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[实用新型]一种源区自对准的低栅电容IGBT功率器件-CN201220473577.0有效
发明人：王新 -专利权人：深圳市稳先微电子有限公司
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种源区自对准的低栅电容IGBT功率器件，包括硅片、热场氧化层、热氧化栅氧层、多晶硅层和二氧化硅层；其特征是，所述硅片上方为热场氧化层，该热场氧化层通过硅片热场氧化形成；所述硅片与热场氧化层之间通过热氧化形成热氧化栅氧层；所述热场氧化层上方淀积有作为栅极导电层的多晶硅层，该多晶硅层上方淀积有二氧化硅层作为多晶硅层的上保护层。本实用新型具有源区自对准、结构简单，制造方便，成本低和产品易保证的诸多优点，本实用新型是将IGBT的制造过程中的厚场氧化保留在硼区外的表面，从而增加了部分栅区的氧化层厚度，因电容是和介质层的厚度成反比，
一种对准电容 igbt 功率器件

[发明专利]沟槽隔离结构的制备方法-CN201510047580.4在审
发明人：宋华;王蛟;杨欢 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽隔离结构的制备方法，包括以下步骤：提供衬底；在衬底上形成氧化层；在氧化层表面依次生成氧化阻挡层以及正硅酸乙酯层；对氧化阻挡层和正硅酸乙酯层进行刻蚀；以氧化阻挡层和正硅酸乙酯层作为掩蔽层进行腐蚀形成沟槽；去除正硅酸乙酯层，并以氧化阻挡层作为阻挡层对沟槽进行氧化；对沟槽区域进行多晶硅填充后对多晶硅进行回刻，将氧化阻挡层表面的多晶硅去除；去除氧化阻挡层和衬底表面的氧化层完成沟槽隔离结构的制备。
沟槽隔离结构制备方法

[发明专利]一种双氧化层RRAM及其制备方法-CN201910292557.X在审
发明人：沈棕杰;赵春;赵策洲;杨莉;罗天;张艺;孙艺 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于电子器件技术领域，具体保护基于金属氧化物的双氧化物层RRAM及其制备方法。双氧化物层RRAM包括由上至下层叠设置的顶电极层，阻变氧化层和基底；所述阻变氧化层为由上至下层叠设置的In₂O₃和Al₂O₃双层金属氧化层；所述顶电极层包括若干阵列在阻变氧化层上的顶电极，所述顶电极在远离阻变氧化层的表面设有保护层；所述基底包括底电极层和绝缘层。本发明对两层金属氧化层均采用溶液法工艺制备，实现低成本RRAM的制备，相较于单层金属氧化层的RRAM器件，阻变特性更好，且设备和原料投资较少，可实现大规模工业应用。
阻变氧化层制备金属氧化层层叠设置顶电极层双氧化物顶电极基底绝缘层金属氧化物底电极层电子器件工业应用工艺制备双层金属双氧化层阻变特性保护层低成本溶液法氧化层单层两层投资

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201810179055.1有效
发明人：何有丰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构形成方法包括：提供基底，所述基底上具有介质层，所述介质层内具有贯穿所述介质层厚度的开口；在所述开口底部形成第一氧化层；在所述第一氧化层上形成牺牲层，在形成所述牺牲层的过程中，对位于所述第一氧化层底部的部分厚度基底进行氧化处理，使所述第一氧化层转变为第二氧化层，所述第二氧化层材料与所述第一氧化层材料相同，且所述第二氧化层厚度大于所述第一氧化层厚度；去除所述牺牲层。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种无钛金色珠光颜料及其制备方法和用途-CN202210014132.4在审
发明人：林敏立;林正交;苏尔田;谢思维;黎伍建;龙宪君;林矗立;蒙泽元 -专利权人：广西七色珠光材料股份有限公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C09C1/40 文献下载
摘要：一种无钛金色珠光颜料，该珠光颜料包括：基材；包覆在基材上的氧化锡‑氧化铝复合层；包覆在氧化锡‑氧化铝复合层上的氧化铁层；包覆在氧化铁层上的氧化硅层；包覆在氧化硅层上的氧化钴‑氧化铁复合层。
一种金色珠光颜料及其制备方法用途

[发明专利]一种VCSEL芯片及制作方法-CN201810731132.X有效
发明人：贾钊;赵炆兼;马祥柱;张国庆;陈凯轩 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种VCSEL芯片及制作方法，该制作方法包括：提供一衬底，衬底划分为中间区域和包围中间区域的边缘区域；在中间区域上生长覆盖中间区域的结构层；生长氧化层，氧化层覆盖边缘区域以及覆盖结构层的侧壁和背离衬底一侧的表面；在氧化层背离结构层的一侧生长第一保护层，第一保护层部分覆盖中间区域，在氧化层背离衬底的一侧生长第二保护层，第二保护层部分覆盖边缘区域；对氧化层进行氧化处理；去除第一保护层，并在氧化层背离结构层的一侧生长P型布拉格反射镜层；去除第二保护层，并制作电极结构。该制作方法降低了工艺难度，在氧化处理阶段对氧化层进行氧化处理后再生长额外的外延层结构，其氧化均匀性很容易得以控制。
一种 vcsel 芯片制作方法

[发明专利]固体氧化物燃料电池或固体氧化物燃料电池子部件及其制备方法-CN200980145813.7有效
发明人： M·R·沃茨;S·D·K·阿马拉辛格;J·G·拉夫 -专利权人：塞拉米克燃料电池有限公司
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01M8/00 文献下载
摘要：一种固体氧化物燃料电池(SOFC)或SOFC子部件，包含YSZ固体氧化物电解质层(10)、LSCF阴极层(14)和在电解质层和阴极层之间包含至少氧化锆和氧化铈的混合相层(18)，阴极层与混合相层直接接触，除了在混合相层中，没有氧化铈在阴极层和电解质层之间。一种形成SOFC或子部件的方法，包括在电解质层(10)上施加氧化铈层、加热电解质和氧化铈层以形成混合相层(18)以及在施加阴极层(14)之前从混合相层表面移除过量的氧化铈。
固体氧化物燃料电池部件及其制备方法

[发明专利]表面发射激光器及其制造方法和图像形成装置-CN201010243718.5有效
发明人：井久田光弘 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2010-07-28 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：第一可氧化层被部分氧化，以形成包含第一导电区域和第一绝缘区域的第一电流限制层。第二可氧化层被部分氧化以形成包含第二导电区域和第二绝缘区域的第二电流限制层，第一导电区域和第一绝缘区域之间的边界沿基板的面内方向被布置在第二电流限制层内侧。第一可氧化层和第二可氧化层或邻近各可氧化层的层被调整，使得当两个层在相同的氧化条件下被氧化时，第一可氧化层的氧化速度比第二可氧化层的氧化速度低。
表面发射激光器及其制造方法图像形成装置

[发明专利]一种耐氧化滤料及制备方法-CN202010146651.7有效
发明人：房利生;许瑞生;钱丰;梁运动 -专利权人：安徽世倾环保科技有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： B01D39/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐氧化滤料及制备方法，包括如下步骤：制备耐氧化层浆料；承力层的制备：以机织物为基材，将耐高温纤维梳理后，铺网在基材上，然后针刺处理，得到承力层半成品，再对承力层半成品进行烧毛、热定型处理后，得到承力层；耐氧化层的制备：在承力层的一面上喷涂耐氧化层浆料，形成第一耐氧化层；在承力层的另一面喷涂所述的耐氧化层浆料，形成第二耐氧化层；迎尘层的制备：在第一耐氧化层上铺网耐高温纤维，然后针刺处理，得到迎尘层；里层的制备：在第二耐氧化层上铺网耐高温纤维，然后针刺处理，得到里层，制备得到耐氧化滤料；该滤料能够有效提高滤料抵抗氧化性气体的氧化腐蚀作用，同时在使用过程中明显减少过滤阻力。
一种氧化料及制备方法

[发明专利]一种增强BSI图像传感器对抗暗电流的方法-CN202110115620.X在审
发明人：董雅娟;孙勤;高杏 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种增强BSI图像传感器对抗暗电流的方法，提供基底，基底上表面具有自然氧化层；去除基底上的所述自然氧化层；利用解耦等离子体氧化法在基底上表面生长一层薄膜氧化层；该解耦等离子体氧化法在氧化过程中的温度为200～500℃；该解耦等离子氧化法利用连续脉冲的模式，并以氧气为解离气体；在薄膜氧化层上生长一层氧化铝薄膜；在氧化铝薄膜上生长一层氧化钽薄膜；在氧化钽薄膜上生长一层氧化物层。本发明利用高温生长环境以及连续脉冲模式下解耦等离子体氧化法生长的薄膜氧化层，与现有技术相比，生长相同厚度的薄膜氧化层，其薄膜表面的缺陷浓度降低，并且器件的光学电性参数暗电流降低，从而提升了界面处薄膜的质量
一种增强 bsi 图像传感器对抗电流方法

[发明专利]在熔丝结构中形成引线通孔的方法和金属熔丝结构-CN98118428.6有效
发明人：吉尔·Y·李 -专利权人：西门子公司
申请日： 1998-08-14 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：该方法包括从金属化层形成熔丝结构。在从金属化层形成的熔丝结构上面沉积HDP氧化物的底部氧化层。在底部氧化层上面沉积掺杂氧化层。在掺杂氧化层上面沉积顶部氧化层。通过顶部氧化层蚀刻。在开始蚀刻掺杂氧化层时，检测出放出的掺杂物质增加的含量。该方法进一步包括在检测出掺杂物质增加的含量时终止蚀刻。其中在从金属化层形成的熔丝结构上面至少保留底部氧化层。
结构形成引线方法金属

[发明专利]一种浮栅型分栅闪存工艺方法-CN202111570227.6在审
发明人：许昭昭 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供一种浮栅型分栅闪存工艺方法，在P型衬底上生长浮栅氧化层、第一氮化硅层；形成P型阱，去除第一氮化硅层，在浮栅多晶硅层上形成氧化硅层、第二氮化硅层、牺牲氧化硅层及第三氮化硅层；去除第三氮化硅层；淀积第四氮化硅层，形成侧墙；去除第四氮化硅层；去除侧墙和牺牲氧化硅层及第二氮化硅层、氧化硅层、浮栅多晶硅层及浮栅氧化层；去除牺牲氧化硅层上的第四氮化硅层，去除被暴露的牺牲氧化硅层；沉积选择栅介质层，形成选择栅多晶硅层并掺杂；在选择栅多晶硅层顶部形成保护氧化层；去除第三、第四氮化硅层；刻蚀牺牲氧化硅层、第二氮化硅层、氧化硅层、浮栅多晶硅层，形成LDD区；形成第一、第二侧墙介质层；形成源漏重掺杂区。
一种浮栅型分栅闪存工艺方法

[发明专利]一种多色渐变镀膜及其镀膜方法-CN202011518825.4在审
发明人：古梁忠;王玉宝 -专利权人：宜宾市恒美科技有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种多色渐变镀膜及其镀膜方法，包括镀膜结构和蒸镀炉体，其特征在于：所述镀膜结构包括五氧化三钛层D，所述五氧化三钛层D的外表面覆盖有二氧化硅层C，所述二氧化硅层C的外表面覆盖有五氧化三钛层C，所述五氧化三钛层C的外表面覆盖有二氧化硅层B，所述二氧化硅层B的外表面覆盖有五氧化三钛层B，所述五氧化三钛层B的外表面覆盖有二氧化硅层A，所述二氧化硅层A的外表面覆盖有五氧化三钛层A。本发明通过调整气化后的膜料扩散至产品表面的位置及剂量，产品在蒸镀炉内高速旋转致使表面获得不同厚度的膜层而实现颜色渐变。
一种多色渐变镀膜及其方法

[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法和显示装置-CN202011170073.7在审
发明人：王利忠;周天民;胡合合;许晓春;姚念琦;薛大鹏;董水浪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法和显示装置。氧化物薄膜晶体管包括位于衬底上的栅极、金属氧化物有源层和源漏金属层，所述金属氧化物有源层包括沿远离所述衬底方向层叠设置的第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，所述第一金属氧化物层为载流子传输层，所述第二金属氧化物层为载流子隔离层，所述载流子传输层的电子迁移速率大于所述载流子隔离层的电子迁移速率；所述第一金属氧化物层包括朝向所述衬底以及背离所述衬底的两个主表面，所述第一金属氧化物层还包括位于所述主表面周围的侧面，所述第二金属氧化物层覆盖所述第一金属氧化物层的所述侧面本公开实施例能够提高氧化物薄膜晶体管有源层的可靠性。
一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法显示装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810589348.7有效
发明人：沈思杰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：首先，在衬底上形成存储区的隧穿氧化层、浮栅层、控制栅层和字线；其次，蚀刻所述控制栅层和浮栅层形成控制栅、浮栅和控制栅接触孔；再次，对所述存储区的隧穿氧化层进行第一次快速热氧化，以增加隧穿氧化层的厚度；然后，在衬底上形成逻辑区的氧化层和栅极结构；最后，对所述存储区的隧穿氧化层进行第二次快速热氧化，以再次增加所述存储区的隧穿氧化层的厚度，同时对所述逻辑区的氧化层进行快速热氧化，以增加所述逻辑区的氧化层的厚度，使形成的所述存储区的隧穿氧化层的厚度大于所述逻辑区的氧化层的厚度。
半导体器件及其制造方法