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[发明专利]一种场氧化层的平坦化方法-CN201610461459.0有效
发明人：马万里 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种场氧化层的平坦化方法。本发明的场氧化层的平坦化方法，包括如下顺序进行的步骤：在硅衬底上依次形成氧化层和氮化硅层；光刻、刻蚀，在所述氮化硅层上形成场氧化层图形；在所述场氧化层图形上形成场氧化层；刻蚀部分场氧化层和全部氮化硅层，并使残留场氧化层的上表面不低于所述氧化层的上表面；去除所述氧化层和部分场氧化层，使残留场氧化层的上表面与所述硅衬底的上表面齐平。本发明对场氧化层的平坦化方法进行优化，从而简化了平坦化工艺，并且降低了制造成本。
一种氧化平坦方法

[发明专利]一种金属铝盐覆盖膜-CN201310329590.8有效
发明人：赵家文 -专利权人：赵家文
申请日： 2012-06-25 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属铝盐覆盖膜；包括一氧化铝层，以氧化铝层为基础层或中心层，由其向上或同时向上下覆有内、外保护层,所述的内保护层为氧化锌层和氧化镍层中的至少一种，所述的外保护层为锰层；当内保护层为氧化锌层和氧化镍层两种时，氧化锌层覆在内侧，氧化镍层覆在外侧；所述的氧化铝层、氧化锌层、氧化镍层和锰层均经食用磷酸浸泡处理；所述金属铝盐覆盖膜中的氧化铝、氧化锌、氧化镍和锰满足重量比关系：氧化铝4.5-8，磷酸脂1-1.5，氧化锌0-4，氧化镍0-3，锰1-2。其可以用于在冷板，Q型材、铸铁、零部件、铸钢或有色金属的表面形成一致密的保护层。
一种金属覆盖

[发明专利]栅氧化层的形成方法、半导体器件及其形成方法-CN201910425844.3在审
发明人：陈飞 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种栅氧化层的形成方法、半导体器件及其形成方法，在衬底上形成第一氧化层后，在所述第一氧化层与所述衬底的接触面上形成第二氧化层，在所述第一氧化层上形成第三氧化层，使第三氧化层、第一氧化层及第二氧化层构成栅氧化层，由于所述第二氧化层的介电常数及第三氧化层的介电常数均大于所述第一氧化层的介电常数，总体可以提升栅氧化层的介电常数，从而增大栅氧化层的电容，降低电子隧穿效应，并且所述第二氧化层具有较高的介电常数和势垒效应，可以进一步防止衬底中的载流子遂穿进所述栅氧化层中而形成漏电流，提高了半导体器件的可靠性和TDDB性能。
氧化层栅氧化层介电常数半导体器件衬底载流子电子隧穿电容漏电流势垒

[发明专利]屏蔽栅沟槽型器件的工艺方法-CN202011056835.0有效
发明人：李秀然;刘宇;薛华瑞 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种屏蔽栅沟槽型器件的工艺方法，包括：提供衬底；在衬底上形成第一沟槽；在第一沟槽内依次形成第一氧化层和第二氧化层，并得到第二沟槽，其中：第一氧化层的致密度大于第二氧化层的致密度；在第二沟槽内形成屏蔽栅；在屏蔽栅上形成第三氧化层，其中：第三氧化层的致密度大于第二氧化层的致密度；部分刻蚀第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层使得所述第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层的厚度均降低，剩余的第二氧化层和第三氧化层的表面形貌与屏蔽栅的表面形貌相同，以使得剩余的第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层形成的组合的厚度较为均匀，进而改善控制栅和屏蔽栅之间的漏电性能。
屏蔽沟槽器件工艺方法

[发明专利]一种基于氧化铝氧化硅复合衬底的LED芯片及其制造方法-CN202211021069.3在审
发明人：江汉;程虎;徐洋洋;黎国昌;徐志军;卓昌正;王文君 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本申请提供一种基于氧化铝氧化硅复合衬底的LED芯片及其制造方法，所述LED芯片氧化铝氧化硅复合PSS衬底、复合缓冲层和LED结构层，其中，所述复合缓冲层外延生长在氧化铝氧化硅复合PSS衬底上，所述LED结构层外延生长在复合缓冲层上。所述复合缓冲层包括：氮氧化铝/氮化铝层和氮氧化硅层，所述氧化铝氧化硅复合PSS衬底中的氧化铝上由所述氮氧化铝/氮化铝层覆盖，所述氧化铝氧化硅复合PSS衬底中的氧化硅上由所述氮氧化铝/氮化铝层和氮氧化硅层交错间隔覆盖复合缓冲层在氧化铝和氧化硅材料上有更好厚度均匀性，并且可以更好缓冲氧化铝氧化硅复合PSS衬底到LED垒晶底层因材质不同引起的晶格失陪和应力释放，减少衔接层处的缺陷。
一种基于氧化铝氧化复合衬底 led 芯片及其制造方法

[发明专利]去除阻挡层的方法-CN202010519561.8在审
发明人：王晖;张洪伟;代迎伟;金一诺;王坚 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明揭示了去除硅片上金属互连的阻挡层的方法，去除单层金属钌阻挡层，包括：氧化步骤，使用电化学阳极氧化工艺将单层的金属钌阻挡层氧化成钌氧化物层；氧化层刻蚀步骤，用刻蚀液对钌氧化物层进行刻蚀，去除钌氧化物层本发明还提出去除硅片上金属互连的阻挡层的方法，用于10nm及以下的工艺节点的结构中，结构包括衬底、介质层、阻挡层和金属层，介质层沉积在衬底上，介质层上形成凹进区，阻挡层沉积在介质层上，金属层沉积在阻挡层上，金属层是铜层，阻挡层是单层金属钌层，该方法包括：减薄步骤，对金属层进行减薄；去除步骤，去除金属层；氧化步骤，对阻挡层进行氧化，氧化步骤使用电化学阳极氧化工艺；氧化层刻蚀步骤，刻蚀氧化后的阻挡层。
去除阻挡方法

[发明专利]金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法-CN201410061903.0有效
发明人：简廷宪;钟德镇;吴婷婷;戴文君 -专利权人：昆山龙腾光电有限公司
申请日： 2014-02-24 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：金属氧化物半导体薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层以及金属氧化物半导体层。栅极绝缘层位于栅极与金属氧化物半导体层之间。栅极绝缘层包括氮氧化硅层和氧化硅层。氮氧化硅层位于栅极与氧化硅层之间。氧化硅层位于氮氧化硅层与金属氧化物半导体层之间，且氧化硅层具有与氮氧化硅层接触的第一表面以及与金属氧化物半导体层接触的第二表面。氧化硅层靠近第二表面的氧原子密度大于氧化硅层靠近第一表面的氧原子密度。金属氧化物半导体薄膜晶体管，在减少工艺时间的同时，有效的解决了因成膜应力过大而导致的玻璃基板易破片的问题，并有利于减少栅极绝缘层对金属氧化物半导体层中的氧含量的影响。
金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法

[实用新型]一种抗氧化防蓝光镜片-CN202222978221.9有效
发明人：臧惠明 -专利权人：江苏奥天光学有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗氧化防蓝光镜片，其包括：树脂基片和设置于树脂基片表面的膜层，其中膜层包括：浸涂于树脂基片的加硬层；设置于加硬层的第一五氧化三钛膜层；设置于第一五氧化三钛膜层的第一二氧化钛膜层；设置于第一二氧化钛膜层的防蓝光层；设置于防蓝光层的第二二氧化钛膜层；设置于第二二氧化钛膜层的第二五氧化三钛膜层；设置于第二五氧化三钛膜层的抗氧化层，抗氧化层包括叠加设置的锌离子膜层和银离子膜层。本实用新型通过五氧化三钛膜层和二氧化钛膜层夹层叠加防蓝光膜层，增强透射的同时实现防蓝光保护，同时外侧设置抗氧化层，减小膜层氧化，提高使用寿命，避免以往防蓝光镜片外部膜层容易氧化，使用寿命较短的麻烦。
一种氧化防蓝光镜片

[发明专利]具有高介电常数的复晶硅栅间介电层的结构及其形成方法-CN02106071.1有效
发明人：林友民;侯拓宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-04-10 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种具有高介电常数的复晶硅栅间介电层的结构及其形成方法，该复晶硅栅间介电层结构至少包括：至少一第一金属氧化层，其中该第一金属氧化层为氧与三价金属所组成的氧化物；至少一第二金属氧化层，其中该第二金属氧化层为氧与三价金属所组成的氧化物；及至少一第三金属氧化层，其中该第三金属氧化层位于该第一金属氧化层与该第二金属氧化层之间，而该第三金属氧化层中所含的金属包含Zr、Hf、Ti或Ta；而该复晶硅栅间介电层的结构的形成方法至少包括下列步骤：形成一第一三价金属氧化层于一复晶硅层上；形成一金属氧化层于该第一三价金属氧化层上；及形成一第二三价金属氧化层于该金属氧化层上。
具有介电常数复晶硅栅间介电层结构及其形成方法

[发明专利]硅基液晶显示装置反射镜面的制作方法-CN200610116885.7有效
发明人：蒲贤勇;傅静 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-09-30 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：一种硅基液晶显示装置反射镜面的制作方法：在金属层上形成氧化铝层；在氧化铝层上沉积硅氧化物层；在硅氧化物层表面沉积抗反射层；在抗反射层上形成图案化光阻层；以光阻层为掩膜，蚀刻穿透抗反射层、硅氧化物层、氧化铅层以及金属层，露出硅基底；去除光阻层和抗反射层；在沟槽内及硅氧化物层表面沉积绝缘介质层；平坦化绝缘介质层；去除金属层上的绝缘介质层、硅氧化物层及氧化铝层，形成反射镜面。由于在金属层表面加上氧化铝层和硅氧化物层，用碱性溶液去除光阻层和抗反射层时，由于氧化铝层和硅氧化物层对金属层保护，使金属层不发生电化学反应，在反射镜面不会产生凹陷，反射镜面的质量得到提高。
液晶显示装置反射制作方法

[实用新型]一种折射率为1.52的蓝光防护镜片-CN201920283898.6有效
发明人：陈宇翔 -专利权人：厦门虹泰光学有限公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G02C7/10 文献下载
摘要：本实用新型揭示一种折射率为1.52的蓝光防护镜片，包括镜片基材，该镜片基材的内外两面顺序覆设有强化层和防蓝光膜层，所述防蓝光膜层为十四层复合层结构，该防蓝光膜层由内而外依次为：五氧化三钛层、二氧化硅层、五氧化三钛层、二氧化硅层、五氧化三钛层、二氧化硅层、五氧化三钛层、二氧化硅层、五氧化三钛层、二氧化硅层、五氧化三钛层、二氧化硅层、五氧化三钛层、二氧化硅层，其对应膜层厚度分别为0.5nm、1.0nm、1.0nm
二氧化硅层钛层蓝光膜层防护镜片镜片基材折射率本实用新型复合层结构强化层

[发明专利]SONOS中氧化硅-氮氧化硅-氧化硅层的制造方法-CN200910057468.3无效
发明人：杨欣;孙勤 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-06-25 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明公开了一种SONOS中氧化硅-氮氧化硅-氧化硅层的制造方法，第1步，在硅衬底上热氧化生长一层氧化硅，这层氧化硅为隧穿氧化层；第2步，在所述隧穿氧化层上淀积一层富硅氮化硅，所述富硅氮化硅的分子式为SixNy，其中x，y均为自然数，且x/y大于3/4；第3步，采用湿氧氧化工艺对所述富硅氮化硅进行氧化，所述富硅氮化硅变为氮氧化硅；第4步，在所述氮氧化硅上淀积一层氧化硅，这层氧化硅为阻挡氧化层；所述隧穿氧化层、氮氧化硅、阻挡氧化层构成了SONOS中的氧化硅-氮氧化硅-氧化硅层。本发明可以较为精确地控制氮氧化硅中氧的掺杂量，有利于提高工艺稳定性，同时降低了杂质引入的风险。
sonos 氧化制造方法

[发明专利]显示面板-CN202211272822.6有效
发明人：黄嘉辉;江志雄;王强;弓程;余明爵;蔡志辉 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板，包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：栅极；源极和漏极；以及金属氧化物层，对应栅极设置，包括：下金属氧化物层，下金属氧化物层包括铟的氧化物以及镧系元素的氧化物；以及上金属氧化物层，与下金属氧化物层叠置且位于下金属氧化物层靠近源极和所述漏极的表面上，源极和漏极与上金属氧化物层连接，上金属氧化物层包括铟的氧化物以及镧系元素的氧化物，上金属氧化物层包括多晶相。金属氧化物层包括下金属氧化物层和上金属氧化物层，下金属氧化物层包括铟的氧化物以及镧系元素的氧化物，有利于包括下金属氧化物层的薄膜晶体管实现高迁移率，上金属氧化物层包括多晶相，有利于提高包括上金属氧化物层的薄膜晶体管稳定性
显示面板

[发明专利]一种浅沟槽隔离结构的形成方法-CN201310456823.0有效
发明人：李健 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其包括提供衬底，所述衬底上依次形成有衬垫氧化层和氮化硅层，所述衬垫氧化层和氮化硅层内形成暴露出衬底的开口；沿开口在所述衬底上形成浅沟槽；形成覆盖所述浅沟槽的表面的保护氧化层；形成覆盖所述保护氧化层且填充所述浅沟槽的第一氧化层；回刻蚀所述第一氧化层；形成覆盖部分所述保护氧化层的补充氧化层；形成覆盖所述保护氧化层及补充氧化层的第二氧化层；平坦化第一氧化层、第二氧化层和保护氧化层直至暴露出所述氮化硅层；去除所述氮化硅层。该方法可以避免因侧壁顶部氧化硅损伤而产生的器件电学性能的改变，提高STI的绝缘性能，防治器件漏电。
一种沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]栅氧化层工艺中的厚度补偿方法-CN202110466998.4有效
发明人：刘俊;李灵均 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅氧化层工艺中的厚度补偿方法，根据每lot批次晶圆上栅氧化层生长前已具有的氧化层厚度与最终形成的掺杂栅氧化层电学厚度的相关性，按比例进行栅氧化层厚度的自动补偿。补偿系数是根据每lot批次栅氧化层生长前已具有的氧化层厚度与最终形成的掺杂栅氧化层电学厚度的相关性按比例获得栅氧化层生长厚度补偿系数K值，进行栅氧化层厚度的自动补偿。通过对栅氧化层生产过程中，在晶圆上本身已经具有不同厚度氧化层的基础上，根据现有的不同厚度的氧化层进行栅氧化层生长厚度自动补偿，使得同一lot批次的晶圆的栅氧化层一致性更高，提高器件的工艺窗口。
氧化工艺中的厚度补偿方法