“氧化层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果3314114个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]双压电晶片元件、双压电晶片开关、密勒元件及其制造方法-CN200580029357.1无效
发明人：高柳史一;三瓶广和 -专利权人：爱德万测试株式会社
申请日： 2005-08-31 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01H61/01 文献下载
摘要：一种双压电晶片元件，具备：氧化硅层；高膨胀率层，其形成在氧化硅层上且具有较此氧化硅层的热膨胀率还高的热膨胀率；以及变形防止层，其覆盖氧化硅层的表面，以防止氧化硅层由于经常变化所形成的变形。变形防止层变形防止层相对于水份和氧的透过率亦可较氧化硅层还低，变形防止层亦可以是一种以较形成氧化硅层时还高的能量来进行成膜时所形成的氧化硅，变形防止层亦可为氮化硅层或金属层。
压电晶片元件开关及其制造方法

[发明专利]栅氧化层的制作方法及半导体器件的制作方法-CN200710038449.7无效
发明人：虞肖鹏;张复雄 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-03-22 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：一种栅氧化层的制作方法，包括：在半导体衬底上形成氧化阻挡层；对氧化阻挡层以及半导体衬底进行氧化处理，形成栅氧化层。所述方法使栅氧化层的形成速率比较容易控制，形成的栅氧化层的厚度可达到20埃以下。
氧化制作方法半导体器件

[发明专利]具有多重限制隔离的VCSEL及VCSEL制作方法-CN202010173318.5在审
发明人：田宇;杜石磊;韩效亚;马祥柱 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种具有多重限制隔离的VCSEL及VCSEL制作方法，通过设置第一氧化层、第二氧化层、第三氧化层和离子注入层，并且第一氧化层的氧化深度、第二氧化层的氧化深度、第三氧化层的氧化深度和离子注入层的离子扩散深度依次减小，以及对各氧化层的氧化形状进行特殊设置，形成特殊的限制图形来实现多重限制隔离，从而形成特定的限制孔径，对载流子的扩散路径进行有效控制，将载流子集中化注入到有源区。
具有多重限制隔离 vcsel 制作方法

[实用新型]具有多重限制隔离的VCSEL-CN202020308136.X有效
发明人：田宇;杜石磊;韩效亚;马祥柱 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有多重限制隔离的VCSEL，通过设置第一氧化层、第二氧化层、第三氧化层和离子注入层，并且第一氧化层的氧化深度、第二氧化层的氧化深度、第三氧化层的氧化深度和离子注入层的离子扩散深度依次减小，以及对各氧化层的氧化形状进行特殊设置，形成特殊的限制图形来实现多重限制隔离，从而形成特定的限制孔径，对载流子的扩散路径进行有效控制，将载流子集中化注入到有源区。
具有多重限制隔离 vcsel

[发明专利]VDMOS器件的形成方法-CN201110058213.6有效
发明人：楼颖颖;克里丝 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-03-10 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供VDMOS器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有外延层；在所述外延层表面形成具有开口的牺牲层，所述开口暴露出外延层表面；热氧化开口内的外延层，形成第一栅极氧化层；去除所述牺牲层；热氧化所述外延层，形成第二氧化层；沉积多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述第一栅极氧化层和第二氧化层；刻蚀多晶硅层和第二氧化层形成栅极结构；形成源区、源极金属层、漏极金属层和栅极金属层。本发明降低形成栅极氧化层的工艺难度，增加漏极和栅极间的栅极氧化层厚度，以降低栅极和漏极间的电容值，提高VDMOS的开关速度。
vdmos 器件形成方法

[发明专利]壳体及其制作方法-CN201310074121.6有效
发明人：张春杰 -专利权人：深圳富泰宏精密工业有限公司
申请日： 2013-03-08 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：该壳体包括基体及依次形成于基体表面的打底层、过渡层、及颜色层，该打底层为钛和M的混镀层，其中M选自铬、铝、或硅中的一种；该过渡层为氧化层，且所述氧化层为氧化铝层、氧化锆层、或二氧化硅层；该颜色层为钛铝氮层该壳体的制作方法包括如下步骤提供一基体；采用真空镀膜法在该基体的表面依次形成打底层、过渡层、及颜色层，该打底层为钛和M的混镀层，其中M选自铬、铝、或硅中的一种；该过渡层为氧化层，且所述氧化层为氧化铝层、氧化锆层、或二氧化硅层；该颜色层为钛铝氮层。
壳体及其制作方法

[发明专利]一种改善SONOS闪存中ONO结构的数据存储时效的方法-CN201410013081.9在审
发明人：张孟;张凌越;管宝辉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-01-13 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种改善SONOS闪存中ONO结构的数据存储时效的方法，在生成氮氧化硅层的时候，控制一氧化二氮和氨气的气体比例，使得Si-H键主要分布从隧穿氧化层与氮氧化硅层的界面迁移到氮氧化硅层和隔绝氧化层之间的界面上由于隔绝氧化层远厚于隧穿氧化层，这一改变减少了存储在氮氧化硅层中电子通过隧穿氧化层逃逸的几率，从而改善了ONO层的数据存储时效，提高了SONOS闪存的良率和可靠性。
一种改善 sonos 闪存 ono 结构数据存储时效方法

[实用新型]通体防静电瓷砖-CN201520492842.3有效
发明人：周建军 -专利权人：周建军
申请日： 2015-07-10 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： E04F13/075 文献下载
摘要：本实用新型公开了通体防静电瓷砖，属于建材技术领域，它包含面层和砖坯，所述的面层里设有氧化锌层、氧化锡层和氧化锆层；所述的氧化锌层、氧化锡层和氧化锆层交错设置在面层中；所述的砖坯内设有氧化铁层和氧化铝层，且氧化铁层和氧化铝层交错设置在砖坯中。
通体静电瓷砖

[发明专利]一种耐氧化易集尘滤料及制备方法-CN202010146637.7有效
发明人：房利生;许瑞生;钱丰;梁运动 -专利权人：安徽世倾环保科技有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： B32B33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐氧化易集尘滤料及制备方法，包括如下步骤：制备耐氧化层浆料；制备承力层：以机织物为基材，将耐高温纤维梳理后，铺网在基材上，制备承力层半成品，再对承力层半成品处理后，得到承力层；制备耐氧化层：在承力层的一面上喷涂耐氧化层浆料，形成第一耐氧化层；在承力层的另一面喷涂所述的耐氧化层浆料，形成第二耐氧化层；制备粗孔层：在第一耐氧化层上铺网耐高温纤维，针刺处理得粗孔层；制备致密层：在粗孔层上涂覆致密层浆料，冷却至室温得致密层；制备里层：在第二耐氧化层上铺网耐高温纤维，针刺后得到里层，制备得到耐氧化易集尘滤料；该滤料能够抵抗气体的氧化腐蚀作用，同时明显减少过滤阻力。
一种氧化集尘料及制备方法

[发明专利]一种阵列基板及其制备方法-CN201410029377.X有效
发明人：闻正锋;马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-01-22 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种阵列基板及其制备方法，包括在单晶硅层上逐层制备栅氧化层、多晶硅层；采用干法刻蚀形成图形化的多晶硅层；采用干法刻蚀去除未被多晶硅层覆盖的栅氧化层；在多晶硅层以及单晶硅层的表面上生长氧化层，该氧化层的厚度小于干法刻蚀后未被多晶硅层覆盖的栅氧化层的厚度；采用湿法刻蚀去除氧化层；最终在多晶硅层以及单晶硅层的表面生长垫氧化层。本发明实施例通过在多晶硅层以及单晶硅层的表面生长氧化层，然后采用湿法刻蚀去除该氧化层，从而能够有效地消除单晶硅层表面的损伤，以使在后续生长垫氧化层的工艺中，在单晶硅层的表面能够生长出厚度符合要求的垫氧化层
一种阵列及其制备方法

[实用新型]防湿膜-CN201520841728.7有效
发明人：李伟明;蓝银锋 -专利权人：汕头市东通光电材料有限公司
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： B32B27/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种防湿膜，主要包含有：基材层、氧化物层组、介电质层和紫外光吸收层，所述氧化物层组包括氧化钽层和氧化硅层，所述氧化钽层位于基材层的上表面，所述氧化硅层位于氧化钽层上表面，所述介电质层位于氧化硅层的上表面，所述紫外光吸收层位于基材层的下表面。实用新型提供的防湿膜利用氧化物层组和介电质层作为阻水层，大大简化了现有技术中复杂的膜层结构，同时设置紫外光吸收层可以有效减缓防湿膜的老化速度。
防湿

[发明专利]制作电擦除可编程存储器中的隧道氧化层窗口的方法-CN201010601888.6有效
发明人：王刚宁;彭坤;陈宗高;赵连国;赵晓燕 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作电擦除可编程存储器EEPROM中的隧道氧化层窗口的方法，该方法包括：在EEPROM浮栅的栅氧化层上依次沉积以亲水性聚合物为材料的过渡层及涂覆光刻胶层；图案化光刻胶层，得到具有隧道氧化层窗口图形的光刻胶层；以所述具有隧道氧化层窗口的光刻胶层为掩膜，依次刻蚀过渡层和所述浮栅的栅氧化层，在所述浮栅的栅氧化层上形成隧道氧化层窗口；去除剩余的光刻胶层及具有隧道氧化层窗口图形的过渡层。采用本发明提供的方法，保证所制作的隧道氧化层窗口的边界平整。
制作擦除可编程存储器中的隧道氧化窗口方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子设备-CN202180044006.7在审
发明人：张珂豪;刘熹;叶约翰;林军 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，能够降低等效氧化物厚度(EOT)。该半导体器件包括采用高介电常数金属栅结构(HKMG)的晶体管。其中，高介电常数金属栅结构包括介电层，高介电常数氧化物层，复合层。高介电常数氧化物层覆盖在介电层上。复合层覆盖在高介电常数氧化物层上，复合层中包括依次层叠设置的第一金属氧化物层、第一金属层、第二金属氧化物层。第一金属氧化物层和第二金属氧化物层均包括导电的金属氧化物，且第一金属氧化物层、第一金属层、第二金属氧化物层中包含的金属元素相同。
半导体器件及其制作方法电子设备

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201810304571.2有效
发明人：涂火金 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供基底；在所述基底上形成功函数层；对所述功函数层进行氧化处理形成氧化层；在所述氧化层上形成电极层。本发明在基底上形成功函数层后，对所述功函数层进行氧化处理形成氧化层，由于氧具有较高的电负性，因此与所述功函数层相比，经氧化处理所形成的氧化层具有更高的有效功函数，而且，对所述功函数层进行氧化处理后，所形成的氧化层为非晶态结构，所述氧化层能够对电极层中的金属原子起到阻挡作用，降低所述金属原子扩散至所述功函数层中的概率，从而减小对PMOS晶体管的有效功函数的影响；综上，通过所述氧化层，能够增加PMOS晶体管的有效功函数，以满足
半导体结构及其制造方法

[发明专利]SONOS存储器的制作方法-CN200910056491.0无效
发明人：朱骏;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2009-08-14 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供一种SONOS存储器的制作方法，包括以下步骤：在衬底上依次淀积氧化硅层和氮氧化硅层；在所述氮氧化硅层上面涂一层光刻胶；去除部分所述光刻胶，形成逻辑区域；去除所述逻辑区域的氮氧化硅层；去除所述逻辑区域的底部氧化层；在所述氮氧化硅层及逻辑区域上面生长顶部氧化层；去除所述逻辑区域的顶部氧化层；生长栅氧化层；形成SONOS和逻辑区域的器件结构。本发明有效地避免了顶部氧化层发生损伤和在湿法刻蚀中发生侧向刻蚀，从而能够提高器件的良率。
sonos 存储器制作方法

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top