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[发明专利]实现衬底重复利用的器件的制备方法及其应用-CN202310748247.0在审
发明人：何晨光;张康;刘宁炀;吴华龙;廖乾光;刘云洲;贺龙飞;赵维;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现衬底重复利用的器件的制备方法及其应用，涉及半导体器件技术领域。通过在蓝宝石衬底表面形成凹陷区和凸起区，且在凸起区上形成Si介质层和高Al含量的预缓冲层，由于凸起区之间相互独立，使得Al基材料在Si介质层上生长时能够释放应力，避免出现缓冲层开裂或表面粗糙的情况，然后将生长得到的预缓冲层进行高温退火，缓冲层的Al基材料重结晶，晶格重新排列，从而获得质量更好的缓冲层。此外，通过形成相互连通的网状凹陷区，使得在剥离衬底时，剥离剂能够在网状凹陷区内相互流通，并腐蚀凸起区与衬底接触的Si介质层，从而使得缓冲层与衬底迅速剥离，剥离方法简单，剥离成功率高。
实现衬底重复利用器件制备方法及其应用

[发明专利]深紫外发光器件中的量子点的制备方法及深紫外发光器件外延方法-CN202310599824.4在审
发明人：何晨光;吴华龙;张康;刘云洲;廖乾光;贺龙飞;赵维;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种深紫外发光器件中的量子点的制备方法及深紫外发光器件外延方法，其中，深紫外发光器件中的量子点的制备方法包括以下步骤：S20:制备上表面具有锯齿形宏台阶形貌的垒层；S30:在垒层上外延生长GaN层；S40:对GaN层进行脱附处理，直至在锯齿形宏台阶形貌的凹陷处形成GaN量子点结构。由于本发明的GaN层是外延生长在具有锯齿形宏台阶形貌的垒层上的，由此，在脱附处理时，该GaN层的生在在锯齿形宏台阶形貌的凹陷位置的GaN相对于该GaN层的生长在其他位置的GaN更难脱附，呈现选择性脱附的情况，因此，在经过脱附处理后，该GaN层的仅锯齿形宏台阶形貌的凹陷最低点位置的GaN未脱附，该未脱附的GaN即为所需制备的GaN量子点结构。
深紫发光器件中的量子制备方法外延

[发明专利]一种光伏组件的安装装置-CN202310472619.1在审
发明人： 刘云洲;孙景雨;仲怀雨 -专利权人：汉伏能源技术（南京）有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H02S20/00 文献下载
摘要：本发明涉及光伏组件技术领域，特别是一种光伏组件的安装装置，其包括承载组件，包括有基座、设于所述基座一端的万向轮、设于所述基座另一端的侧翼板和设于侧翼板外的手扶架；以及，设于所述基座端面的安置框；以及，可拆卸设于所述安置框内的光伏板本体，设于所述光伏板本体一端的把手和开设与所述光伏板本体另一端的并可与所述把手发生滑动配合的活动通道，本发明可将两个光伏板通过插接的方式进行连接，插接过程中，还将带动一系列组件进行相对运动，从而完成光伏板的多次固定，有效解决现有技术中利用螺栓进行固定的方式而带来的诸多弊端。
一种组件安装装置

[发明专利]一种紫外光电器件及其制备方法-CN202011567039.3有效
发明人：吴华龙;何晨光;贺龙飞;张康;赵维;廖乾光;刘云洲;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外光电器件及其制备方法，制备方法包括：采用沉积方法在大倾角蓝宝石衬底上沉积200nm‑4μm的AlN材料；将AlN材料放置于高温热退火炉中进行高温热退火处理，在完成高温热退火后，将蓝宝石衬底放置于MOCVD设备中生长紫外光电器件结构，其中，紫外光电器件结构包括但不限于紫外LED结构和紫外光电探测器结构。本发明实施例通过采用大倾角蓝宝石衬底进行外延生长后高温热退火得到锯齿状宏台阶，锯齿状宏台阶能够将注入到量子阱中的载流子限制在宏台阶褶皱处，从而能够避免遇上位错发生而非辐射复合，进而能够有效地提高紫外光电器件的发光效率和光电转换效率。
一种紫外光电器件及其制备方法

[发明专利]一种衬底剥离方法-CN202010943817.8有效
发明人：何晨光;张康;吴华龙;陈志涛;赵维;贺龙飞;刘云洲;廖乾光 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种衬底剥离方法。本发明的衬底剥离方法包括以下步骤：(1)在第一衬底上沉积AlN材料，形成复合基板，其中，沉积AlN材料过程中的环境气氛掺有氧元素，使得AlN材料中氧原子浓度高于1E16cm‑3；(2)将复合基板置于退火炉中，升温至1400‑2000℃，并在此温度退火0.5‑24h，在退火过程中，在AlN材料与第一衬底的界面上方形成反型边界，退火后降温将复合基板取出；(3)在经过退火的复合基板上外延生长外延层，形成完整的外延片；(4)将激光从第一衬底面照射，激光光斑聚焦在反型边界，使得反型边界上方和下方分离，实现第一衬底的剥离。本发明的剥离方法简单，低成本，良率高，且不受限于短波长、大功率激光器。
一种衬底剥离方法

[发明专利]氮化物半导体材料的制备方法及其退火处理方法-CN202011574313.X有效
发明人：吴华龙;何晨光;张康;贺龙飞;赵维;廖乾光;刘云洲;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化物半导体材料的制备方法及其退火处理方法，其中，退火处理方法包括以下步骤：步骤S1，在第一晶片的氮化物材料层表面上沉积采用能够通过化学腐蚀方式去除的耐高温材料保护层，其中，第一晶片通过在异质衬底上沉积氮化物材料层制得；步骤S2，对沉积有保护层的第一晶片进行高温退火处理；步骤S3，通过化学腐蚀方式去除经过高温退火处理的第一晶片上的保护层。本发明的方案通过设置保护层，使得在进行高温退火处理以降低氮化物材料层位错密度时，氮化物材料层不会出现表面分解，且能避免气氛中的碳、氧等杂质并入；且通过化学腐蚀的方式去除保护层，不会损伤氮化物材料层和异质衬底。
氮化物半导体材料制备方法及其退火处理

[发明专利]半导体单晶材料的制备方法-CN202211717074.8在审
发明人：吴华龙;何晨光;张康;赵维;贺龙飞;廖乾光;刘云洲;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体单晶材料的制备方法，其包括以下步骤：采用异质衬底进行材料制备；在200℃‑700℃的温度下，在异质衬底上溅射化合物半导体材料，以得到第一晶圆；对第一晶圆进行次数不少于两次的热处理，以得到热处理成品晶圆，其中，每次热处理的温度比前一次热处理的温度高，第一次热处理的温度高于溅射温度，最后一次热处理温度范围为1300℃‑1800℃；在热处理成品晶圆上沉积化合物半导体材料，以制得半导体单晶材料。由此，化合物半导体材料经过前期低温热处理材质得到了致密化，避免后续进行高温热处理重排形成单晶时因结构松散而出现热分解的问题，以便后续沉积的化合物半导体材料保持单晶状态。
半导体材料制备方法

[发明专利]高出光的深紫外LED薄膜芯片结构及其制备方法-CN202211526880.7在审
发明人：张康;何晨光;吴华龙;廖乾光;刘云洲 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开一种高出光的深紫外LED薄膜芯片结构及其制备方法，结构包括合拢层和与合拢层邻接的深紫外LED发光本体，合拢层包括至少二个离散布置的凸台结构，且所有离散布置的凸台结构在其与深紫外LED发光本体邻接端相互连接形成连续的合拢表面，深紫外LED发光本体形成在所述合拢表面上；各凸台结构的侧边与所述合拢表面之间形成有合拢倾角，且合拢倾角α均满足α≥90°‑θc，其中，θc用于表征光线在所述合拢层的临界角。本发明实施例提供的深紫外LED薄膜芯片结构使得TM模式下的大部分光线都能通过各凸台结构的离散端的侧边斜面折射出去，提高了深紫外LED薄膜芯片结构在TM模式下的光提取效率。
高出光深紫 led 薄膜芯片结构及其制备方法

[发明专利]一种回收蓝宝石衬底的方法-CN202211685648.8在审
发明人： 刘云洲;董华锋;何晨光;吴华龙;张康;廖乾光 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种回收蓝宝石衬底的方法，具体为：取表面带有外延层的蓝宝石衬底，置于50wt％～60wt％磷酸溶液中，在180～350℃下进行加热。该方法显著增强了磷酸的腐蚀强度和速度，能有效去除蓝宝石衬底表面的外延层。
一种回收蓝宝石衬底方法

[发明专利]一种单一N极性AlN薄膜制备方法-CN202211414050.5在审
发明人：何晨光;吴华龙;张康;陈志涛;赵维;贺龙飞;刘云洲;廖乾光 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开一种单一N极性AlN薄膜制备方法，其包括以下步骤，S10：将第一模板覆盖在通过在耐高温的无硅衬底上沉积AlN薄膜得到的AlN模板中的AlN薄膜的上表面上，其中，第一模板含Al组分和N组分两者中的至少一者且耐高温；S20：将覆盖有第一模板的AlN模板进行高温退火，以在AlN薄膜中形成AlON层，和在所述AlN薄膜中的所述AlON层的两侧分别形成N极性AlN层和Al极性AlN层；S30：刻蚀去除AlON层和Al极性AlN层，以制得具有单一N极性AlN薄膜的AlN模板。由此，耐高温第一模板，可以避免AlN薄膜在高温退火的过程中出现分解或表面受损的问题；而且，可以通过去除AlN模板在高温退火过程中形成的Al极性AlN层和AlON层的方式获得具有单一N极性的AlN薄膜。
一种单一极性 aln 薄膜制备方法

[发明专利]可剥离氮化物结构、其包含的氮化物生长模板及其剥离方法-CN202211460522.0在审
发明人：张康;何晨光;陈志涛;吴华龙;赵维;刘云洲;廖乾光 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种可剥离氮化物结构，其包括：氮化物生长模板以及在所述氮化物生长模板上依次形成的微纳米柱结构、腐蚀阻挡层和半导体器件层，其中，所述氮化物生长模板包括：导电支撑层及形成于所述导电支撑层上的氮化物生长层，所述氮化物生长层包括用于生长所述微纳米柱结构的至少在顶端处彼此相分离的多个生长部，和所述微纳米柱结构无法生长的形成于所述多个生长部之间的钝化部，所述微纳米柱结构和所述生长部均导电，且在所述微纳米柱结构的电化学腐蚀条件下，所述生长部不被腐蚀。本发明提供的可剥离氮化物结构，其氮化物生长模板后续可以直接重复利用，直接用于再生长微纳米柱及后续的结构，无需进行额外的表面处理。
剥离氮化物结构包含生长模板及其方法

[发明专利]一种半导体结构及其制作方法-CN202211528244.8在审
发明人：张康;何晨光;吴华龙;王巧;廖乾光;刘云洲;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括蓝宝石衬底，位于蓝宝石衬底一侧的AlN缓冲层，位于AlN缓冲层的远离蓝宝石衬底一侧的籽晶层，其中，籽晶层中包括多个间隔设置的基岛，位于籽晶层的远离蓝宝石衬底一侧的合并层，位于合并层的远离蓝宝石衬底一侧且不连续的SiN插入层，位于合并层与插入层的远离蓝宝石衬底的一侧的合拢层；其中，制作籽晶层、合并层以及所述合拢层的材料均为GaN，且AlN缓冲层、籽晶层、合并层、插入层以及合拢层的厚度之和小于1um。本申请提供的半导体结构及其制作方法具有外延晶体质量更高且防止出现外延层翘曲的优点。
一种半导体结构及其制作方法

[发明专利]一种AlN衬底制作方法、复合衬底以及AlN衬底-CN202211452716.6在审
发明人：吴华龙;何晨光;张康;贺龙飞;廖乾光;刘云洲;赵维;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种AlN衬底制作方法、复合衬底以及AlN衬底，涉及半导体技术领域。首先提供基质衬底，然后基于基质衬底的表面沉积第一AlN层，再基于第一AlN层的表面沉积第二AlN层，并获取晶圆；其中，第一AlN层的致密性低于第二AlN层的致密性，接着将晶圆进行退火处理，以在基质衬底与第一AlN层的界面处形成空气孔洞，最后将基质衬底与第一AlN层剥离，以获取AlN衬底。本申请提供的AlN衬底制作方法、复合衬底以及AlN衬底具有提升衬底剥离良率和降低制备成本的优点。
一种 aln 衬底制作方法复合以及

[发明专利]一种发光二极管及其制作方法-CN202211481323.8在审
发明人：何晨光;张康;吴华龙;刘宁炀;陈志涛;赵维;贺龙飞;廖乾光;刘云洲 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种发光二极管及其制作方法，涉及半导体技术领域。首先基于衬底的一侧制作主体层，其中，主体层包括逐层生长的第一电注入层、发光层以及第二电注入层，通过刻蚀工艺沿第二电注入层的位错进行刻蚀，以在主体层上形成刻蚀坑，其中，部分或全部刻蚀坑的深度达到发光层；沿主体层的表面沉积钝化层，其中，钝化层位于刻蚀坑内与第二电注入层的台面；对钝化层进行部分去除，并露出第二电注入层的台面，沿第二电注入层的台面与第一电注入层制作电极。本申请提供的发光二极管及其制作方法具有提升了发光二极管的内量子效率、出光效率以及使用寿命的优点。
一种发光二极管及其制作方法

[发明专利]可剥离氮化物结构及其制备方法和剥离方法-CN202211525336.0在审
发明人：何晨光;张康;吴华龙;赵维;陈志涛;贺龙飞;刘云洲;廖乾光 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开一种可剥离氮化物结构及其制备方法和剥离方法，其中，可剥离氮化物结构包括依次设置的衬底、缓冲层、牺牲层、腐蚀层和目标氮化物结构；其中，牺牲层具有贯穿式裂纹。由于在缓冲层和目标氮化物结构中引入了具有贯穿式裂纹的牺牲层，贯穿式裂纹可以为溶液提供流动通道，使得，可以通过电化学腐蚀的方式对腐蚀层进行快速腐蚀，以实现目标氮化物结构与衬底和缓冲层的剥离。
剥离氮化物结构及其制备方法

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