郭袖秀;张玉明;张义门 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G06F30/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种多软件协同的大规模集成电路电磁热一体化设计方法，包括：获取集成电路中有源器件的模型参数；得到有源器件的温度分布结果；得到预设方向的温度分布曲线，预设方向为集成电路中有源器件间热耦合最严重的方向；对温度分布曲线进行函数拟合得到集成电路有源器件自热温升函数和耦合温升函数；获取集成电路中各个有源器件的功耗值；在集成电路的版图文件标注有源器件的器件编号和有源器件的功耗值；利用自热温升函数和耦合温升函数分别计算得到集成电路中所有有源器件的自热温升和热耦合温升；将电热耦合产生的热耦合温升加入集成电路中再次进行仿真得到考虑了集成电路电磁热耦合效应影响后的集成电路电特性仿真结果。本发明能够精确提取出集成电路中各个有源器件工作状态下的自热温升值与电热耦合效益带来的热耦合温升值，分析更细致，精度更高。
一种软件协同大规模集成电路电磁一体化设计方法

[发明专利]一种基于BP神经网络模型预测半导体器件结温的方法-CN202110159123.X在审
发明人：吕红亮;戚军军;严思璐;程林;张玉明;张义门 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于BP神经网络模型预测半导体器件结温的方法，包括：确定半导体器件的环境温度和功耗；将所确定的环境温度和功耗输入至预先训练完成的BP神经网络模型，以使该BP神经网络模型输出所述半导体器件的结温；其中，所述BP神经网络模型是基于预先构建的数据集所训练获得的；所述数据集包括：通过有限元分析法所获得的、在多种仿真条件下器件模型的结温；所述器件模型为所述半导体器件的仿真模型，每种所述仿真条件对应一种预设的环境温度和一种预设的功耗。本发明能够简单、高效、快速以及精确地预测半导体器件结温。
一种基于 bp 神经网络模型预测半导体器件方法

[发明专利]一种基于RBF神经网络模型预测半导体器件结温的方法-CN202110167067.4在审
发明人：吕红亮;严思璐;戚军军;郭袖秀;张玉明;张义门 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于RBF神经网络模型预测半导体器件结温的方法，包括：确定半导体器件的环境温度和功耗；将所确定的环境温度和功耗输入至预先训练完成的RBF神经网络模型，以使该RBF神经网络模型输出所述半导体器件的结温；其中，所述RBF神经网络模型是基于预先构建的数据集所训练获得的；所述数据集包括：通过有限元分析法所获得的、在多种仿真条件下器件模型的结温；所述器件模型为所述半导体器件的仿真模型，每种所述仿真条件对应一种预设的环境温度和一种预设的功耗。本发明能够简单、高效、快速以及精确地预测半导体器件结温。
一种基于 rbf 神经网络模型预测半导体器件方法

[发明专利]一种基于双MOS栅控的N型碳化硅晶闸管及其制备方法-CN201911066932.5有效
发明人：元磊;杨柳;汤晓燕;宋庆文;张艺蒙;张玉明;张义门 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双MOS栅控的N型碳化硅晶闸管，包括：钝化层(1)、阳极接触金属(2)、关断栅极接触金属(3)、开启栅极接触金属(4)、栅氧化层(5)、P+短路区(6)、N+阳极区(7)、P‑漂移区(8)、N‑漂移区(9)、缓冲层(10)、衬底(11)以及阴极接触金属(12)。本发明通过引入双MOS栅结构，将器件的驱动控制从传统的电流型转变为电压型，有利于前端控制电路的设计、实现以及功耗的降低；且开启栅和关断栅独立工作，分别控制器件的开启和关断，有利于器件在开关或脉冲工作状态下的快速导通和关断，可以显著提高器件的工作频率。
一种基于 mos 碳化硅晶闸管及其制备方法

[发明专利]一种基于双MOS栅控的P型碳化硅晶闸管及其制备方法-CN201911067748.2有效
发明人：汤晓燕;周腾鹏;元磊;宋庆文;张艺蒙;张玉明;张义门 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双MOS栅控的P型碳化硅晶闸管，包括：钝化层(1)、阳极接触金属(2)、关断栅极接触金属(3)、开启栅极接触金属(4)、栅氧化层(5)、N+短路区(6)、P+阳极区(7)、N‑漂移区(8)、P‑漂移区(9)、缓冲层(10)、衬底(11)以及阴极接触金属(12)。本发明通过引入双MOS栅结构，将器件的驱动控制从传统的电流型转变为电压型，有利于前端控制电路的设计、实现以及功耗的降低；且开启栅和关断栅独立工作，分别控制器件的开启和关断，有利于器件在开关或脉冲工作状态下的快速导通和关断，可以显著提高器件的工作频率。
一种基于 mos 碳化硅晶闸管及其制备方法

[发明专利]基于迭代算法的芯片温度分析方法-CN201710259562.1有效
发明人：吕红亮;武岳;李少军;张玉明;张义门;杨施政 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开了基于迭代算法的芯片温度分析方法，涉及集成电路分析技术领域，通过在有限元软件中建立单个器件热学分析模型，能够快速地得到其温度分布曲线，并且结合MATLAB软件拟合了温度分布函数，利用温度叠加原理，把函数表达式编程到温度计算过程中，避免了传统有限元方法的对整个芯片建立实体模型和网格划分过程，能够简单、快速和高效地实现大规模芯片电路的温度分析。在MATLAB编程中利用迭代算法，将耦合温升所带来的影响等效为环境温度的变化，根据等效后的环境温度得到新的自热温升和耦合温升，从而得到新的温度分布，随后不断地进行迭代计算，直到满足收敛条件，相比于非迭代算法，精度明显提高，能够有效地减小误差。
基于算法芯片温度分析方法

[发明专利]一种异质结双极晶体管非电离能量损失的计算方法-CN201710235868.3有效
发明人：吕红亮;赵小红;赵曼丽;张义门;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结双极晶体管非电离能量损失的计算方法，涉及环境工程技术领域，利用SRIM软件来模拟空间辐射粒子入射InP/InGaAs HBT器件过程，精确计算器件中非电离能量损失与入射粒子能量的关系，来预测空间辐照环境中器件性能退化情况，而且只需要很少的试验就可以确定出该特征曲线，节约了试验经费和成本。
一种异质结双极晶体管电离能量损失计算方法

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