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[发明专利]一种IC级硅晶片少子寿命测试方法-CN201711391688.0有效
发明人：李小艳;张俊宝;陈猛 -专利权人：重庆超硅半导体有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种IC级硅晶片少子寿命测试方法，首先测量硅晶片表面粗糙度，清洗硅晶片后，其次根据硅晶片表面粗糙度确定钝化膜生长工艺，最后采用c‑PCD法测量硅晶片的少子寿命。本发明技术在硅晶片表面生成既完全覆盖硅晶片表面又稳定固定电荷的低厚度氧化膜，准确测量硅晶片的少子寿命，测量结果稳定性和重复性好，离散性小。
一种 ic 晶片少子寿命测试方法

[发明专利]制作无滑移的晶片架的装置和方法-CN02812280.1有效
发明人： R·R·亨格斯特 -专利权人：圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
申请日： 2002-06-05 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种用于支承硅晶片的晶片架。该晶片架包括一陶瓷主体，它具有至少一个其尺寸构造成于其上支承硅晶片的晶片支承结构。在晶体槽的表面上设置一陶瓷覆层。该陶瓷覆层具有一防止杂质进入的厚度和一晶片接触表面。该晶片接触表面具有一覆涂后表面光洁度，其基本防止硅晶片中的滑移。
制作滑移晶片装置方法

[发明专利]在衬底上电沉积具有最小边缘隔绝的均匀薄膜的方法和设备-CN01804451.4无效
发明人：布伦特·M·巴索尔;西普里安·尤佐;霍梅尤恩·塔利 -专利权人：纳托尔公司
申请日： 2001-11-02 - 公布日： 2003-07-30 - 主分类号： C25D5/02 文献下载
摘要：用以在晶片表面沉积材料的系统，包括：阳极、样板、容纳于阳极和晶片表面的液态电解液，以及接触晶片表面上选定位置的电接触子。样板确定了一个凹边，并支撑在阳极和晶片表面之间，因而样板上表面朝向衬底表面。样板刻具有大量渠道，因而它们中的每个都使晶片表面和阳极之间有液体流通。沉积过程通过样板进行。样板上表面具有比晶片表面范围更大的范围。电接触子通过样板的凹边接触晶片表面的选定位置，因而当晶片旋转时，选定的接触位置移到样板上而在施加的电势下被电镀。
衬底沉积具有最小边缘隔绝均匀薄膜方法设备

[发明专利]穿晶片通路设备以及其制造方法-CN201280050826.8有效
发明人： R·德克尔;B·马赛利斯;M·米尔德;R·毛奇斯措克 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种穿晶片通路设备（10），包括晶片（12），所述晶片（12）由晶片材料制成并且具有第一晶片表面（12a）和与所述第一晶片表面（12a）相对的第二晶片表面（12b）。所述穿晶片通路设备（10）还包括多个并排的第一沟槽（14），所述第一沟槽（14）被提供有导电材料并且从所述第一晶片表面（12a）延伸到所述晶片（12）中，使得在各所述第一沟槽（14）之间形成所述晶片材料的多个间隔所述穿晶片通路设备（10）还包括第二沟槽（18），所述第二沟槽（18）被提供有所述导电材料并且从所述第二晶片表面（12b）延伸到所述晶片（12）中，所述第二沟槽（18）被连接到所述第一沟槽（14）。所述穿晶片通路设备（10）还包括导电层（20），所述导电层（20）由所述导电材料制成，并且被形成在所述第一晶片表面（12a）的侧部上，所述导电材料填充所述第一沟槽（14），使得第一导电层（20）具有基本上平面且封闭的表面
晶片晶片表面通路设备导电材料晶片材料导电层导电材料填充第一导电层延伸封闭制造

[发明专利]微机电系统到有源电路的晶片接合-CN200510117764.X有效
发明人：托马斯·E·邓根;罗纳德·S·法齐欧 -专利权人：安捷伦科技有限公司
申请日： 2005-11-10 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： B81C5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单个集成晶片封装，包括微机电系统晶片、有源器件晶片和密封环。微机电系统晶片具有第一表面并在其第一表面上包括至少一个微机电系统部件。有源器件晶片具有第一表面并在其第一表面上包括有源器件电路。密封环与微机电系统晶片的第一表面相邻使得绕微机电系统部件形成密封。在晶片封装上设置外部触头。外部触头可从外部访问晶片封装且电耦合到有源器件晶片的有源器件电路。
微机系统有源电路晶片接合

[发明专利]利用弯液面的蚀刻后晶片表面清洁-CN200780024615.6有效
发明人：朱吉;尹秀敏;马克·威尔科克森;约翰·M·德拉里奥斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2007-06-28 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种半导体晶片表面清洗方法。提供用于去除晶片表面上的污染物的第一清洗溶液到晶片表面。去除晶片表面上的所述第一清洗溶液和一些污染物。接下来，提供氧化剂溶液到晶片表面。氧化剂溶液再从晶片表面去除掉，接着，提供第二清洗溶液到晶片表面。第二清洗溶液从晶片表面去除。所述第二清洗溶液配置为能充分去除氧化层与残留污染物。
利用液面蚀刻晶片表面清洁

[发明专利]晶片清洗装置及晶片清洗方式-CN201510066846.X在审
发明人：蔡新庭;余政宏;刘金光;李明星;庄玮宏;童圭璋;吕彦逸;王进钦 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明公开一种晶片清洗装置及晶片清洗方式。该晶片清洗装置，包含：一平台，用以承载一晶片，前述的晶片具有一待洗表面、一第一喷嘴设于该晶片的上方，第一喷嘴与晶片的待洗表面之间具有一第一高度以及一第二喷嘴设于晶片的上方，第二喷嘴与晶片的待洗表面之间具有一第二高度
晶片清洗装置方式

[发明专利]用于激光束晶片划切设备的晶片卡盘-CN202211163541.7在审
发明人： F-J·皮克勒;J·穆勒;C·阿哈默;G·拉克纳;W·H·莱特格布 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B23K26/70 文献下载
摘要：本公开涉及用于激光束晶片划切设备的晶片卡盘。用于激光束晶片划切设备的卡盘包括晶片支撑板，该晶片支撑板具有用于保持设置在划切带上的晶片的上表面。上表面包括：环形槽，当设置在划切带上的晶片放置在上表面上时，该环形槽与晶片边缘重叠。晶片支撑板包括被配置成对环形槽进行通风的通风通道。
用于激光束晶片设备卡盘

[发明专利]晶片清洗装置及晶片清洗方式-CN200910266338.0有效
发明人：蔡新庭;余政宏;刘金光;李明星;庄玮宏;童圭璋;吕彦逸;王进钦 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明公开一种晶片清洗装置及晶片清洗方式。该晶片清洗装置，包含：一平台，用以承载一晶片，前述的晶片具有一待洗表面、一第一喷嘴设于该晶片的上方，第一喷嘴与晶片的待洗表面之间具有一第一高度以及一第二喷嘴设于晶片的上方，第二喷嘴与晶片的待洗表面之间具有一第二高度
晶片清洗装置方式

[发明专利]双面蚀刻晶片的方法-CN200410055871.X无效
发明人：杨辰雄 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2004-08-05 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种双面蚀刻晶片的方法，首先，提供一晶片，该晶片包括至少一旋转轴区与至少二穿透区，且该二穿透区位于该旋转轴区的二侧。接着由该晶片的一底表面去除部分位于该旋转轴区的该晶片。随后将该晶片的底表面利用一粘着层粘贴于一负载载具上，并由该晶片的上表面去除位于该二穿透区的该晶片直至穿透该晶片。
双面蚀刻晶片方法

[发明专利]晶片表面处理设备-CN202311042733.7在审
发明人：朱亮;李阳健;陈道光;罗洪吉;夏希林 -专利权人：浙江求是半导体设备有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片表面处理设备，包括转晶机构与清理机构，转晶机构包括驱动套和从动轮，驱动套与从动轮围绕预设转料轴线周向间隔设置，以形成用于搭载圆形晶片的载料区域，驱动套与从动轮承载晶片时，转料轴线与晶片的轴线重合；清理机构包括至少两个刷辊，每个刷辊的外周能够接触晶片并形成接触段，至少一个接触段的长度小于载料直径，载料直径为载料区域沿转料轴线的垂直方向的最大尺寸。接触段作为刷辊接触晶片端面的区域短于晶片直径，因而本发明实现了缩短刷辊和晶片之间的沟槽的目的，更短的沟槽意味着残存于沟槽内的杂质及废液更少，有利于提高晶片的清洁度，通过晶片表面处理设备清理过的晶片更容易达标
晶片表面处理设备

[实用新型]晶片表面清洗装置-CN201120458587.2有效
发明人：刘海晓;吴仪 -专利权人：北京七星华创电子股份有限公司
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶片表面清洗装置，涉及半导体晶片工艺技术领域，包括：平台、设置在所述平台上的至少一个主喷头，还包括至少一个设置在所述平台上的辅助喷头，用于向待清洗的晶片表面喷液，使形成一层覆盖所述晶片表面的液体缓冲层本实用新型晶片表面清洗装置的主喷头向所述待清洗晶片表面喷洒清洗液前及清洗过程中，为保证液体缓冲层完全覆盖待清洗晶片表面，辅助喷头间隔地喷洒液体。通过液体缓冲层避免了高速的纳米级液滴直接冲击晶片上的图案，从而减小了对晶片的损伤。
晶片表面清洗装置

[发明专利]晶片表面处理方法-CN200580044846.4无效
发明人： C·马勒维尔;D·德尔普拉;C·德拉特;F·梅特拉尔 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2005-12-21 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种处理称为施主晶片(10)的第一晶片和称为接收晶片(20)的第二晶片的任一个或两个称为键合表面的表面(12，22)的方法，这两个晶片将互相键合。该方法特征之处在于，它包括通过向所述键合表面(12，22)施加处理溶液，在键合所述施主晶片(10)和接收晶片(20)之前立即实施的清洗及激活步骤。
晶片表面处理方法

[发明专利]半导体晶片表面金属化的方法-CN202010050882.8在审
发明人：邓国安 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体晶片表面金属化的方法，先在半导体晶片的表面溅射铝，再将半导体晶片的表面的铝与半导体晶片进行合金，以形成铝硅合金层，然后在形成铝硅合金层后的半导体晶片上溅射镍层和锡层，最后在锡层上溅射导电层，从而实现半导体晶片表面金属化，避免了现有技术通过喷涂电镀工序实现半导体晶片表面金属化导致半导体晶片易碎裂的问题。
半导体晶片表面金属化方法

[发明专利]晶片结合装置和包括晶片结合装置的晶片结合系统-CN201810521429.3有效
发明人：金兑泳;姜泌圭;金石镐;文光辰;李来寅;李镐珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片结合装置，用于在晶片结合工艺和/或包括所述晶片结合装置的晶片结合系统中精确地检测晶片的结合状态。所述晶片结合装置包括：第一支撑板，包括第一表面和用于真空吸附在第一表面上设置的第一晶片的真空槽；第二支撑板，包括面对第一表面的第二表面。第二晶片在第二表面上。所述晶片结合装置和/或所述晶片结合系统包括位于第一支撑板的中心部分处的结合引发器和位于第一支撑板上的区域传感器，所述区域传感器被配置为检测第一晶片与第二晶片之间的结合的传播状态。
晶片结合装置包括系统