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[发明专利]一种化学机械抛光方法-CN201110205780.X无效
发明人：路新春;王同庆;沈攀;何永勇 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-07-21 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光方法，所述化学机械抛光方法包括：利用抛光头夹持晶圆以在抛光盘上对所述晶圆进行化学机械抛光，其中在所述化学机械抛光过程中，所述抛光头自转且沿所述抛光盘的径向往复平移，所述往复平移覆盖所述抛光盘的半径根据本发明实施例的化学机械抛光方法，在所述化学机械抛光过程中，所述抛光头自转且沿所述抛光盘的径向往复平移，所述往复平移覆盖所述抛光盘的半径，由此可以充分使用整个抛光盘的表面，可以提高了抛光垫的利用率，可以减轻抛光垫沿径向的中间部分的过度磨损，从而可以延长抛光垫的使用寿命。
一种化学机械抛光方法

[发明专利]铝的化学机械抛光方法-CN201010551387.1有效
发明人：蒋莉;黎铭琦 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-11-18 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：一种铝的化学机械抛光方法，待抛光的部件包括基底以及形成于基底上的介质层，所述介质层中形成有开口，所述开口中填充有金属铝，所述金属铝填满所述开口并覆盖所述介质层，所述化学机械抛光包括：对所述金属铝进行第一抛光过程，至所述介质层上剩余预定厚度的金属铝；对所述剩余的金属铝进行第二抛光过程，至暴露出所述介质层，所述第二抛光过程与第一抛光过程为非原位的；将所述待抛光的部件移出化学机械抛光设备，对其表面进行清洗。
化学机械抛光方法

[发明专利]一种抛光头、化学机械抛光装置和方法-CN202011413321.6有效
发明人：沙酉鹤 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种抛光头、化学机械抛光装置和方法。所述抛光头包括主体部，用以夹持晶圆并使所述晶圆的待抛光表面朝下以进行化学机械抛光；其中，在所述主体部上设置有边缘供液回路，所述边缘供液回路用以在化学机械抛光过程中向所述晶圆的边缘提供液体以改变所述晶圆的边缘处的抛光液的浓度根据本发明的抛光头和化学机械抛光方法，通过在抛光过程中从晶圆的边缘处引入液体，改变晶圆边缘的抛光液浓度，从而控制晶圆边缘的化学机械抛光速率，改善了晶圆在化学机械抛光工艺中的抛光均匀性。
一种抛光化学机械抛光装置方法

[发明专利]一种用于锑化铟单晶片的抛光方法-CN202011141093.1有效
发明人：徐世海;于凯;李晖;高飞;程红娟;洪颖;王健;霍晓青;刘卫丹 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于锑化铟单晶片的抛光方法。该抛光方法分成两步：先经过激光抛光，然后再进行化学机械抛光。由于采用两步抛光方法，省去了传统单晶片切割后、抛光前常用的研磨过程，提高了抛光效率。利用激光抛光所具有的非接触加工，低损伤加工的特性，使化学机械抛光前的单晶片表面已达到微米级抛光水准，且不存在研磨后残留的划痕，从而使之后化学机械抛光过程不需要达到很高的厚度去除量，大幅度缩短了化学机械抛光时间，激光抛光过程时间最低可缩短至10分钟，配合化学机械抛光，整体抛光时间可控制在30分钟以内。且通过化学机械抛光对锑化铟单晶片进行抛光后，晶片表面实现了全局平坦化，表面粗糙度Ra小于0.3nm。
一种用于锑化铟单晶片抛光方法

[发明专利]化学机械抛光方法-CN201110177218.0无效
发明人：路新春;王同庆;门延武;何永勇 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-06-28 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光方法，所述化学机械抛光方法包括：利用抛光头夹持晶圆以在抛光盘上对所述晶圆进行化学机械抛光，其中在所述化学机械抛光过程中，所述抛光头自转且相对于所述抛光盘往复运动。根据本发明实施例的化学机械抛光方法可以大大地提高晶圆表面抛光厚度的均匀性。
化学机械抛光方法

[发明专利]一种终点检测精度高的化学机械抛光垫、制备方法及其应用-CN202111437207.1有效
发明人：谢毓;王凯 -专利权人：万华化学集团电子材料有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： B24B37/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种终点检测精度高的化学机械抛光垫、制备方法及其应用，所述化学机械抛光垫具有独特的类“三明治”结构的检测窗，包括顶层、中间层和底层，所述中间层由高折射率材料构成，保证了抛光过程中具有较高的终点检测精度，所述顶层与底层结构保证了抛光过程中的窗口块体与其他部分的抛光层具有相似的抛光性能及压缩性能。本发明的化学机械抛光垫具有终点检测精度高、抛光缺陷少等优点，适用于磁性基片、光学基片或半导体基片的化学机械抛光。
一种终点检测精度化学机械抛光制备方法及其应用

[发明专利]一种304不锈钢化学机械抛光用抛光剂和抛光液及其制备方法-CN201710082541.7有效
发明人：苏建修;王占奎;李勇峰;姚建国;陈佳鹏;彭亚男;刘振辉;李洁静 -专利权人：河南科技学院
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C23F3/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种304不锈钢化学机械抛光用抛光剂，包括下述重量份的组分：磨料1～10份，磨料分散剂1～15份，氧化剂1～20份，表面活性剂2～10份，碳纳米粉0.5～5份，pH值调节剂5～20份和pH值稳定剂采用包括本发明提供的抛光剂的抛光液对304不锈钢进行化学机械抛光，抛光过程中各组分稳定存在，为304不锈钢化学机械抛光过程中提供稳定的抛光环境，有助于化学机械抛光持续稳定进行，充分发挥化学机械抛光的优势，进而得到抛光效果良好的304不锈钢，满足柔性衬底的要求。
一种 304 不锈钢化学机械抛光抛光及其制备方法

[发明专利]具有波形槽的化学机械抛光垫-CN01823541.7有效
发明人：朴仁河;金载晰;黄仁柱;权太庆 -专利权人：株式会社SKC
申请日： 2001-08-29 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开一种形成在抛光表面上的化学机械抛光垫，它带有多个具有不同半径而相同形状的同心波形槽。各槽具有一要求的深度、宽度和形状。该化学机械抛光垫在抛光过程中提供了有效地控制膏剂流动的效果，从而在抛光过程中达到抛光率上的稳定性，并提高了晶片平面化程度。
具有波形化学机械抛光

[发明专利]晶圆表面形貌控制系统及控制方法-CN201711085724.0在审
发明人：吕新强;林宗贤;吴孝哲;吴龙江;郭松辉;王海宽 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆表面形貌控制系统及控制方法，所述晶圆表面形貌的控制方法包括如下步骤1）提供一晶圆；2）对所述晶圆的表面进行化学机械抛光；3）依据化学机械抛光过程中对所述晶圆表面不同区域的去除情况设定刻蚀时间本发明通过依据化学机械抛光过程中对晶圆表面不同区域的去除情况设定对晶圆湿法刻蚀的刻蚀时间，湿法刻蚀过程中可以对化学机械抛光过程中对晶圆表面的形貌造成偏差进行补偿，使得湿法刻蚀后的晶圆具有良好的表面形貌，
表面形貌控制系统控制方法

[发明专利]一种晶体硅片位错检测方法-CN201410105915.9有效
发明人：肖贵云;陈养俊;陈伟;林瑶;徐志群;金浩;陈康平 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体硅片位错检测方法，先采用添加有醇类化学添加剂的碱溶液对切割晶体硅锭得到的晶体硅片进行碱处理，然后再进行化学抛光和化学腐蚀。由于所述碱溶液能够去除碱溶液腐蚀过程中产生的气泡，降低碱处理后的晶体硅片表面粗糙度，从而能够代替现有技术中的机械抛光，得到较好的抛光效果。相对于现有技术中需要碎片、预处理等工序才能进行抛光的机械抛光过程，其工艺更加简单，同时相对于机械抛光需要的时间，本发明提供的碱处理过程需要的时间更短，提高了位错检测效率；且碱处理和化学抛光过程中无需使用昂贵的机械抛光设备
一种晶体硅片检测方法

[发明专利]一种铜化学机械抛光液及其应用和化学机械抛光方法-CN202110198261.9在审
发明人：卞鹏程;崔晓坤;王庆伟 -专利权人：万华化学集团电子材料有限公司;万华化学集团股份有限公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜化学机械抛光液及其应用和化学机械抛光方法，该抛光液包含研磨颗粒、腐蚀抑制剂、络合剂、表面活性剂、pH调节剂和氧化剂，余量为水。在铜化学机械抛光过程中，本发明的铜化学机械抛光液能够满足前两步抛光步骤合并成一步抛光的使用要求，从而优化铜的抛光工艺、提高抛光效率。
一种化学机械抛光及其应用方法

[发明专利]一种金属复杂曲面超声热能辅助化学机械抛光装备与工艺方法-CN202310199175.9在审
发明人：张振宇;刘振颂;崔祥祥;万省作;石春景 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B24B31/033 文献下载
摘要：本发明提供一种金属复杂曲面超声热能辅助化学机械抛光装备与工艺方法。由横梁、滑枕、X轴卧式导轨、抛光设备壳体、控制系统、抛光装置及热能辅助装置、超声辅助装置、主轴箱、Z轴立式导轨组成，横梁连接Z轴立式导轨及主轴箱；横梁的底端滑动连接在滑枕上。抛光设备壳体容纳抛光装置及热能辅助装置；控制系统控制抛光装置及热能辅助装置、超声辅助装置及主轴箱的状态；抛光装置进行工件的化学机械抛光过程；热能辅助装置改变化学机械抛光过程中的抛光温度；超声辅助装置实现主轴部分的超声振动本发明基于化学机械抛光原理及多能场耦合作用，待加工表面同时进行抛光处理，加工效率高，均匀性好。
一种金属复杂曲面超声热能辅助化学机械抛光装备工艺方法

[发明专利]机械与化学交互作用测量装置-CN201110080675.8有效
发明人：路新春;李静;赵德文;王同庆;何永勇;雒建斌 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-03-31 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： G01N3/56 文献下载
摘要：本发明涉及化学机械抛光技术领域，公开了一种机械与化学交互作用测量装置，包括机架、摩擦力测量部分、杠杆加载部分、往复直线运动的氮化硅小球和三电极部分。本发明的装置可以模拟腐蚀条件下的磨粒磨损性能，实现了同时在线测量电化学参数和机械参数；可以测量化学机械抛光过程中单纯的化学腐蚀量、机械磨损量以及交互作用去除量，从而对化学机械抛光过程中的材料去除机理进行研究
机械化学交互作用测量装置

[发明专利]一种pH稳定性提高的碳化硅化学机械抛光液及其应用-CN201811303460.6有效
发明人：窦文涛;宗艳民;梁庆瑞;王含冠;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种pH稳定性提高的碳化硅化学机械抛光液，所述抛光液包括：氧化剂、高硬度磨料和pH稳定剂，所述pH稳定剂为硝酸铝。本发明的抛光液在进行化学机械抛光过程能很好的保持pH值的稳定性，并且抛光液的分散稳定性好且分散均匀。本发明由于在抛光液中加入了pH值稳定剂硝酸铝，使得该抛光液在进行化学机械抛光过程中的pH值稳定性更强，并且抛光液不容易发生硬团聚。本发明的抛光液对环境无污染，可以采用循环供料的方式使用。
一种 ph 稳定性提高碳化硅化学机械抛光及其应用

[发明专利]用于化学机械抛光工艺的在线终点检测控制系统及方法-CN201710713502.2有效
发明人：李弘恺;路新春;雒建斌;沈攀 -专利权人：清华大学;天津华海清科机电科技有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： B24B37/013 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于化学机械抛光工艺的在线终点检测控制系统及方法，该系统包括：数据获取模块，数据获取模块与抛光盘的电机驱动器相连，用于在化学机械抛光设备抛光晶圆的过程中，获取电机驱动器中的电机功率信号；终点判断模块，用于判断电机功率信号的变化是否满足抛光工艺终点的条件，并在判断出电机功率信号的变化满足抛光工艺终点的条件时，控制化学机械抛光设备停止抛光晶圆。该实施例提出一种基于电机功率信号确定化学机械抛光工艺终点的控制系统及方法，准确判断化学机械抛光工艺终点，控制晶圆抛光过程，避免过抛光或者欠抛光情况的发生，保证了抛光工艺质量。
化学机械抛光工艺电机功率信号控制系统抛光工艺化学机械抛光设备数据获取模块电机驱动器抛光晶圆终点检测晶圆抛光终点判断过抛光抛光盘抛光保证

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