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[发明专利]石墨烯插层III族氮化物半导体复合薄膜及其制备方法-CN202010443660.2有效
发明人：徐洪秀 -专利权人：山西穿越光电科技有限责任公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯插层III族氮化物半导体复合薄膜，通过在现有的III族氮化物半导体复合薄膜中插层石墨烯层，以在衬底表面制得结构为(III族氮化物层A/石墨烯/III族氮化物层B/石墨烯)n+1/GaN的石墨烯插层III族氮化物半导体复合薄膜。石墨烯插层的引入，可以改善改善各III族氮化物层的平整度以及III族氮化物层和石墨烯层之间的界面陡峭度。同时，石墨烯层与III族氮化物层之间均是异质结构，可以增强整个超晶格薄膜的光电转换效率，不需要通过额外的调控III族氮化物层中的元素百分比含量来获得具有不同势垒的结构层来增强光电转换效率。
石墨烯插层 iii 氮化物半导体复合薄膜及其制备方法

[发明专利]氮化物半导体部件及其制造工艺-CN200780014633.6有效
发明人：阿明·戴德加;阿洛伊斯·克罗斯特 -专利权人：阿祖罗半导体股份公司
申请日： 2007-02-22 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在硅表面上制造氮化物半导体部件的层结构的方法，该方法包括步骤：-制备具有硅表面的衬底；-在所述衬底的硅表面上淀积含有铝的氮化物成核层；-可选的：在所述氮化物成核层上淀积含有铝的氮化物缓冲层；-在所述氮化物成核层或者当存在时在第一氮化物缓冲层上淀积掩模层；-在所述掩模层上淀积含有镓的第一氮化物半导体层，其中，通过这样一种方式淀积所述掩模层，使得在所述第一氮化物半导体层的淀积步骤中，最初分离的微晶在一定的聚合层厚度之上首先共生，并且在垂直于所述生长方向的共生氮化物半导体层的层平面内占据至少0.16μm²的平均表面积。
氮化物半导体部件及其制造工艺

[发明专利]氮化物基半导体装置及其制造方法-CN202180005094.X在审
发明人：杨超;周春华;赵起越;沈竞宇 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、氮化物基多半导体层、栅电极、栅极绝缘体层和源电极。所述第一氮化物基半导体层包含漂移区和至少两个掺杂势垒区，所述掺杂势垒区在所述漂移区中限定孔。所述氮化物基多半导体层结构安置在所述第一氮化物基半导体层之上且具有彼此分隔开的第一异质结和第二异质结。所述栅电极由所述氮化物基多半导体层结构接收且与所述漂移区中的所述孔竖直对准。所述栅极绝缘体层安置在所述氮化物基多半导体层结构和所述栅电极之间。所述源电极安置在所述第一氮化物基半导体层之上且邻接所述氮化物基多半导体层结构的所述第一和第二异质结。
氮化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件结构及其制造方法-CN202310615436.0在审
发明人：李啓珍 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件结构及其制造方法，涉及半导体技术领域，半导体器件结构包括：衬底；第一氮化物半导体层，安置于衬底上，第一氮化物半导体层背离衬底的一侧表面设置有v形凹槽；其中v形凹槽由位错形成；第二氮化物半导体层，安置于第一氮化物半导体层上，第二氮化物半导体层背离第一氮化物半导体层的一侧表面平坦；第三氮化物半导体层，安置于第二氮化物半导体层上；电极层，安置于第三氮化物半导体层上。通过上述方式，本发明的第一氮化物半导体层设置有v形凹槽，v形凹槽边壁的带隙比较大，这种带隙差对位错附近的载流子形成势垒，载流子很难靠近位错。
半导体器件结构及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体结构-CN201410552714.3有效
发明人：宣融;胡智威;詹益仁 -专利权人：嘉晶电子股份有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体结构。氮化物半导体结构包括衬底、碳化硅成核层、复合缓冲层以及氮化物半导体层。碳化硅成核层位于衬底上。复合缓冲层位于碳化硅成核层上。氮化物半导体层位于复合缓冲层上。此外，所述氮化物半导体结构为无氮化铝的半导体结构。
氮化物半导体复合缓冲层成核层碳化硅氮化物半导体层衬底半导体结构氮化铝

[发明专利]发光器件-CN200480009899.8有效
发明人：永井阳一;木山诚;中村孝夫;樱田隆;秋田胜史;上松康二;池田亚矢子;片山浩二;吉本晋 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2004-08-04 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：这种发光器件在氮化物半导体衬底(1)第一主表面侧包含：n－型氮化物半导体层(2)，安置在离氮化物半导体衬底(1)比n－型氮化物半导体层(2)更远处的p－型氮化物半导体层(6)，以及安置在n－型氮化物半导体层(2)和p－型氮化物半导体层(6)之间的发光层(4)。氮化物半导体衬底的电阻率不超过0.5Ω·cm。发光器件是以p－型氮化物半导体层侧向下的方式安装的，从而使光从氮化物半导体衬底的第二主表面(1a)发出，所述的第二主表面位于第一主表面的另一侧。
发光器件

[发明专利]氮化物半导体发光元件和具备该氮化物半导体发光元件的光源-CN201380000898.6无效
发明人：加藤亮;高桥邦方;藤金正树;横川俊哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本申请所公开的氮化物半导体发光元件，具备如下：n侧电极；p侧电极；与n侧电极电连接的n型氮化物半导体层；具有非极性面或半极性面的主面的p型氮化物半导体层；和位于n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间的活性层p型氮化物半导体层包含具有30纳米以上、50纳米以下的高度的突起，突起由不仅含有镁、而且也含有硅的p型氮化物半导体形成，p型氮化物半导体具有1.0×1017cm-3以上、6.0×1017cm-3以下的硅浓度，突起从活性层朝向p侧电极突出，氮化物半导体发光元件在俯视下，p侧电极与突起重叠，突起含有位错，且在突起的周围形成有由p型氮化物半导体形成的平坦面，并且突起具有比平坦面高的位错密度。
氮化物半导体发光元件具备光源

[发明专利]氮化物半导体发光装置-CN200810004903.1有效
发明人：小河淳;相生明雄;驹田聪;中津弘志 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2008-01-29 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化物半导体发光装置，包括衬底，以及从靠近衬底一侧开始依次堆叠在该衬底上的第一n型氮化物半导体层、发射层、p型氮化物半导体层、金属层和第二n型氮化物半导体层，其中电极提供在第二n型氮化物半导体层的表面上或者在所述第二n型氮化物半导体层的表面的上方。该金属层优选由贮氢合金制造。
氮化物半导体发光装置

[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN201480004398.4有效
发明人：渡边昌规;驹田聪;井上知也;川畑昴佑 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：氮化物半导体发光元件依次具备第一n型氮化物半导体层、第二n型氮化物半导体层、n型电子注入层和发光层，第二n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度为第一n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度的0.53倍以下，n型电子注入层的平均n型掺杂物浓度为第二n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度的1.5倍以上。
氮化物半导体发光元件

[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制备方法-CN200580041795.X有效
发明人：李昔宪 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2005-12-05 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及氮化物半导体发光器件，包括：具有AlGaN/n－GaN或AlGaN/GaN/n－GaN的超晶格结构的第一氮化物半导体层；在第一氮化物半导体层上形成的用以发光的有源层；在有源层上形成的第二氮化物半导体层；和在第二氮化物半导体层上形成的第三氮化物半导体层。根据本发明，有源层的结晶度得到提高，并且光功率和可靠性也得到提高。
氮化物半导体发光器件及其制备方法

[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制造方法-CN201210174859.5有效
发明人：笔田麻佑子 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体发光元件及其制造方法，该氮化物半导体发光元件具有：生长用基板、形成于该生长用基板上的n型氮化物半导体层、形成于该n型氮化物半导体层上的发光层、形成于该发光层上的p型氮化物半导体层，该氮化物半导体发光元件的管孔的密度形成为5000个/cm2以下，该管孔从n型氮化物半导体层的位于发光侧的表面朝向基板大致垂直地延伸，直径为2nm~200nm。
氮化物半导体发光元件及其制造方法

[实用新型]一种栅极金属结构及其III族氮化物器件-CN202021141002.X有效
发明人：孙希国;蔡文必;刘胜厚 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型公开了应用于III族氮化物器件结构，所述栅极金属结构设置于III族氮化物器件的III族氮化物层上，所述栅极金属结构包含第一金属层；所述栅极金属结构还包含第二金属层，所述第二金属层设置于III族氮化物层与所述第一金属层之间，以及公开了采用上述栅极金属结构的III族氮化物器件，本实用新型具备改善III族氮化物器件阈值电压的稳定性，提高III族氮化物器件的可靠性特点。
一种栅极金属结构及其 iii 氮化物器件

[发明专利]半导体器件-CN202211359364.X在审
发明人：郝荣晖;陈扶;何川;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：氮化物型的半导体器件，包括缓冲体、第一氮化物半导体层、屏蔽层、第二氮化物半导体层、源极/漏极电极和栅极电极。第一氮化物半导体层设置在缓冲体上。屏蔽层设置在缓冲体和第一氮化物半导体层之间，并且包括第一隔离化合物，其中第一隔离化合物的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙，且第一隔离化合物至少包括第三族元素和氧元素。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上，其具有的带隙小于第一隔离化合物的带隙且大于第一氮化物半导体层的带隙。一对源极/漏极电极和栅极电极设置述第二氮化物半导体层上，其中栅极电极位于源极/漏极电极之间，且源极/漏极电极和栅极电极于缓冲体上的垂直投影完全落在屏蔽层于缓冲体上的垂直投影内。
半导体器件

[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法-CN202110398808.X有效
发明人：郝荣晖;陈扶;何川;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：氮化物型的半导体器件包括缓冲体、第一氮化物半导体层、屏蔽层、第二氮化物半导体层、源极/漏极电极和栅极电极。第一氮化物半导体层设置在缓冲体上。屏蔽层设置在缓冲体和第一氮化物半导体层之间，并包括第一隔离化合物，第一隔离化合物的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。第一隔离化合物由至少一二维材料制成。二维材料包括金属元素。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上，其具有的带隙小于第一隔离化合物的带隙且大于第一氮化物半导体层的带隙。源极/漏极电极和栅极电极设置在第二氮化物半导体层上。栅极电极位在源极/漏极电极之间，且源极/漏极电极和栅极电极于缓冲体上的垂直投影完全落在屏蔽层于缓冲体上的垂直投影内。
半导体器件以及制造方法

[发明专利]具有作用于太阳辐射的薄层叠层的玻璃-CN200580013657.0有效
发明人： S·贝利奥特;V·考斯特特 -专利权人：法国圣戈班玻璃厂
申请日： 2005-04-25 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明涉及备有作用于太阳辐射的薄层叠层的玻璃。所述叠层包含：由金属(Nb，Ta，Zr)或所述金属的氮化物构成的功能层以及由铝的氮化物或氧氮化物和/或硅的氮化物或氧氮化物构成的面层和底层。
具有用于太阳辐射薄层玻璃