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[发明专利]场效应晶体管、显示元件、图像显示装置、和系统-CN201810939209.2有效
发明人：曾根雄司;植田尚之;中村有希;高田美树子;松本真二;早乙女辽一;新江定宪;安部由希子 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供场效应晶体管、显示元件、图像显示装置、和系统。所述场效应晶体管包含：基底；保护层；在基底和保护层之间形成的栅绝缘层；与栅绝缘层接触形成的源电极和漏电极；至少在源电极和漏电极之间形成的且与栅绝缘层、源电极和漏电极接触的半导体层；以及栅电极，所述栅电极在与其中设置半导体层的侧相反的侧上形成，其中栅绝缘层在栅电极和半导体层之间，且所述栅电极与栅绝缘层接触，其中保护层包含金属氧化物复合物，所述金属氧化物复合物至少包含Si和碱土金属。
场效应晶体管显示元件图像显示装置系统

[发明专利]氧化物绝缘体膜形成用涂布液-CN201910189165.0有效
发明人：曾根雄司;植田尚之;安藤友一;中村有希;安部由希子;松本真二;早乙女辽一;新江定宪;草柳岭秀 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的氧化物绝缘体膜形成用涂布液含有：含硅化合物、含碱土金属化合物、以及溶剂，所述溶剂包含选自闪点为21℃以上且低于200℃的有机溶剂和水中的至少一种，所述氧化物绝缘体膜形成用涂布液的闪点为37.8℃以上。
氧化物绝缘体形成用涂布液

[发明专利]氧化物或氧氮化物绝缘体膜及其形成用涂布液，场效应晶体管及其制造方法-CN201780073946.2有效
发明人：植田尚之;中村有希;安部由希子;松本真二;曾根雄司;早乙女辽一;新江定宪;草柳岭秀;安藤友一 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：一种氧化物或氧氮化物绝缘体膜形成用涂布液，所述涂布液包括：第A元素；选自第B元素和第C元素的至少一种；和溶剂，其中所述第A元素为选自Sc、Y、Ln(镧系元素)、Sb、Bi和Te的至少一种，所述第B元素为选自Ga、Ti、Zr和Hf的至少一种，所述第C元素为选自周期表中第2族元素的至少一种，并且所述溶剂包括选自闪点为21℃以上但小于200℃的有机溶剂和水的至少一种。
氧化物氮化物绝缘体及其形成用涂布液场效应晶体管制造方法

[外观设计]割草机-CN202330013078.7有效
发明人：铃木航;高桥智阳;中村有希 -专利权人：株式会社牧田
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： 15-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：割草机。2.本外观设计产品的用途：用于割草。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。5.参考图表示安装有集草箱的状态。
割草机

[发明专利]保险杠吸能器-CN202111528693.8在审
发明人：田村充宏;泽居政次;菊地雄介;中村有希;小竹翔太;雪本善和 -专利权人：株式会社钟化;株式会社中外;丰田自动车株式会社;株式会社斯巴鲁
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： B60R19/34 文献下载
摘要：本发明提供一种保险杠吸能器。本发明的目的在于，在碰撞时吸收能量而不使向行人的反作用力大至一定程度以上，该保险杠吸能器(20)具有：主干部(21)，其沿X方向延伸，并受到冲击而在X方向上被单纯压缩；以及枝干部(22)，其从主干部(21)向车身的后方分支，在枝干部(22)的与主干部(21)分支的分支部分(23)设有断裂引发部(24)，该断裂引发部(24)引发因冲击而产生的主干部(21)与枝干部(22)的断裂。
保险杠吸能器

[发明专利]场效应晶体管和用于生产场效应晶体管的方法-CN201811116958.1有效
发明人：松本真二;植田尚之;中村有希;高田美树子;曾根雄司;早乙女辽一;新江定宪;安部由希子 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：为了提供一种场效应晶体管，包含：栅极电极，配置为施加栅极电压；源极电极和漏极电极，两者都配置为输出电流；有源层，由n型氧化物半导体形成，被提供为与源极电极和漏极电极接触；以及栅极绝缘层，被提供在栅极电极和有源层之间；其中，源极电极和漏极电极的功函数是4.90eV或更大，并且其中，n型氧化物半导体的电子载流子密度为4.0×1017cm‑3或更大。
场效应晶体管用于生产方法

[发明专利]场效应晶体管、显示元件、图像显示装置和系统-CN201780018536.8有效
发明人：植田尚之;中村有希;安部由希子;松本真二;曾根雄司;早乙女辽一;新江定宪;草柳岭秀 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种场效应晶体管，具有：栅电极，用于施加栅极电压；源电极和漏电极，用于传输电信号；有源层，其形成在所述源电极和漏电极之间；和栅极绝缘层，其形成在所述栅电极和有源层之间，所述场效应晶体管的特征在于，所述有源层包括至少两种氧化物层，层A和层B；并且所述有源层满足以下条件(1)和/或条件(2)。条件(1)：所述有源层包括3个或更多个氧化物层，其包括2个或更多个层A。条件(2)：所述层A的带隙低于所述层B的带隙，且所述层A的氧亲和力等于或高于所述层B的氧亲和力。
场效应晶体管显示元件图像显示装置系统

[发明专利]场效应晶体管及其制作方法，显示元件，图像显示装置和系统-CN201780044106.3有效
发明人：草柳岭秀;植田尚之;中村有希;安部由希子;松本真二;曾根雄司;早乙女辽一;新江定宪 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：一种场效应晶体管，包括：栅电极，其构造为施加栅电压；源电极和漏电极，其构造为将电流输出；有源层，其设置在源电极和漏电极之间并由氧化物半导体形成；和栅极绝缘层，其设置在栅电极和有源层之间，源电极和漏电极各自包括由金属形成的金属区域和由一种或多种金属氧化物形成的氧化物区域，以及源电极和漏电极的每个中的氧化物区域的一部分与有源层接触，并且氧化物区域的其余部分与除有源层之外的一个或多个部件接触。
场效应晶体管及其制作方法显示元件图像显示装置系统

[实用新型]加热烹调器-CN202120360854.6有效
发明人：长谷川晋平;大西宏季;中川裕贵;中村有希;井尻莲;福岛光起 -专利权人：象印有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： A47J27/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种加热烹调器，实现加热效率的提高。加热烹调器(10)具备：有底筒状的收容部(25)，收容锅(15)；螺旋状的线圈(50)，相对于收容部(25)在收容部(25)的周向上设置有两个以上的偶数个，并对所述锅进行感应加热；以及控制部(60)，将线圈(50)中的两个作为一组线圈组(CG)，对线圈组(CG)进行控制。构成线圈组(CG)的两个线圈(50)构成为流过相互反向的电流。控制部(60)使构成线圈组(CG)的两个线圈(50)同时通电或同时不通电。
加热烹调

[实用新型]加热烹调器-CN202120361727.8有效
发明人：长谷川晋平;大西宏季;中川裕贵;中村有希 -专利权人：象印有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： A47J27/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种加热烹调器，能够防止与对多个线圈分别配置多个铁氧体磁芯相伴的设备的大型化。加热烹调器(10)具备：有底筒状的收容部(25)；多个线圈(29)，以收容部(25)的轴线(B)为中心而在周向上空开间隔地配置于收容部(25)的外表面侧，并对锅(15)进行感应加热；第一铁氧体磁芯(30A)，相对于线圈(29)单独地配置；以及第二铁氧体磁芯(30B)，跨越在收容部(25)的周向上相邻的两个线圈(29)而配置。
加热烹调

[发明专利]用于制造场效应晶体管的方法-CN201780017476.8有效
发明人：松本真二;植田尚之;中村有希;安部由希子;曾根雄司;早乙女辽一;新江定宪;草柳岭秀 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供了一种用于制造场效应晶体管的方法，所述场效应晶体管具有在所述第一氧化物层和第二氧化物层彼此相邻的区域中的前沟道或后沟道，所述方法包括：氧化物层形成步骤，用于形成是第二氧化物层的前体的第二前体层，以便与是第一氧化物层的前体的第一前体层相邻，然后将所述第一前体层和第二前体层分别转换为所述第一氧化物层和第二氧化物层，其中所述氧化物层形成步骤包括如下限定的处理(I)和(II)中的至少一个：(I)处理：用于涂覆能够形成第一氧化物前体并含有溶剂的涂布液；然后除去溶剂，由此形成第一前体层；和(II)处理：用于涂覆能够形成第二氧化物前体并含有溶剂的涂布液；除去溶剂，由此形成第二前体层。
用于制造场效应晶体管方法

[发明专利]用于形成n-型氧化物半导体膜的涂布液、n-型氧化物半导体膜制造方法和场效应晶体管制造方法-CN201680053386.X有效
发明人：植田尚之;中村有希;安部由希子;松本真二;曾根雄司;早乙女辽一;新江定宪;草柳岭秀 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：用于形成n‑型氧化物半导体膜的涂布液，所述涂布液包括：A组元素，其为选自如下的至少一种：Sc、Y、Ln、B、Al、和Ga；B组元素，其为如下的至少一种：In和Tl；C组元素，其为选自如下的至少一种：第4族元素、第5族元素、第6族元素、第7族元素、第8族元素、第9族元素、第10族元素、第14族元素、第15族元素、和第16族元素；和溶剂。
用于形成氧化物半导体涂布液制造方法场效应晶体管

[发明专利]场效应晶体管、显示元件、图像显示设备和系统-CN201610525944.X有效
发明人：植田尚之;中村有希;曾根雄司;安部由希子 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2011-02-15 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所公开的场效应晶体管包括向其施加栅电压的栅极，用于响应于所述栅电压获取电流的源极和漏极，相邻于所述源极和所述漏极提供的有源层，该有源层由n型氧化物半导体形成，和在所述栅极和所述有源层之间提供的栅绝缘层。在场效应晶体管中，该n型氧化物半导体由n型掺杂化合物形成，该n型掺杂化合物具有通过引入三价阳离子、四价阳离子、五价阳离子和六价阳离子的至少一个获得的晶相的化学成分。
场效应晶体管显示元件图像设备系统

[发明专利]待安装于气体面板上的用于半导体制造操作的气体过滤器-CN201780020564.3有效
发明人： 中村有希 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2017-04-03 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： B01D46/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种气体过滤器，其包含外壳，所述外壳包含安装部分及主要部分。所述安装部分经配置以将所述气体过滤器安装于装置的表面上。所述主要部分经配置以与所述装置的所述表面隔开而定位且从所述安装部分在水平方向上延伸。所述外壳具有入口及出口且界定所述入口与所述出口之间的流动通道。所述流动通道具有第一通道部分及第二通道部分，所述第一通道部分从所述入口延伸到所述第二通道部分，所述第二通道部分在实质上平行于所述水平方向的方向上延伸。过滤器部件定位于所述入口与所述出口之间的所述流动通道中。
安装气体面板用于半导体制造操作过滤器

[发明专利]形成氧化物的涂覆液、氧化物膜的制造方法、场效应晶体管的制造方法-CN201980077423.4在审
发明人：早乙女辽一;植田尚之;中村有希;安部由希子;松本真二;曾根雄司;草柳岭秀 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种用于形成氧化物的涂覆液，所述涂覆液包括硅(Si)和B元素，所述B元素为至少一种碱土金属，其中当Si元素的浓度由CA mg/L表示且所述B元素的总浓度由CB mg/L表示时，涂覆液中钠(Na)和钾(K)的总浓度为(CA+CB)/(1×102)mg/L或更低，且所述涂覆液中铬(Cr)、钼(Mo)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)和铜(Cu)的总浓度为(CA+CB)/(1×102)mg/L或更低。
形成氧化物涂覆液制造方法场效应晶体管

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