专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]液晶显示装置及其制造方法-CN201010282238.X有效
  • 田坂泰俊;中岛睦;井上雅之;吉田圭介;胜瀬浩文 - 夏普株式会社
  • 2006-06-21 - 2011-01-19 - G02F1/1343
  • 本发明提供能够防止由连接子像素电极彼此的连接电极所引起的液晶分子的取向紊乱所产生的粒状性、烧屏和残像等显示品质劣化的垂直取向方式的液晶显示装置及其制造方法。在该液晶显示装置中,液晶面板的各像素电极(2)通过将至少2个以上的子像素电极(2a)组合而构成、且各子像素电极(2a)通过宽度比子像素电极(2a)窄的电桥(3)分别连接。采用当施加电压时,液晶分子以与各子像素电极(2a)面垂直的方向的取向中心轴为基准而轴对称地倾倒的垂直取向方式。电桥(3)相对于子像素电极(2a)被设置在非对称位置。
  • 液晶显示装置及其制造方法
  • [发明专利]液晶显示装置-CN200880020830.3有效
  • 吉田裕志;海瀬泰佳;田坂泰俊;中岛睦 - 夏普株式会社
  • 2008-04-08 - 2010-03-24 - G02F1/1343
  • 本发明涉及液晶显示装置,该液晶显示装置(10)具备排列有多个像素电极(2)的液晶面板,各像素电极(2)具有非对称的形状,并且分类为其形状相互不同的多种像素电极(即,像素电极A和像素电极B)。该液晶面板有规则地配置有各种像素电极(即,像素电极A和像素电极B)而构成,并且,所述各种像素电极分别以相同的比例存在。由此,本发明的目的在于,在由从液晶面板的观察者一侧观察的左右方向上具有非对称形状的像素电极构成的液晶显示装置中,通过变更各种像素电极的配置方式来改善显示品质。
  • 液晶显示装置
  • [发明专利]显示装置及其显示方法-CN200880013663.X有效
  • 吉田圭介;中岛睦 - 夏普株式会社
  • 2008-02-28 - 2010-03-10 - G09G3/36
  • 本发明的目的在于,提供一种在使用由四色以上的子像素构成各像素的显示面板的前提下、维持色彩再现性和亮度的平衡的显示装置。外来光检测部(500)输出与外来光的强度对应的电流(Ia)。切换控制电路(600)基于电流(Ia)的大小,输出用于选择显示模式的显示模式选择信号(S)。输出选择电路(120)在第一显示模式(较暗时)的情况下,将RGB图像信号提供给输入选择电路(160),在第二显示模式(较亮时)的情况下,将RGB图像信号提供给灰度值变换部(140)。在第一显示模式时,将黑信号生成电路(130)生成的W图像信号用作为灰度信号(DV)。在第二显示模式时,将灰度值变换部(140)通过参照灰度值决定用表格(150)而生成的W图像信号用作为灰度信号(DV)。
  • 显示装置及其显示方法
  • [发明专利]有源矩阵基板-CN200880008554.9有效
  • 守屋由瑞;中岛睦;海瀬泰佳;喜多诚;松木园广志;伊藤良行 - 夏普株式会社
  • 2008-02-29 - 2010-01-27 - H01L21/336
  • 本发明提供一种有源矩阵基板。在本发明的有源矩阵基板(100)中,半导体层(110)具有与第一薄膜晶体管(130)的源极区域(132)相邻接的第一吸杂区域(112);与第二薄膜晶体管(140)的漏极区域(146)相邻接的第二吸杂区域(114);和第三吸杂区域(116),其与薄膜晶体管元件(120)所包含的薄膜晶体管的源极区域和漏极区域中位于第一薄膜晶体管(130)的沟道区域(134)与第二薄膜晶体管(140)的沟道区域(144)之间的源极区域和漏极区域中的任一个相邻接。
  • 有源矩阵
  • [发明专利]有源矩阵基板-CN200880008589.2有效
  • 喜多诚;中岛睦;守屋由瑞;海瀬泰佳 - 夏普株式会社
  • 2008-02-29 - 2010-01-27 - H01L21/336
  • 本发明提供一种有源矩阵基板。在本发明的有源矩阵基板(100)中,令使以最短距离连接沟道区域(134)和吸杂区域(112)的线段投影在连接TFT(130)的沟道区域(134)和源极接触部的直线上的长度为d1,令从沟道区域(134)至源极接触部(132c)的长度为d2,令从沟道区域(134)至第一端部(110a)的长度为d3,令第一端部(110a)的长度为L1,令源极接触部(132c)的长度为A1,则满足d2>d1和d2+A1/2>d3+L1/2。
  • 有源矩阵
  • [发明专利]液晶显示装置-CN200780045547.1无效
  • 田中耕平;吉田圭介;中岛睦 - 夏普株式会社
  • 2007-12-11 - 2009-10-07 - G02F1/1368
  • 提供一种液晶显示装置,其能够抑制由于相邻的像素中的一方受另一方的像素电位变动的影响而导致显示图像的画面质量降低的情况。使用具备设有像素电极和用于驱动像素电极的多个TFT的阵列基板的液晶显示装置。TFT被配置在与其驱动对象的像素电极相邻的其它像素电极的正下方区域中。另外,TFT具有设有扩散层的硅膜以及隔着绝缘膜设置在硅膜上层的栅极电极。硅膜跨越形成在从TFT的驱动对象的像素电极的正下方区域到像素电极的正下方区域中。而且,硅膜通过位于TFT的驱动对象的像素电极的正下方区域的部分与TFT的驱动对象的像素电极电连接。
  • 液晶显示装置
  • [发明专利]液晶显示装置-CN200780009446.9有效
  • 田口登喜生;津田和彦;中岛睦;吉田圭介;山田淳一 - 夏普株式会社
  • 2007-02-19 - 2009-04-08 - G02F1/1343
  • 在由4个以上像素规定1个图像元素的透过反射两用型液晶显示装置中,实现开口率高,而且在重视了透过模式的显示中优选的结构。本发明的液晶显示装置是具有包括显示相互不同颜色的第一像素、第二像素、第三像素以及第四像素的多个像素,多个像素的每一个具有以透过模式进行显示的透过区域、以反射面模式进行显示的反射区域的透过反射两用型的液晶显示装置。各像素包括具有与邻接像素啮合那样形状的啮合部,各像素的反射区域配置在啮合部中。
  • 液晶显示装置
  • [发明专利]液晶显示装置-CN200780008818.6无效
  • 守屋由瑞;中岛睦 - 夏普株式会社
  • 2007-02-06 - 2009-04-01 - G02F1/1368
  • 本发明的目的是提供一种设置了具有高开口率、并具有足够大的电容值的辅助电容的有源矩阵型液晶显示装置。基于本发明的液晶显示装置的各像素,具有:液晶电容,其由采用顶栅型的薄膜晶体管来进行开关的像素电极(12)、与像素电极(12)对置的对置电极以及它们之间配置的液晶层形成;和与液晶电容并联电连接的第1辅助电容(Cs1)以及第2辅助电容(Cs2)。第1辅助电容(Cs1),由与像素电极电连接的第1辅助电容电极(17)、与第1辅助电容电极(17)对置的第1辅助电容对置电极(18a)、和第1电介质层(19)形成,第2辅助电容(Cs2),由与像素电极(12)电连接的第2辅助电容电极(20)、与第2辅助电容电极(20)对置的第2辅助电容对置电极(18b)、和第2电介质层(21)形成。第1电介质层(19),是覆盖所述薄膜晶体管的半导体层(22)的栅极绝缘膜(19)的一部分,第2电介质层(21),是覆盖向薄膜晶体管供给扫描信号的扫描布线的层间绝缘膜(23)的一部分,是以比所述层间绝缘膜(23)的其他部分更薄的方式选择性地被薄膜化的部分。
  • 液晶显示装置
  • [发明专利]液晶显示装置及其制造方法-CN200680035962.4有效
  • 田坂泰俊;中岛睦;井上雅之;吉田圭介;胜瀬浩文 - 夏普株式会社
  • 2006-06-21 - 2008-10-01 - G02F1/1343
  • 本发明提供能够防止由连接子像素电极彼此的连接电极所引起的液晶分子的取向紊乱所产生的粒状性、烧屏和残像等显示品质劣化的垂直取向方式的液晶显示装置及其制造方法。在该液晶显示装置中,液晶面板的各像素电极(2)通过将至少2个以上的子像素电极(2a)组合而构成、且各子像素电极(2a)通过宽度比子像素电极(2a)窄的电桥(3)分别连接。采用当施加电压时,液晶分子以与各子像素电极(2a)面垂直的方向的取向中心轴为基准而轴对称地倾倒的垂直取向方式。电桥(3)相对于子像素电极(2a)被设置在非对称位置。
  • 液晶显示装置及其制造方法

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