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[发明专利]一种测量氮化镓材料的镓空位浓度的方法及系统-CN202010641596.9有效
发明人：顾泓;刘宗亮;王建峰;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量氮化镓材料的镓空位浓度的方法，该方法包括：在相同条件下，对待测氮化镓材料和标准氮化镓材料分别进行拉曼光谱测试，以获取待测氮化镓材料的拉曼强度和标准氮化镓材料的拉曼强度；根据待测氮化镓材料的拉曼强度、标准氮化镓材料的拉曼强度以及拉曼强度和氮化镓材料的镓空位浓度的正相关关系，计算出待测氮化镓材料的镓空位浓度。本发明还公开了一种测量氮化镓材料的镓空位浓度的系统。本发明解决了现有技术中存在的氮化镓材料的镓空位浓度的测量时间较长，测量成本较高的问题。
一种测量氮化材料空位浓度方法系统

[发明专利]一种氮化镓单晶材料及其制备方法-CN201810717305.2有效
发明人：谢奎;席少波;胡秀丽 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种高质量氮化镓极性(0001)C面、非极性(10‑10)M面和(11‑20)A面单晶材料，以解决现有技术中氮化镓单晶材料异质生长和提高氮化镓器件性能的问题，大幅提高了氮化镓单晶材料的品质。所述氮化镓单晶材料包括A多孔氮化镓单晶晶体或多孔氮化镓单晶薄膜；和B氮化镓单晶薄膜；其中，所述B氮化镓单晶薄膜生长于所述A多孔氮化镓单晶晶体或多孔氮化镓单晶薄膜上。
一种氮化镓单晶材料及其制备方法

[发明专利]一种氧化镓材料的氮化方法-CN202010134887.9在审
发明人：蒋卓汛;方志来;闫春辉;吴征远;田朋飞;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓材料的氮化方法，通过热氮化生长，自氧化镓层上表面向氧化镓层下表面扩散生长氮化镓层。该发明提供了一种工艺简单且可重复的氧化镓材料的氮化方法，可实现氧化镓纳米结构、薄膜、体材料向氮化镓材料的转化，制备的氮化镓材料可用于制备氧化镓与氮化镓的异质结，以及基于异质结的晶体二极管、晶体三极管等电子器件本发明中的氮化方法，为氮化镓纳米结构的制备提供了新思路，为基于氧化镓与氮化镓的异质结器件制备提供了新方法。
一种氧化材料氮化方法

[发明专利]一种氮化镓材料的激光剥离方法、设备及介质-CN202310445602.7有效
发明人：郭芬;索曌君 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，具体涉及一种氮化镓材料的激光剥离方法、设备及介质。其中方法包括：在沉积形成的氮化镓异质结构材料的表面沉积金属层形成氮化镓复合体；响应于所述金属层沉积完成，通过激光剥离所述氮化镓复合体上的衬底，并通过预定方式洗去所述氮化镓复合体上的金属层得到氮化镓材料。通过本发明提供的一种氮化镓材料的激光剥离方法，在Fe掺杂的氮化镓材料上添加一层金属层之后再对氮化镓材料上的衬底进行激光剥离，借助金属层的高延展性，可在激光剥离过程中，有效吸收GaN热分解生成N2产生的压力及Fe掺杂GaN材料内部应力弛豫产生的较大的应力。大幅提高氮化镓材料成形的良品率以及氮化镓材料的品质。
一种氮化材料激光剥离方法设备介质

[发明专利]高纯氮化镓粉材料的制备-CN202110009167.4在审
发明人：段文轩 -专利权人：段文轩
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： C01B21/06 文献下载
摘要：本发明提供高纯氮化镓粉材料的制备，涉及氮化镓领域。该高纯氮化镓粉材料的制备，包括石英容器清洗、高纯镓原料处理、高纯氮化镓的制备和高纯氮化镓的过筛步骤，通过获取高纯氧化镓材料，通入高纯氨气且控制好高纯氨气流量的方式,找到合适的技术条件，获得高纯氮化镓,并设计了反应装置传统方式是通过大量的化学材料沉淀等方法获得氮化镓，但方式工艺复杂，纯度很难达到保证。
高纯氮化材料制备

[发明专利]非极性面氮化镓纳米锥材料的制备方法-CN201310085910.X有效
发明人：王新中;唐飞;李世国;张宗平;何国荣;谢华 -专利权人：深圳信息职业技术学院
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种非极性面氮化镓纳米锥材料的制备方法。该非极性面氮化镓纳米锥材料包括依次层叠结合的铝酸锂衬底、氮化镓缓冲层和氮化镓模板层以及生长在所述氮化镓模版层外表面的氮化镓纳米锥。其制备方法包括获取铝酸锂衬底、外延氮化镓缓冲层、外延氮化镓模板层和生长氮化镓纳米锥的步骤。本发明非极性面氮化镓纳米锥材料在氮化镓层外表面生长有氮化镓纳米锥，且该氮化镓纳米锥阵列分布。其制备方法直接采用HCl气体辅助生长氮化镓纳米锥，避免了使用催化剂或其它掩膜；另外，根据应用需求可以对氮化镓纳米锥阵列的质量、结构，该方法简单易行，对于退火设备要求不高。
极性氮化纳米材料制备方法

[发明专利]常关型氮化镓元件的制造方法-CN202210077729.3在审
发明人：温文莹 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种常关型氮化镓元件的制造方法，包括于基板上形成信道层，于所述信道层上形成阻挡层，于所述阻挡层上形成氮化镓层。所述氮化镓层具有一预设区域，其中所述氮化镓层的材料为P型氮化镓或未掺杂氮化镓。然后，根据氮化镓层的材料种类，利用选择性离子注入，使所述预设区域内的氮化镓层为P型氮化镓层，且所述预设区域以外的氮化镓层为N型氮化镓层、隔离区或未掺杂氮化镓层。
常关型氮化元件制造方法

[发明专利]在含有非氮化镓柱体的基板上制造氮化镓半导体层,并由此制造氮化镓半导体结构的方法-CN00818903.X有效
发明人：罗伯特·F·戴维斯;凯文·J·林斯卡姆;托马斯·杰赫克 -专利权人：北卡罗来纳州大学
申请日： 2000-08-22 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：基板上含有许多非氮化镓柱体，柱体之间有沟槽，柱体限定出了沟槽的界限；其中非氮化镓柱体包括非氮化镓材料侧壁和非氮化镓材料顶面，沟槽包括非氮化镓材料底面。氮化镓生长在非氮化镓柱体上，包括生长在柱体的顶面上。理想的情况是，金字塔形氮化镓生长在非氮化镓柱体的顶面上，然后氮化镓生长在金字塔形的氮化镓上面。理想的情况是，金字塔形氮化镓在第一温度下生长，然后氮化镓在高于第一温度的第二温度下生长。理想的情况是，第一温度在1000℃左右或低于1000℃，第二温度位于1100℃左右或高于1100℃。理想的情况是，在金字塔形氮化镓上方所生长出来的氮化镓连接起来形成连续的氮化镓层。因此，在氮化镓生长过程中无需形成掩模。再者，氮化镓的生长除温度变化之外使用的是相同的工艺条件。因此，氮化镓可以进行不间断的生长。
含有氮化柱体基板上制造半导体由此结构方法

[发明专利]氮化钛/氮化镓异质结构材料及其制备方法和应用-CN201911076996.3有效
发明人：刘宇;王文龙;张晓伟;逯丽莎;赵昱;白雪冬 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种制备氮化钛/氮化镓异质结构材料的方法。本发明还提供一种本发明的方法制备的氮化钛/氮化镓异质结构材料，其中，所述氮化钛/氮化镓异质结构材料的形状为一维多孔纳米棒状，并且所述一维多孔纳米棒的长径比为1.5:1‑20:1。本发明还提供本发明的氮化钛/氮化镓异质结构材料或者根据本发明的方法制备的氮化钛/氮化镓异质结构材料在光催化领域中的应用。本发明的氮化钛/氮化镓异质结构材料宏观上为一维多孔纳米棒，具有高的比表面积，并且表面等离激元氮化钛材料与半导体氮化镓材料复合有助于增强光吸收和光生电荷分离，可以应用于光催化领域如光催化分解水领域、光催化降解领域或者光催化还原领域
氮化镓异质结构材料及其制备方法应用

[发明专利]一种金刚石衬底氮极性氮化镓异质结材料及其制备方法-CN202311043123.9在审
发明人：张东国;李忠辉;杨乾坤;李传皓;彭大青 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石衬底氮极性氮化镓异质结材料及其制备方法。本发明在镓极性氮化镓上采用沉积或者键合的方式与金刚石结合，再将镓极性氮化镓衬底载片及氮化物缓冲层去除，形成适于氮极性氮化镓外延生长用的具有一定偏角的金刚石衬底氮化镓模板，采用图形化氮化硼二维缓冲材料释放氮化物二次高温生长时薄膜应力，从而实现高质量的低应力金刚石衬底氮极性氮化镓异质结材料制备。本发明制备方法提高金刚石衬底氮极性氮化镓异质结材料的表面薄膜质量及抑制薄膜开裂的目的，有利于改善氮极性氮化镓异质结材料的散热能力，提高器件的工作寿命，适用于大功率微波功率器件。
一种金刚石衬底极性氮化镓异质结材料及其制备方法

[发明专利]氮化镓功率器件封装前的处理方法及封装结构-CN202310610675.7在审
发明人：李湛明 -专利权人：苏州量芯微半导体有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓功率器件封装前的处理方法及封装结构，所述处理方法包括：提供待封装的氮化镓晶圆；采用镀膜工艺在氮化镓晶圆背面形成绝缘材料或半绝缘材料层；对氮化镓晶圆进行切割形成多个氮化镓芯片；通过导电胶层将氮化镓芯片上形成有绝缘材料或半绝缘材料层的一面粘附于金属背板上本发明中采用镀膜工艺在氮化镓晶圆背面形成绝缘材料或半绝缘材料层，其均匀度和厚度更容易控制，绝缘材料或半绝缘材料层的均匀度提高能够防止漏电，而通过导电胶层将氮化镓芯片粘附于金属背板，导电胶层能够导电，对电流并不会造成影响，绝缘材料或半绝缘材料层与导电胶层的组合使得氮化镓功率器件更好的控制电流，提高了氮化镓功率器件的性能。
氮化功率器件封装处理方法结构

[发明专利]氮化镓材料中Fe杂质浓度的测量方法-CN201910951224.3在审
发明人：张育民;徐科;王建峰 -专利权人：苏州纳维科技有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： G01N21/25 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓材料中Fe杂质浓度的测量方法，其包括如下步骤：S1、对待测量的氮化镓材料进行预处理；S2、测量经过预处理的氮化镓材料的透射光谱；S3、根据测量得到的透射光谱，拟合出氮化镓材料的吸收边位置；S4、根据Fe杂质浓度与吸收边位置的关系计算氮化镓材料中Fe杂质浓度。本发明的氮化镓材料中Fe杂质浓度的测量方法采用透射光谱测量的方法来测量氮化镓材料内部的Fe杂质浓度，避免了常规测试方法对氮化镓材料造成的损害问题，并且具有测试设备简单、测试速度快、测试成本低等优点。
氮化镓材料测量透射光谱预处理吸收边测试成本测试设备常规测试关系计算拟合测试损害

[实用新型]纳米非极性面GaN锥形阵列材料-CN201320122513.0有效
发明人：王新中;唐飞;李世国;张宗平;何国荣;谢华 -专利权人：深圳信息职业技术学院
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种纳米非极性面GaN锥形阵列材料。该纳米非极性面GaN锥形阵列材料包括依次层叠结合的铝酸锂衬底层、氮化镓缓冲层和氮化镓模板层以及生长在所述氮化镓模版层外表面的氮化镓纳米锥。本实用新型纳米非极性面GaN锥形阵列材料在氮化镓层外表面生长有氮化镓纳米锥，且该氮化镓纳米锥阵列分布。同时，该无金属杂质污染，晶体质量高。
纳米极性 gan 锥形阵列材料

[发明专利]生长单一晶向氮化镓材料的方法和复合衬底-CN202210204788.2在审
发明人：贾传宇;张国义;孙永健;陆羽 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了在氮化铝陶瓷基板上生长单一晶向氮化镓材料的方法和复合衬底，该方法包括如下步骤：在氮化铝陶瓷基板上制备氮化铝成核层，得到氮化铝陶瓷基板复合衬底；将所述氮化铝陶瓷基板复合衬底放入金属有机化学气相外延设备进行外延生长，生长得到具有单一晶向氮化镓材料的复合衬底，所述复合衬底包括从下到上依次层叠设置的氮化铝成核层、低温氮化镓成核层、高温氮化镓合并层和高温氮化镓外延层；本发明在氮化铝陶瓷基板外延上生长单一晶向氮化镓材料，由于氮化铝陶瓷基板是高阻材料且具有优良的散热性能，可制备高耐压电子功率器件，有效弥补现有技术中在硅衬底上制备氮化镓外延材料而只能制备低耐压电子功率器件的缺陷。
生长单一氮化材料方法复合衬底

[发明专利]氮化镓基板的制作方法-CN201110025728.6无效
发明人：曾坚信 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2011-01-24 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化镓基板的制作方法，其首先在一个氮化镓单晶基板中形成一层离子植入层从而将氮化镓单晶基板分成两个部分，然后利用接合金属层将氮化镓单晶基板与辅助基板连接在一起，最后通过加热使离子植入层形成断裂，使氮化镓单晶基板与辅助基板分离同时，氮化镓单晶基板将在辅助基板的表面留下一层氮化镓薄膜，从而形成氮化镓基板。利用从氮化镓单晶基板中分离出来的氮化镓薄膜来生长氮化物系半导体材料，其生产成本较低并且所生长的半导体材料晶格缺陷较少。
氮化镓基板制作方法

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