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[发明专利]光学记录介质-CN201410159013.3在审
发明人：猪狩孝洋;渡边诚 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-04-18 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： G11B7/2433 文献下载
摘要：一种包括记录层的光学记录介质，该记录层包括反射层、两个介电层、以及相变记录层。两个介电层的相变记录层侧介电层含有氧化钽或者由氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物。两个介电层的反射层侧介电层含有由氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物、由氧化铟和氧化镓组成的复合氧化物、或者由氧化锌和氧化铝组成的复合氧化物。
光学记录介质

[发明专利]热氧化晶圆生成氧化层的方法-CN201210132773.6有效
发明人：平梁良;陈清 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种热氧化晶圆生成氧化层的方法，包括下列步骤：在炉管内放置需要氧化的晶圆并通过加热器对所述炉管进行加热；向反应器内通入氧气和氢气并混合燃烧；将燃烧后生成的水蒸气和剩余的氧气从所述炉管的进气口通入炉管内
氧化生成方法

[发明专利]半导体结构中氧化层的形成方法-CN201811069648.9有效
发明人：卢康 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构中氧化层的形成方法，包括：提供一半导体衬底；在第一压力下，执行第一氧化工艺形成第一氧化层于所述半导体衬底上；及在第二压力下，执行第二氧化工艺形成第二氧化层于所述第一氧化层上，即得所述氧化层；其中，所述氧化层由所述第一氧化层和所述第二氧化层组成，所述第一压力高于所述第二压力，所述形成第一氧化层的反应速率小于所述形成第二氧化层的反应速率。通过采用两步氧化的方法，可提高氧化层厚度的均匀性，提高产品良率。该方法工艺简单，成本低，适用于半导体结构的氧化层生长，例如栅极氧化层、STI氧化层、牺牲氧化层、侧壁氧化层、衬垫氧化层等，包括但不限于以上所述氧化层。
半导体结构氧化形成方法

[发明专利]氧化层变化的煤气生产方法-CN201310563968.0无效
发明人：王万利 -专利权人：王万利
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： C10J3/16 文献下载
摘要：本发明涉及氧化层变化的煤气生产方法，包括：减少或消除氧化层上升因素；氧化层下降；氧化层上升，恢复氧化层上升因素；三个环节周期循环。除渣氧化层下降；停除渣氧化层上升。增加空气、氧气流量，或关小煤气阀，或开汽封，氧化层下降；减少空气、氧气流量，或开大煤气阀，或关汽封，氧化层上升。除渣与另一种氧化层上升形式，共同制造氧化层下降。除渣与另一种氧化层循环形式交替进行。二个氧化层循环周期之间，间断的加入氧化层上升和下降。除渣氧化层循环移动距离是上限。氧化层下降前注完软化水。温度显示的氧化层长短循环。本发明的优点在于，水蒸汽分解量增加，节约煤，可以气化灰份低的煤。
氧化变化煤气生产方法

[发明专利]镀膜玻璃及制备方法-CN202110487431.5在审
发明人：曾小绵;白振中 -专利权人：长兴旗滨节能玻璃有限公司;广东旗滨节能玻璃有限公司;天津旗滨节能玻璃有限公司;湖南旗滨节能玻璃有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开一种镀膜玻璃及制备方法，其中，所述镀膜玻璃包括基层和膜层，所述膜层包括自所述基层的表面向外依次层叠而成的五个电介质层，其中，五个所述电介质层依次包括：第一电介质层为氧化钛层、氧化铌层、硅钛氧化物层、氮化硅铝层、氧化铌锆层、氧化铌钛层或氮化硅锆铝层中的一个或多个；第二电介质层为氧化硼硅层或氧化硅铝层；第三电介质层为氧化钛层、氧化铌层、硅钛氧化物层、氮化硅铝层、氧化铌锆层、氧化铌钛层或氮化硅锆铝层中的一个或多个；第四电介质层为氧化硼硅层或氧化硅铝层；以及第五电介质层为氮化硅铝层、氧化锆层、氧化锡层或氮化硅锆铝层中的一个或多个。
镀膜玻璃制备方法

[实用新型]镀膜玻璃-CN202120936181.4有效
发明人：曾小绵;白振中 -专利权人：长兴旗滨节能玻璃有限公司;广东旗滨节能玻璃有限公司;天津旗滨节能玻璃有限公司;湖南旗滨节能玻璃有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本实用新型公开一种镀膜玻璃，包括基层和膜层，所述膜层包括自所述基层的表面向外依次层叠而成的五个电介质层，其中，五个所述电介质层依次包括：第一电介质层为氧化钛层、氧化铌层、硅钛氧化物层、氮化硅铝层、氧化铌锆层、氧化铌钛层或氮化硅锆铝层中的一个或多个；第二电介质层为氧化硼硅层或氧化硅铝层；第三电介质层为氧化钛层、氧化铌层、硅钛氧化物层、氮化硅铝层、氧化铌锆层、氧化铌钛层或氮化硅锆铝层中的一个或多个；第四电介质层为氧化硼硅层或氧化硅铝层；以及第五电介质层为氮化硅铝层、氧化锆层、氧化锡层或氮化硅锆铝层中的一个或多个。
镀膜玻璃

[发明专利]栅氧化层的形成方法-CN202110410686.1有效
发明人：赵旭东;余晴;唐怡 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种栅氧化层的形成方法，涉及半导体制造领域。该栅氧化层的形成方法包括通过炉管湿氧化工艺在硅衬底表面形成第一层氧化层；通过快速热氧化工艺在所述第一层氧化层表面形成第二层氧化层，所述第一层氧化层和所述第二层氧化层构成栅氧化层；解决了目前栅氧化层的制作过程容易导致的栅氧化层‑硅衬底界面的界面陷阱电荷问题；达到了降低了硅衬底和栅氧化层的界面中的氮含量，保证器件性能的效果。
氧化形成方法

[发明专利]一种多层瓷块、多层瓷块的制备方法及义齿-CN202210959135.5在审
发明人：李宗育;张宇;刘建君;刘威 -专利权人：深圳玉汝成口腔材料有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层瓷块、多层瓷块的制备方法及义齿，多层瓷块包括按顺序依次铺设成层的第一氧化锆粉料层、第二氧化锆粉料层、第三氧化锆粉料层、第四氧化锆粉料层、第五氧化锆粉料层、第六氧化锆粉料层、第七氧化锆粉料层和第八氧化锆粉料层；所述第一氧化锆粉料层、第二氧化锆粉料层、第三氧化锆粉料层、第四氧化锆粉料层、第五氧化锆粉料层、第六氧化锆粉料层、第七氧化锆粉料层和第八氧化锆粉料层中的氧化锆粉末中掺杂有氧化钇；其中，按质量百分比计，所述第一氧化锆粉料层为13‑17％，所述第二氧化锆粉料层为8‑12％，所述第三氧化锆粉料层为10‑14％，所述第四氧化锆粉料层为10‑14％，所述第五氧化锆粉料层为10‑14％，所述第六氧化锆粉料层为10‑14％。
一种多层制备方法义齿

[发明专利]碳化硅基板的底部氧化层增厚的制作方法-CN202010251282.8在审
发明人：戴茂州;高巍;廖运健 -专利权人：成都蓉矽半导体有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅基板的底部氧化层增厚的制作方法，其特征在于，包括：提供碳化硅基板；形成沟槽结构于碳化硅基板之中；进行第一次热氧化，用于该沟槽结构之中形成顶部氧化层、底部氧化层与侧壁氧化层；沉积保护层于该顶部氧化层、该底部氧化层与该侧壁氧化层之上；进行刻蚀，以移除覆盖该底部氧化层上面的该保护层，直到该底部氧化层、侧壁氧化层裸露出来，以形成刻蚀区；进行第二次热氧化，用于刻蚀区中形成氧化层于该底部氧化层之上；其中该热氧化过程的实施温度为大于
碳化硅底部氧化层增厚制作方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN202211067418.5在审
发明人：李伟;刘宇恒;符云飞;闫冬;王梓杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/3115 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面形成有原生氧化层；对原生氧化层进行氟离子掺杂；对位于原生氧化层底部的半导体衬底进行氧化处理，以形成氧化层，且氧化处理采用的气体与原生氧化层发生反应，将原生氧化层转化为气态的副产物，以去除原生氧化层。本公开实施例，可以有效去除原生氧化层，并形成高质量的氧化层，避免原生氧化层残留影响氧化层的性能，从而改善半导体器件的性能。
半导体器件制备方法

[发明专利]一种调节空气或氧气流量的方法-CN201510044879.4无效
发明人：王万利 -专利权人：王万利
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： C10J3/00 文献下载
摘要：一种调节空气或氧气流量的方法，涉及煤气的生产方法，一个氧化层循环周期，减少空气、氧气流量，炉内煤气压力减少，氧化层上升距离小于或等于氧化层长度；一个氧化层循环周期，增加空气、氧气流量，炉内煤气压力增加，氧化层下降距离小于或等于氧化层长度。氧化层循环的第二个环节，氧化层开始上升，或者，氧化层循环的第一个环节开始，氧化层下降过程，减少空气、氧气流量。氧化层循环的第一个环节开始，氧化层下降过程，增加空气、氧气流量。连续调节空气、氧气流量，氧化层循环位置稳定后，间隔氧化层循环周期。本发明的优点在于，氧化层温度高，渣含碳量低、稳定，提高气化效率。
一种调节空气氧气流量方法

[发明专利]新型氧化物薄膜晶体管器件及其制备方法-CN201810356389.1在审
发明人：彭河蒙;潘月宏;罗东向;阳川;张勇;陈柏米;周洋平 -专利权人：重庆赛宝工业技术研究院
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型氧化物薄膜晶体管器件，由下往上依次包括基层、绝缘层、氧化物层、氧化钼层、电偶极子层、源极和漏极；所述氧化钼层包括左氧化钼层和右氧化钼层且间隔覆盖于氧化层上表面横向左、右侧，所述源极和漏极分别覆盖于左氧化钼层和右氧化钼层且电偶极子层覆盖于氧化物层上表面上位于左氧化钼层和右氧化钼层之间处；本发明相比原有的氧化物薄膜晶体管器件结构多了一层电偶极子层，该电偶极子层能在不损伤氧化物层的前提下有效修饰氧化物表面以提高器件稳定性。
氧化钼层电偶极子层氧化物层薄膜晶体管器件新型氧化物上表面漏极源极氧化物薄膜晶体管绝缘层器件稳定性氧化物表面间隔覆盖器件结构氧化层原有的覆盖修饰制备损伤基层

[实用新型]新型氧化物薄膜晶体管器件-CN201820565444.3有效
发明人：彭河蒙;潘月宏;罗东向;阳川;张勇;陈柏米;周洋平 -专利权人：重庆赛宝工业技术研究院
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型氧化物薄膜晶体管器件，由下往上依次包括基层、绝缘层、氧化物层、氧化钼层、电偶极子层、源极和漏极；所述氧化钼层包括左氧化钼层和右氧化钼层且间隔覆盖于氧化层上表面横向左、右侧，所述源极和漏极分别覆盖于左氧化钼层和右氧化钼层且电偶极子层覆盖于氧化物层上表面上位于左氧化钼层和右氧化钼层之间处；本实用新型相比原有的氧化物薄膜晶体管器件结构多了一层电偶极子层，该电偶极子层能在不损伤氧化物层的前提下有效修饰氧化物表面以提高器件稳定性。
氧化钼层电偶极子层氧化物层薄膜晶体管器件本实用新型新型氧化物上表面漏极源极氧化物薄膜晶体管绝缘层器件稳定性氧化物表面间隔覆盖器件结构氧化层原有的覆盖修饰损伤基层

[发明专利]隧穿氧化层的制备方法、太阳能电池及其制备方法-CN202010852174.6有效
发明人：王东;金井升 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种隧穿氧化层的制备方法、太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池领域。该隧穿氧化层的制备方法包括以下步骤：采用热氧氧化法，在半导体衬底的表面形成氧化层，氧化层包括第一氧化层区域和第二氧化层区域，第一氧化层区域的厚度或致密度小于第二氧化层区域的厚度或致密度；采用湿法氧化法或臭氧氧化法，在第一氧化层区域继续生长氧化层，或者在第一氧化层区域和第二氧化层区域继续生长氧化层且在第一氧化层区域的生长速度大于第二氧化层区域的生长速度，以使第一氧化层区域的厚度或致密度与第二氧化层区域的厚度或致密度相等或实质相等本发明能够改善氧化层的均匀性，进而有助于提高整片电池的钝化均匀性和电池的转换效率。
氧化制备方法太阳能电池及其

[实用新型]一种具有防雾功能的树脂镜片及浸泡装置-CN202123279990.1有效
发明人：何彩虹;周海兵;周远胜 -专利权人：镇江视伟光学有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G02B1/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有防雾功能的树脂镜片，包括镜片，其特征在于，所述镜片为树脂材质设置，所述镜片的外部设置有氧化硅膜层A，所述氧化硅膜层A远离镜片的一侧设置有氧化锆膜层A，所述氧化锆膜层A远离氧化硅膜层A的一侧交替设置有氧化硅膜层B和氧化锆膜层B，外侧的所述氧化锆膜层B远离氧化硅膜层B的一侧设置有氧化铟锡膜层，所述氧化铟锡膜层远离氧化锆膜层B的一侧设置有氧化硅膜层C，所述氧化硅膜层C远离氧化铟锡膜层的一侧设置有防雾基底，所述防雾基底远离氧化硅膜层C的一侧设置有防雾顶膜。
一种具有功能树脂镜片浸泡装置