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[实用新型]一种宽波段红外阻隔导电膜-CN202223263628.X有效
发明人：严俊;于佩强;汪金铭;胡业新;刘世琴 -专利权人：江苏日久光电股份有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： B60J1/20 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种宽波段红外阻隔导电膜，属于导电膜技术领域，包括基材层，所述基材层的一端面上设置有金属隔热层，所述基材层远离金属隔热层的一端面上设置有酸性氧化层，所述酸性氧化层远离基材层的一端面上设置有二氧化锡层，所述金属隔热层为二氧化锡和氧化锑颗粒混合形成的金属氧化物隔热层，所述基材层的厚度为188μm，所述酸性氧化层的厚度为15nm，所述二氧化锡层的厚度为140nm，所述金属隔热层的厚度为15μm。本实用新型通过在基材层的一面的设置金属隔热层，在基材层远离金属隔热层的一面的设置二氧化锡层和酸性氧化层，使用金属隔热层、二氧化锡层和酸性氧化层的阻隔功能结合，能够有效阻隔800nm～2400nm的近红外波段
一种波段红外阻隔导电

[发明专利]一种ONO电容结构的生长工艺-CN201010547284.8有效
发明人：肖志强;陈正才;吴晓鸫;高向东 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2010-11-16 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明涉及一种ONO电容结构的生长工艺，包括如下步骤：a、提供半导体基板；b、在半导体基板上，通过干氧氧化生长20～24nm的底层氧化层；c、在半导体基板的底层氧化层上淀积中间SiN层，所述中间SiN层的厚度为20～24nm；d、在上述中间SiN层上，通过热氧化生长270～330nm的顶层氧化层。本发明在半导体基板上通过干氧氧化的方式生长底层氧化层，能够在半导体基板上形成致密的氧化层，确保底层氧化层的质量，在底层氧化层上淀积中间SiN层，在中间SiN层上通过湿氧氧化顶层氧化层，从而在半导体基板上形成ONO电容结构；通过湿氧氧化能够快速地在中间SiN层上形成顶层氧化层，并保证ONO薄膜的质量；操作简单；扩散设备和LPCVD设备可使用通用的半导体前道设备，可控性强，工艺步骤简单。
一种 ono 电容结构生长工艺

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201611018521.5有效
发明人：杨志勇;刘焕新 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成氧化层；对所述氧化层表面进行氧化处理；对经氧化处理的所述氧化层进行图形化，去除部分氧化层。本发明技术方案在形成氧化层之后，对所述氧化层表面进行氧化处理，从而去除所述氧化层表面的残留物，减少所述残留物对后续工艺的影响，减少所述氧化层图形化过程中缺陷的产生，从而提高形成半导体结构的良率。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]用DPN氮氧化硅作为SONOS 存储介质层的方法-CN201110349894.1有效
发明人：黄奕仙;杨斌;郭明升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-08 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：一种用DPN氮氧化硅作为SONOS存储介质层的方法，包括隧穿氧化层、存储介质层和阻挡氧化层，存储介质层由氮氧化硅构成，所述存储介质层在靠近阻挡氧化层的氮氧化硅中含有较多的氮，而在靠近隧穿氧化层的氮氧化硅中含有较多的氧制备方法，包括在隧穿氧化层上生长本体氧化层；将氮离子注入到本体氧化层中，并使得靠近隧穿氧化层的一侧中含有较多的氧，另一侧中含有较多的氮，形成存储介质层。本发明利用氮氧分布不均匀的氮氧化硅作为存储介质层，其结构简单，具有较高的擦写速度和电荷保持性，并且其制备工艺对常规的制造工艺过程改动较少，只涉及其中的ONO结构，容易实现而不需花费较大成本。
dpn 氧化作为 sonos 存储介质方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202111625718.6在审
发明人：王欢 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件及其制造方法，其在淀积垂直氧化层结构后还刻蚀将垂直氧化层结构的上表面降低至半导体衬底的上表面之下，然后根据局部硅氧化隔离工艺在半导体衬底和垂直氧化层结构上氧化获得水平氧化层结构。本发明的半导体器件及其制造方法在氧化获得水平氧化层结构之前将垂直氧化层结构的上表面刻蚀至半导体衬底的上表面之下，使其对应的凹槽的顶部边缘的尖角结构，在氧化时可由其侧面和上表面同时氧化，进而将该尖角结构圆滑化，获得圆滑的水平氧化层结构和垂直氧化层结构的交界结构，保障获得的水平氧化层的厚度，保障水平氧化层结构的击穿保护性能，提高半导体器件的性能。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]隧穿氧化层钝化接触结构及其太阳能电池-CN202223111982.0有效
发明人：郑正明;宋飞飞;杜清闪;陈德爽;任勇 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种隧穿氧化层钝化接触结构及其太阳能电池。其中，所述隧穿氧化层钝化接触结构包括层叠设置的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，其中，所述隧穿氧化层包括二氧化硅层和氮氧化硅层，所述氮氧化硅层层叠设置于所述二氧化硅层和所述掺杂多晶硅层之间，且所述氮氧化硅层与所述二氧化硅层的厚度比为具有该隧穿氧化层钝化接触结构的太阳能电池，防漏电性能优异，且具有较高的转换效率。
氧化钝化接触结构及其太阳能电池

[发明专利]栅氧化层的工艺方法-CN201410837551.3在审
发明人：冯岩;柯行飞 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅氧化层的工艺方法，包含：第一步，炉管中通入氧气，进行栅氧化层热生长；第二步，在含氧氛围下，温度1050℃时进行第一次退火；第三步，在含氮氛围下，温度1050℃时进行第二次退火。本发明采用了含氧氛围和含氮氛围先后分步退火的工艺来改善栅氧化层的性能，降低器件的漏电流。
氧化工艺方法

[发明专利]栅氧化层的制造方法-CN201310660778.0在审
发明人：翟志刚;高文文;李凌云 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明提供了一种栅氧化层的制造方法，包括：将形成有沟槽的半导体衬底放入炉管内，通入氧气，在所述沟槽的侧壁及底部形成第一栅氧化层；向炉管中通入氮气，并升高炉管的温度；向炉管中通入氧气与催化气体，在第一栅氧化层上形成第二栅氧化层第一栅氧化层在沟槽侧壁的厚度大于沟槽底部的厚度，第二栅氧化层因为有催化气体以及之前形成的第一栅氧化层的影响，其在沟槽侧壁的厚度小于沟槽底部的厚度，第二栅氧化层形成在第一栅氧化层之上，达到减小沟槽侧壁和底部厚度差异的问题，提高栅极氧化层的均匀性，从而提高器件的可靠性。
氧化制造方法

[发明专利]栅氧化层的制备方法-CN201410162783.3在审
发明人：张红伟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种栅氧化层的制备方法，通过采用惰性气体来稀释反应气体中氢气的含量来减少Si-SiO₂界面产生Si-H键和S-O-H键的数量，并在形成氧化膜之后对基底实时高温处理来加快氧化膜内部结构的应力释放采用本发明所提供的方法能有效地减少栅氧化膜的界面态总电荷至少一个数量级，并且栅氧化层具有稳定的含氮量，能提高器件的寿命和性能。
氧化制备方法

[发明专利]栅氧化层的制备方法-CN201410162741.X在审
发明人：张红伟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种栅氧化层的制备方法，通过采用氮气来稀释反应气体中氢气的含量来减少Si-SiO₂界面产生Si-H键和S-O-H键的数量，并在形成氧化膜之后对基底实时高温处理来加快氧化膜内部结构的应力释放采用本发明所提供的方法能有效地减少栅氧化膜的界面态总电荷至少一个数量级，并且栅氧化层具有稳定的含氮量，能提高器件的寿命和性能。
氧化制备方法

[发明专利]形成氧化硅层的方法-CN201811181745.7在审
发明人：彭羽筠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：公开了一种形成氧化硅层及半导体结构的方法。所述形成氧化硅层的方法包括以下步骤。提供含硅前体、含氧前体以及氧自由基，以形成含有水的氧化硅层。对所述氧化硅层执行热工艺以使所述水扩散入所述氧化硅层中并利用所述水作为氧化剂来氧化所述氧化硅层。
氧化硅层半导体结构氧化剂含硅前体含氧前体氧自由基热工艺水扩散

[发明专利]制备栅氧化层的方法-CN202011215525.9在审
发明人：沈耀庭;周春 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及制备栅氧化层的方法，涉及半导体集成电路制造技术，包括提供一半导体衬底，半导体衬底包括第一器件区域和第二器件区域，其中第一器件区域与第二器件区域上形成的半导体器件需要不同厚度的栅氧化层；在第一器件区域进行阱离子注入形成第一阱区，在第二器件区域进行阱离子注入形成第二阱区；在第二阱区进行氮离子注入工艺；进行退火工艺激活第一阱区和第二阱区内注入的离子；以及进行一步栅氧化层生长工艺，则在第一阱区上形成的栅氧化层的厚度大于在第二阱区上形成的栅氧化层的厚度，可使通过一步栅氧化层生长工艺形成不同厚度的栅氧化层。
制备氧化方法

[发明专利]栅氧化层的制造方法-CN202111327588.8在审
发明人：李勇 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅氧化层的制造方法包括如下步骤：步骤一、通过沉积工艺在半导体衬底表面形成第一氧化层。步骤二、对第一氧化层进行氮化处理。步骤三、进行热氧化工艺在第一氧化层底部形成对半导体衬底氧化形成的第二氧化层，由第一和第二氧化层叠加形成栅氧化层。本发明能保证栅氧化层的电学厚度以及质量的条件下，降低对半导体衬底的损耗，特别适用于鳍式晶体管的输入输出器件的制造中用于降低对鳍体的损耗，使鳍体的关键尺寸得到保持。
氧化制造方法

[发明专利]热处理钢丝氧化层工艺-CN202111420639.1在审
发明人：玛琳 -专利权人：铃木加普腾钢丝（苏州）有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C21D8/06 文献下载
摘要：本发明热处理钢丝氧化层工艺，步骤如下：原材料制备：制备原材料钢丝，原材料钢丝以百分比计包括如下组分：B：0.0012‑0.0022％，Mn 0.4‑0.8％；Cr 0.7‑1.0％；V 0.01‑0.03
热处理钢丝氧化工艺

[发明专利]氧化铝层的沉积-CN202210047507.7在审
发明人：梅里哈·歌德·兰维尔;纳格拉杰·尚卡尔;卡普·斯里什·雷迪;丹尼斯·M·豪斯曼 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及氧化铝蚀刻停止层的沉积。特征为介电常数(k)小于约7(例如介于约4‑6之间)和密度至少约2.5g/cm3(例如介于约3.0‑3.2g/cm3之间)的氧化铝膜被沉积在部分制造的半导体器件上在金属和电介质上以用作蚀刻停止层使用不会导致金属的氧化损坏的沉积方法沉积膜。沉积涉及使含铝前体(例如三烷基铝)与醇和/或烷氧基铝反应。在一个实现方式中，该方法涉及使三甲基铝流动到容纳具有暴露的金属和电介质层的衬底的处理室；清扫和/或排空处理室；使叔丁醇流动到处理室，并使其与三甲基铝反应以形成氧化铝膜，并重复这些工艺步骤，直至形成所需厚度的膜
氧化铝沉积