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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]栅氧化层之制备方法-CN200610001049.4有效
  • 陈中怡;朱志勋;周志文 - 茂德科技股份有限公司
  • 2006-01-17 - 2007-07-25 - H01L21/316
  • 一种栅氧化层制备方法首先形成至少两条沟槽于基板之中，这两条沟槽之间形成主动区域。之后，形成介电区块于该沟槽之中，该介电区块之上表面不对齐该基板之上表面。然后，进行热氧化工艺以形成栅氧化层于该主动区域之基板的上表面。通过该含氮掺质抑制热氧化反应速率，可避免该主动区域边缘处之栅氧化层厚度小于该主动区域中心处之栅氧化层厚度的情形发生。
  • 氧化制备方法
  • [发明专利]栅氧化层的制造方法-CN201410163438.1无效
  • 张红伟 - 上海华力微电子有限公司
  • 2014-04-22 - 2014-08-06 - H01L21/283
  • 本发明提供了一种栅氧化层的制造方法，包括：提供一硅衬底；对所述硅衬底进行热氧化工艺，以在所述硅衬底的表面上形成二氧化硅栅氧化层；对所述二氧化硅栅氧化层采用等离子体氮化工艺进行氮注入，以形成氮氧化硅栅氧化层；对所述氮氧化硅栅氧化层采用高温氮化工艺以修复晶格损伤并形成稳定的Si-N键；对高温氮化处理后的氮氧化硅栅氧化层采用低温氧化工艺以修复SiO2/Si之间的界面。在本发明提供的栅氧化层的制造方法中，通过高温氮化工艺处理氮注入之后的栅氧化层，使得所述氮氧化硅栅氧化层的Si-N键更加稳定，避免所述氮氧化硅栅氧化层表面的氮原子继续挥发或扩散，从而有效地提高栅氧化层中的氮含量并使其保持稳定
  • 氧化制造方法
  • [发明专利]金属氧化层的制造方法-CN201210265319.8无效
  • 萧祖荫;吴冠霖;张子骏 - 萧祖荫;吴冠霖;张子骏
  • 2012-07-25 - 2014-02-12 - C25D11/02
  • 本发明提出一种金属氧化层的制造方法，其包含下列步骤：首先，提供一金属件，再置放该金属件至一电解液中以利用一微弧氧化制程处理该金属件，最后，在该金属件的表面形成一金属氧化层；其中，该电解液中包含有六偏磷酸钠、硅酸钠、偏铝酸钠、氢氧化钠、钨酸钠及碳酸钠；如此，该金属件产生高硬度的表面以避免破坏或磨损，且其在金属件表面具有较小的微孔洞，如此金属件表面可防止异物的堆积，进而具有高实用性。
  • 金属氧化制造方法
  • [发明专利]栅氧化层的制造方法-CN200710137115.5无效
  • 陈民良 - 茂德科技股份有限公司
  • 2007-07-19 - 2009-01-21 - H01L21/82
  • 在传统的栅氧化层工艺中，位于有源区边缘的栅氧化层会长得比较厚，是因为在有源区的上表面以及侧面会同时生长栅氧化层之故。在浅沟渠隔离工艺中填入绝缘层于沟渠内的步骤之前，加入对有源区边缘的衬底进行自对准的氮离子注入步骤来抑制有源区边缘的栅氧化层的成长速度。如此可达成后续对于有源区边缘的栅氧化层厚度的局部控制，这对于高密度存储器元件十分重要。
  • 氧化制造方法
  • [发明专利]栅氧化层的制备方法-CN200610153108.X无效
  • 赖素贞;吴政德 - 茂德科技股份有限公司
  • 2006-12-08 - 2008-06-11 - H01L21/283
  • 本发明的栅氧化层的制备方法首先形成具有至少一个开口的屏蔽层于半导体基板之上，再形成沟渠于该开口下方的半导体基板中，其中该沟渠环绕主动区域。之后，将该屏蔽层去除以暴露该主动区域的半导体基板，再进行热处理工艺以形成栅氧化层于该主动区域的半导体基板的上表面。该含氮掺质可抑制该半导体基板的热氧化反应速率，因而降低该开口下方的半导体基板表面的栅氧化层厚度，以大幅改进栅氧化层厚度的均匀度，提高栅极的效率。
  • 氧化制备方法
  • [实用新型]一种抗氧化层-CN201120481065.4有效
  • 青平;代作勇;孙光夕 - 重庆华浩冶炼有限公司
  • 2011-11-28 - 2012-08-08 - B22D11/111
  • 一种抗氧化层，由木炭层（2）和石墨层（3）组成；底层为木炭层（2），在木炭层（2）上铺设有一层石墨层（3）。在待产的铜材生产工频炉中采用本实用新型的铜液抗氧化层，解决了上引铜材生产处于保温待料阶段工频炉内铜被氧化的问题，经过实践操作，炉内液态铜的防氧化效果显著：当再次恢复生产时炉内铜被氧化的程度得到了有效控制，几乎没有出现铜液被氧化的现象，产品报废率由原来的100%到采用本实用新型方法后的2～3%，提高了成材率，降低了能源消耗，缩短了生产周期。
  • 一种氧化
  • [发明专利]光电元件-CN200910146213.4有效
  • 谢明勋;王健源;姚久琳;林锦源 - 晶元光电股份有限公司
  • 2009-06-22 - 2010-12-29 - H01L33/00
  • 本发明揭示一种光电元件，包含半导体叠层；第一透明导电氧化层位于此半导体叠层上，其中此第一透明导电氧化层具有至少一开口；以及第二透明导电氧化层，覆盖上述第一透明导电氧化层；此外，上述的第二透明导电氧化层填入第一透明导电氧化层的开口中并且与半导体叠层相接触，其中第一透明导电氧化层与第二透明导电氧化层中的任一层与半导体叠层形成欧姆接触。
  • 光电元件
  • [实用新型]铝合金表面阳极氧化膜-CN200920001005.0无效
  • 蔡乐勤 - 蔡乐勤
  • 2009-01-14 - 2009-12-09 - C25D11/12
  • 本实用新型公开了一种铝合金表面阳极氧化膜，为解决现有技术中生产效率低、耐磨性不好等问题而发明。包括铝合金本体和阳极氧化膜，阳极氧化膜由三层相互附着的膜层构成，从铝合金本体表面向外依次为第一层、第二层和第三层，第一层为常温氧化膜层、第二层为微弧氧化膜层或抑弧氧化膜层、第三层为化学整平层。用常温氧化膜层作第一层，提高氧化膜层附着力；微弧氧化膜或抑弧氧化膜层，提高硬度，抑弧氧化膜层在常温氧化膜层表面制备，电压低于微弧阳极氧化工艺，在微弧未形成的情况下进行阳极氧化，节能，避免基体烧蚀现象；化学整平层，降低摩擦系数，在含表面活性剂的溶液中浸渍制备，有憎水及憎油作用，提高膜层的平整性、耐蚀性及耐磨性。
  • 铝合金表面阳极氧化
  • [发明专利]导电层暴露后生成氧化层的处理方法-CN202210316804.7在审
  • 刘冲;陈宏 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-03-28 - 2022-07-01 - H01L21/02
  • 本发明提供一种导电层暴露后生成氧化层的处理方法、MIM电容的返工方法和存储器及其形成方法。采用含HF的溶液清洗去除导电层暴露后生成的氧化层，在导电层暴露后生成氧化层的处理方法中，确保导电层能正常被刻蚀，不受氧化层的影响；在MIM电容的返工方法中，使第一导电层能够被正常刻蚀，形成第一电极；在存储器及其形成方法中，使第二导电层能够被正常刻蚀，形成第二电极和间隔分布的控制栅引线层，使间隔分布的控制栅引线层之间不发生桥接，降低了存储器读写程序的失败率，提高了存储器的良率。
  • 导电暴露生成氧化处理方法
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