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[发明专利]制造半导体发光装置的方法-CN201210203592.8有效
发明人：孟钟先;朴基镐;金范埈;柳贤锡;李正贤;金柄均;金起成;尹皙胡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供了一种制造半导体发光装置的方法，所述方法包括在半导体生长基底上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层，以形成发光部件；在所述第二导电类型半导体层上形成支撑部件，以结合到所述发光部件；将所述半导体生长基底与所述发光部件分离；以及将蚀刻气体施加到所述半导体生长基底，以从所述半导体生长基底的表面去除所述第一导电类型半导体层的残留物。
制造半导体发光装置方法

[发明专利]制造半导体发光装置的方法-CN201310196886.7在审
发明人：朴基镐;金起成;金喆敏;尹皙胡;李泰泫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供了一种制造半导体发光装置的方法。所述方法包括通过在半导体生长基板上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层来形成发光结构。在第二导电类型半导体层上设置支撑单元，以与发光结构结合。从发光结构分离半导体生长基板。湿法蚀刻半导体生长基板和残留的发光结构之间的界面，从而使残留在分离后的半导体生长基板上的发光结构从半导体生长基板分离。清洗半导体生长基板。
制造半导体发光装置方法

[发明专利]具有基座的化学气相沉积装置和半导体制造装置-CN201310100939.0无效
发明人：司空坦;李焘英;金起成;尹皙胡;金荣善;金晟泰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本公开提供了化学气相沉积（CVD）装置和半导体制造装置。该化学气相沉积（CVD）装置包括腔室、在腔室中的基座以及加热单元。基座包括转子、耦接到转子的下部的旋转轴、耦接到旋转轴的驱动器件、以及限定在转子的上表面处的至少一个凹坑。驱动器件可旋转地驱动旋转轴。至少一个凹坑包括配置为在其上接收衬底的安装部分以及从至少一个凹坑的底表面突出的突出部分（例如，凸出部分），使得突出部分位于对应于旋转轴的区域处。加热单元围绕旋转轴并配置为加热衬底。
具有基座化学沉积装置半导体制造

[发明专利]含氧化锌基透明导电薄膜的半导体发光装置及其制造方法-CN201210412020.0无效
发明人：李宗炫;李正贤;金起成;尹皙胡;金荣善 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-10-25 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体发光装置及其制造方法，该半导体发光装置具有第III族元素被掺杂为沿厚度方向具有多个周期的波形的氧化锌基透明导电薄膜。
氧化锌透明导电薄膜半导体发光装置及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体发光装置-CN201210400802.2无效
发明人：金范埈;金晟泰;金荣善;尹皙胡;金起成;李浩喆 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：提供了一种氮化物半导体发光装置，所述氮化物半导体发光装置包括n型氮化物半导体层、设置在n型氮化物半导体层上的活性层和设置在活性层上的p型氮化物半导体层。一个或多个电流扩散层设置在n型氮化物半导体层的表面上。电流扩散层包括带隙能比形成n型氮化物半导体层的材料的带隙能大的材料，以在与形成n型氮化物半导体层的材料的界面处形成二维电子气层。
氮化物半导体发光装置

[发明专利]氮化物半导体器件-CN200910004817.5有效
发明人： 尹皙胡;朴基镐;孙重坤 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2009-01-19 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化物半导体器件。根据本发明一方面的氮化物半导体器件可包括：n型氮化物半导体层；p型氮化物半导体层；活性层，设置在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间，并具有彼此交替地堆叠的量子肼层和量子垒层；电子阻挡层，设置在活性层和p型氮化物半导体层之间，并具有多个第一氮化物层和多个第二氮化物层，第一氮化物层由带隙能比量子垒层的带隙能高的材料形成，第二氮化物层由带隙能比第一氮化物层低的材料形成，第一和第二氮化物层彼此交替地堆叠，以形成堆叠结构，其中，多个第一氮化物层具有以预定倾斜度弯曲的能级，越接近p型氮化物半导体层，第一氮化物层的能级倾斜度越小。
氮化物半导体器件

[发明专利]氮化物基半导体发光器件及其制造方法-CN200610149272.3有效
发明人： 尹皙胡;孙哲守;李庭旭;金柱成 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2006-11-21 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供了一种结构被改进以提高光取出效率的氮化物基半导体发光器件及其制备方法。该方法包括如下操作：在衬底上依次形成n盖层、有源层和p盖层；在p盖层的上表面上形成多个掩蔽点；在掩蔽点之间的p盖层部分上形成具有粗糙表面的p接触层；从p接触层的部分上表面干蚀刻至n盖层的预定深度，从而将n盖层的n接触表面形成为具有与p接触层相同的粗糙形状的粗糙n接触表面；在粗糙n接触表面上形成n电极；以及在p接触层上形成p电极。
氮化物半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]半导体发射器件及其制造方法-CN200710005377.6无效
发明人：李庭旭;金显秀;金柱成;尹皙胡 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2007-02-14 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有纳米图案的半导体发射器件以及制造该半导体发射器件的方法。该半导体发射器件包括：半导体层，包括多个纳米图案，其中所述纳米图案形成在所述半导体层内；以及有源层，形成在该半导体层上。因此光学输出效率提高且半导体发射器件的内部缺陷减少。
半导体发射器件及其制造方法

[发明专利]氮化物基半导体发光器件及其制造方法-CN200610128599.2有效
发明人：李庭旭;田宪秀;尹皙胡;金柱成 -专利权人：三星电机株式会社;首尔国立大学校产学协力财团
申请日： 2006-09-05 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供了一种具有提高了光提取效率的改进结构的氮化物基半导体发光器件及其制造方法。所述氮化物基半导体发光器件包括在衬底上依次叠置的n－覆层、有源层和p－覆层，其中，所述n－覆层包括第一覆层、第二覆层和插置在所述第一覆层和所述第二覆层之间并由多个纳米柱的阵列构成的光提取层，所述光提取层衍射或/和散射所述有源层中产生的光。
氮化物半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN200610101519.4有效
发明人：李庭旭;瓦西利·勒尼亚钦;宋美贞;尹皙胡;金显秀 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2006-07-12 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供了一种发光二极管(LED)及其制造方法，LED具有实现更高的发光效率和更好的光输出性能的改进结构。LED包括：在衬底上形成的n－GaN层，其具有多个突起，因而具有非均匀表面，其中，突起的侧面相对于衬底的上表面倾斜第一倾斜角α(35°≤α≤90°)；在n－GaN层的表面上以共形方式形成的有源层，其中，在突起的侧表面上形成的有源层的表面相对于衬底的上表面倾斜第二倾斜角β(35°≤β≤α)；在有源层的表面上以共形方式形成的p－GaN层，其中，在有源层的倾斜部分的表面上形成的p－GaN层的表面相对于衬底的上表面倾斜第三倾斜角γ(20°≤γ＜β)；及在n－GaN层的预定区域上形成的对应于p电极的n电极。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]单片式白光发射器件-CN200510054450.X有效
发明人：赵济熙;尹皙胡;李庭旭 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2005-03-10 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种单片式白光发射器件。该单片式白光发射器件中的有源层掺有形成次能带的硅或稀土金属。该单片式白光发射器件中包括的有源层数量为一或二个。当该白光发射器件中包括两个有源层时，在该两个有源层之间插入一覆层。根据这种白光发射结构，可以由半导体发射白光，因此就不需要磷光材料了。传统的白光发射器件需要磷光材料的帮助，与之相比，这种单片式白光发射器件可以低成本简单地制造且可应用到很宽范围的领域中。
单片白光发射器件

[发明专利]电极结构以及具有该电极结构的半导体发光器件-CN200410048443.4有效
发明人：金显秀;赵济熙;尹皙胡 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2004-06-10 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电极结构以及具有该电极结构的半导体发光器件。该半导体发光器件包括：透明衬底；在透明衬底上形成的电子注入层；在电子注入层的第一区域上形成的有源层；在有源层上形成的空穴注入层；形成在空穴注入层上并同时提供高反射率和低接触电阻的第一电极结构；在电子注入层的第二区域上形成的第二电极结构；和与第一和第二电极结构电连接的电路基板，第一电极结构包括：具有任一选自由具有低接触电阻的镍、钯、铂和ITO构成的组的物质的接触金属结构；和具有铝或银的反射层。
电极结构以及具有半导体发光器件

[发明专利]硅衬底上的氮化物半导体及其制造方法-CN200410085022.9有效
发明人： 尹皙胡;李喆鲁;李庭旭;李成淑 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2004-10-13 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供一种在硅衬底上形成的氮化物半导体及其制造方法。该方法包括：在硅衬底上形成缓冲层，以及在缓冲层上形成具有空隙的中间层。在中间层上形成平整层，和在平整层上形成氮化物半导体层。因此，可以以很低的成本大规模地制造出充分减少了晶体缺陷、位错或裂纹的产生的氮化物半导体。
衬底氮化物半导体及其制造方法

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