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[发明专利]用于形成III族氮化物材料的方法以及通过该方法形成的结构-CN201180056001.2有效
发明人： C·阿里纳;R·T·小伯特伦;E·林多;S·马哈詹;F·孟 -专利权人： SOITEC公司;代理并代表亚利桑那州立大学的亚利桑那董事会
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明的实施方案包括使用卤化物气相外延（HVPE）过程形成III族氮化物半导体结构的方法。所述方法包括在非同质生长基材的表面上形成连续的III族氮化物成核层，所述连续的III族氮化物成核层遮盖所述非同质生长基材的上表面。形成连续的III族氮化物成核层可包括形成III族氮化物层以及热处理所述III族氮化物层。该方法还可包括在所述连续的III族氮化物成核层上形成另外的III族氮化物层。
用于形成 iii 氮化物材料方法以及通过结构

[发明专利]Ⅲ族氮化物模板的制备方法-CN202011554983.5有效
发明人：何晨光;张康;吴华龙;贺龙飞;陈志涛;赵维;廖乾光;刘云洲 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种III族氮化物模板的制备方法，包括：在异质衬底上形成混合极性III族氮化物的成核层，成核层中含有N极性III族氮化物和金属极性III族氮化物；在成核层上形成混合极性III族氮化物的生长层，生长层中包含金属极性III族氮化物晶柱和N极性III族氮化物晶柱，且金属极性III族氮化物晶柱高于N极性III族氮化物晶柱；在生长层的金属极性III族氮化物晶柱的上表面通过横向外延形成金属极性III族氮化物的合拢层；形成成核层和生长层的氮源和III族金属源的摩尔比均大于500∶1，形成合拢层的氮源和III族金属源的摩尔比小于500∶1。本申请的方法无需额外增加腐蚀工序就可以在模板中引入微小孔洞，提高了III族氮化物的晶体质量。
氮化物模板制备方法

[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN201210174858.0有效
发明人：徐志豪;宣融;张郁香;黄荣俊;陈俊颖 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：提出一种氮化物半导体发光元件，其包括N型氮化物半导体层、P型氮化物半导体层、发光半导体层、第一金属垫、第二金属垫及第一磁性材料层。发光半导体层配置于N型氮化物半导体层与P型氮化物半导体层之间。第一金属垫与N型氮化物半导体层电性连接。第二金属垫与P型氮化物半导体层电性连接。第一磁性材料层配置于第一金属垫与N型氮化物半导体层之间。第一磁性材料层平行于N型氮化物半导体层的(0001)面的分布面积大于或等于第一金属垫平行于此(0001)面的面积。
氮化物半导体发光元件

[发明专利]具有控制应力的氮化硅膜-CN200580024991.6无效
发明人：瑟亚纳拉亚南·R·伊耶;安德鲁·M·拉姆;前田佑二;汤姆斯·梅内;雅各布·W·史密斯;肖恩·M·索特;桑吉乌·坦登;兰德希尔·P·辛格·撒库;森德拉奇·西鲁帕普里尤 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2005-07-05 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含一多层氮化物层叠的组件(assembly)，该多层氮化物层叠具有多层氮化物蚀刻终止层，且每一氮化物蚀刻终止层彼此层叠，并通过一薄膜形成工艺来形成每一层氮化物蚀刻终止层。一种制造该多层氮化物层叠的方法包括将一衬底置于一单一晶片沉积室中，以及在沉积的前一刻，先对该衬底作热冲击处理(thermal shock)。一第一氮化物蚀刻终止层沉积于该衬底上。一第二氮化物蚀刻终止层沉积于该第一氮化物蚀刻终止层上。
具有控制应力氮化

[发明专利]一种堆叠结构及其制备方法-CN202011504926.6在审
发明人：杨事成;张莉;阙凤森;贺晓平;陈冠桦;施生巍;李康;钟磊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本申请公开了一种堆叠结构及其制备方法，其中，所述堆叠结构包括交替堆叠设置的氮化物层和氧化物层，所述氮化物层至少包括部分掺氧氮化物层，且所述掺氧氮化物层与位于所述氮化物层背离所述衬底一侧的氧化物层毗邻，如此设置的掺氧氮化物层可以在刻蚀过程中起到缓冲作用，避免了刻蚀工艺在从氧化物层刻蚀到氮化物层时，由于驱动方式突变而造成的氮化物层损毁或缺陷的问题，提升了基于所述堆叠结构制备的三维NAND存储器的电学性能。
一种堆叠结构及其制备方法

[发明专利]一种氮化物发光二极管及其制备方法-CN201310038258.6无效
发明人：郑远志;康建;徐琦;陈静;盛成功 -专利权人：马鞍山圆融光电科技有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化物发光二极管的制备方法，包括如下步骤：在衬底上依次生长N型氮化物层、发光层、P型氮化物层；去除部分P型氮化物层和发光层，直至暴露出N型氮化物层；在P型氮化物表面形成电流阻挡层；在P型氮化物层和暴露出的N型氮化物层的表面形成透明电极；在透明电极表面制作焊线电极，并且P型氮化物层表面的焊线电极的位置与P型氮化物层表面的电流阻挡层位置相对应。
一种氮化物发光二极管及其制备方法

[发明专利]半导体外延结构及其生长方法-CN201210327147.2有效
发明人：程凯 -专利权人：程凯
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体外延结构及其生长方法，该半导体外延结构包括：形成于衬底上的成核层；形成于所述成核层上的氮化物层，所述氮化物层包括第一氮化物层和第二氮化物层；位于所述第一氮化物层和第二氮化物层之间的插入层，所述插入层包括第一插入层和位于所述第一插入层上方的第二插入层，所述第一插入层为铝镓氮层，所述第二插入层为氮化硅层。本发明的半导体外延结构会大大降低氮化物的位错密度，提高氮化物的晶体质量。
半导体外延结构及其生长方法

[发明专利]氮化铝单晶材料制备方法-CN201210332652.6有效
发明人：杨少延;魏鸿源;焦春美;刘祥林 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种氮化铝单晶材料制备方法，包含：在衬底上制备一III族氮化物成核层；在III族氮化物成核层上制备一III族氮化物结晶层；在III族氮化物结晶层上制备一应力协变层；在应力协变层上制备一III族氮化物自分解解耦合层；在III族氮化物自分解解耦合层上制备一第一III族氮化物模板层；在第一III族氮化物模板层上制备一第二III族氮化物模板层；在第二III族氮化物模板层上制备一氮化铝厚膜单晶材料层；通过中间工艺制备得到氮化铝单晶片衬底材料本发明能为研制生产紫外和深紫外半导体光电器件提供低成本大尺寸氮化铝单晶片衬底材料，具有非常好的实用价值和市场推广前景。
氮化铝单晶材料制备方法

[发明专利]氮化物基半导体装置及其制造方法-CN202180003944.2在审
发明人：何川;蒲小庆;郝荣晖;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、源电极、漏电极、栅电极和第三氮化物基半导体层。所述第一氮化物基半导体层具有至少一个沟槽。所述第二氮化物基半导体层安置在所述第一氮化物基半导体层上且与所述沟槽间隔开。所述源电极和所述漏电极安置在所述第二氮化物基半导体层上方。所述栅电极安置在所述第二氮化物基半导体层上方及所述源电极和漏电极之间，以便至少限定在所述栅电极和所述漏电极之间且与所述沟槽重叠的漂移区。所述第三氮化物基半导体层至少安置在所述沟槽中，并且从所述沟槽向上延伸以与所述第二氮化物基半导体层接触。
氮化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]氮化物基半导体器件及其制造方法-CN202211387983.X在审
发明人：马俊辉;杜卫星;杨航;游政昇 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮基半导体器件，其特征在于，包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、栅电极、欧姆电极和单场板。第二氮化物半导体层设置在所述第一氮化物半导体层上，所述第二氮化物半导体层的带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙。栅电极设置在所述第二氮化物基半导体层上方。欧姆电极设置所述在第二氮化物基半导体层上方。单场板设置在所述第二氮化物基半导体层上方，且位于所述栅电极和所述欧姆电极之间，其中所述单场板具有至少一对圆角。
氮化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体发光装置-CN201210082249.2无效
发明人：沈炫旭;李东柱;申东益;金荣善;浅井诚;孙俞利 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-03-26 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：提供了一种氮化物半导体发光装置，所述氮化物半导体发光装置包括：发光结构，具有p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层和形成在它们之间的活性层；p侧电极和n侧电极，分别电连接至p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层；以及接触层，设置在p型氮化物半导体层和p侧电极之间，并包括具有第一杂质浓度以与p侧电极形成欧姆接触的第一p型氮化物层和具有第二杂质浓度的第二p型氮化物层，第二杂质浓度低于第一杂质浓度。
氮化物半导体发光装置

[发明专利]氮化物半导体发光装置-CN201210400802.2无效
发明人：金范埈;金晟泰;金荣善;尹皙胡;金起成;李浩喆 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：提供了一种氮化物半导体发光装置，所述氮化物半导体发光装置包括n型氮化物半导体层、设置在n型氮化物半导体层上的活性层和设置在活性层上的p型氮化物半导体层。一个或多个电流扩散层设置在n型氮化物半导体层的表面上。电流扩散层包括带隙能比形成n型氮化物半导体层的材料的带隙能大的材料，以在与形成n型氮化物半导体层的材料的界面处形成二维电子气层。
氮化物半导体发光装置

[发明专利]具有夹层结构的厚氮化物半导体结构和制作厚氮化物半导体结构的方法-CN200880007785.8有效
发明人： A·W·萨克斯勒;A·A·小伯克 -专利权人：克里公司
申请日： 2008-03-04 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括衬底、衬底上的成核层、成核层上的组分渐变层以及组分渐变层上的氮化物半导体材料层。所述氮化物半导体材料层包括在所述氮化物半导体材料层内被隔开的多个基本弛豫的氮化物夹层。所述基本弛豫的氮化物夹层包括铝和镓并且利用n型掺杂剂进行导电掺杂，并且包括所述多个氮化物夹层的氮化物半导体材料层具有至少大约2.0μm的总厚度。
具有夹层结构氮化物半导体制作方法

[发明专利]UV发光二极管-CN202110491351.7在审
发明人：朴起延;许政勋;韩釉大;韩建宇 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2016-03-29 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：该UV发光二极管包括：第一导电型半导体层；第一应力调节层，设置在第一导电型半导体层上，并且包括第一氮化物层和第二氮化物层，其中，第一氮化物层包括Al，第二氮化物层设置在第一氮化物层上并且具有比第一氮化物层的Al组成比低的Al组成比；活性层，设置在第一应力调节层上；以及第二导电型半导体层，设置在活性层上，其中，第一应力调节层包括插入第一氮化物层中的Al增量层，插入Al增量层的第一氮化物层的下表面具有比直接设置在第一氮化物层上的第二氮化物层的下表面的平均拉应力大的平均拉应力
uv 发光二极管

[发明专利]UV发光二极管-CN201680021241.1有效
发明人：朴起延;许政勋;韩釉大;韩建宇 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2016-03-29 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：该UV发光二极管包括：第一导电型半导体层；第一应力调节层，设置在第一导电型半导体层上，并且包括第一氮化物层和第二氮化物层，其中，第一氮化物层包括Al，第二氮化物层设置在第一氮化物层上并且具有比第一氮化物层的Al组成比低的Al组成比；活性层，设置在第一应力调节层上；以及第二导电型半导体层，设置在活性层上，其中，第一应力调节层包括插入第一氮化物层中的Al增量层，插入Al增量层的第一氮化物层的下表面具有比直接设置在第一氮化物层上的第二氮化物层的下表面的平均拉应力大的平均拉应力
uv 发光二极管