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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有嵌入式输出电感器的半导体封装体-CN201610362277.8有效
发明人：曹应山;D·加利波;D·克拉韦特 -专利权人：英飞凌科技美国公司
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：在一个实现方式中，半导体封装包括被附接在第一图案化导电载体上的功率转换器开关级的控制晶体管和同步晶体管，以及被置于第一图案化导电载体的引线上的磁性材料。半导体封装还包括被附接在第一图案化导电载体、控制和同步晶体管以及磁性材料上的第二图案化导电载体。
具有嵌入式输出电感器半导体封装

[发明专利]氧化物薄膜的场效应晶体管器件及其制备方法-CN201610754922.0有效
发明人：李俊;张建华;蒋雪茵;张志林 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有成分缓变有源层结构的氧化物薄膜的场效应晶体管器件及其制备方法，属于薄膜晶体管器件技术领域。与现有的氧化物TFT和硅基TFT有着良好的工艺兼容性，能有效地节约缓变结构氧化物薄膜晶体管的制备成本。
具有成分有源结构氧化物薄膜场效应晶体管器件及其制备方法

[发明专利]具有场电极和改进的雪崩击穿行为的晶体管-CN201610422875.X有效
发明人： R·西明耶科;M·聪德尔;K-H·巴赫;F·希尔勒;C·坎彭;W·舒斯特德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-06-14 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的各个实施例涉及具有场电极和改进的雪崩击穿行为的晶体管。公开了一种半导体器件和用于形成该半导体器件的方法。该半导体器件的一个实施例包括至少一个晶体管单元，其中该至少一个晶体管单元包括：在半导体本体中的，第一掺杂类型的漂移区域、第一掺杂类型的源极区域、第二掺杂类型的本体区域以及第一掺杂类型的漏极区域；栅极电极
具有电极改进雪崩击穿行为晶体管

[发明专利]具有多域垂直配向模式的晶体管液晶显示器-CN200310115707.9有效
发明人：张志明;林敬桓;蔡晴宇;陈伯纶 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2003-11-24 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：一种具有多域垂直配向模式的晶体管液晶显示器，尤指反射式薄膜晶体管液晶显示器结构，以及在反射区具有多域垂直配向模式的半穿透半反射式薄膜晶体管液晶显示器结构。
具有垂直模式晶体管液晶显示器

[发明专利]一种熔料补充生长晶体的装置和方法-CN200310108634.0有效
发明人：郑燕青;陆治平;施尔畏;王绍华;崔素贤 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2003-11-14 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种熔料补充生长晶体的装置和方法，属于晶体生长领域。晶体生长时不向补给坩埚中添加原料，而是通过排液的原理在液体中排开相应体积的熔体到生长坩埚中。本发明的生长方法获得的单晶成分均匀性高、成分可调整、光学均匀性好、尺寸大，本发明的生长设备简单、成本低。
一种补充生长晶体装置方法

[发明专利]具有薄膜晶体管的平板显示器-CN200310124057.4有效
发明人：具在本;朴志容;金慧东;李乙浩 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2003-12-31 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：一种平板显示器，它降低了驱动薄膜晶体管(TFT)的开态电流，保持了开关TFT的高开关性质，用驱动TFT保持了均匀的亮度，以及在相同的电压被施加到开关TFT和驱动TFT而不改变有源层的尺寸的情况下保持了发光器件的寿命此平板显示器具有发光器件、包括具有用来将数据信号传送到发光器件的至少一个沟道区的半导体有源层的开关薄膜晶体管、以及包括具有用来驱动发光器件致使预定的电流根据数据信号而流过发光器件的至少一个沟道区的半导体有源层的驱动薄膜晶体管
具有薄膜晶体管平板显示器

[发明专利]显示面板、使用该显示面板的发光显示器及其驱动方法-CN200410063446.5有效
发明人：申东蓉;松枝洋二郎 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-07-06 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：其中，一种发射显示器包括：数据线、选择信号线、发射信号线和像素电路，该像素电路包括多个开关、晶体管和发射元件。在显示周期期间，第二开关响应来自发射信号线的具有第一电平的第二扫描信号而将来自晶体管的电流输送给发射元件。在非显示周期期间，第二开关响应具有第二电平的第二扫描信号而关断，并且没有电流从晶体管输送给发射元件。
显示面板使用发光显示器及其驱动方法

[发明专利]一种有机-无机钙钛矿尖峰晶体的制备及其应用-CN201610526546.X有效
发明人：李福山;刘洋;郭太良;徐中炜;郑聪秀;陈伟 -专利权人：福州大学
申请日： 2016-07-06 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： C30B29/62 文献下载
摘要：本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种有机‑无机钙钛矿尖峰晶体的制备及其应用。将适量钙钛矿前驱体溶解在有机溶剂中形成浓度为30wt%~60wt%的有机‑无机钙钛矿杂合物溶液；将该溶液在形成有导电电极的基片表面上铺展成膜，利用不良溶剂使得钙钛矿溶液快速析出；加热除去多余的有机溶剂，使得钙钛矿充分结晶，形成尖峰状晶体；该尖峰状晶体可用于场致电子发射阴极材料。
钙钛矿制备无机钙钛矿尖峰有机溶剂尖峰状晶体的场致电子发射电子材料技术场发射阴极制备钙钛矿有机-无机析出不良溶剂充分结晶导电电极发射稳定基片表面阴极材料阈值场强低成本前驱体成膜可用量产杂合加热铺展应用溶解制作

[发明专利]内嵌式触摸屏及测试电路-CN201610708656.8有效
发明人：黄耀立;贺兴龙 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： G09G3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种内嵌式触摸屏测试电路，所述测试电路连接触控电极阵列，所述触控电极阵列连接显示阵列，所述显示阵列为所述触控电极阵列提供测试信号；所述测试电路包括：多个控制信号源、多个测试信号采集端及多个薄膜晶体管，每一所述触控电极对应一个所述薄膜晶体管，每一所述触控电极分别连接至任意一个不重复的所述薄膜晶体管；有益效果为：本发明提供的内嵌式触摸屏测试电路，能够单独对每个触控电极进行测试，精确的找出异常触控电极的位置
内嵌式触摸屏测试电路

[发明专利]有机发光显示设备及其维修方法-CN201610893872.4有效
发明人：千大雄;张溢完 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2016-10-13 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光显示设备，该有机发光显示设备包括阵列基板上的多个子像素，各个子像素包括：电路部，所述电路部包括开关晶体管、驱动晶体管和电容器；以及发光部，所述发光部具有由宽度和长度限定的形状，并且包括电连接至所述驱动晶体管的第一电极
有机发光显示设备及其维修方法

[发明专利]一种用于带隙基准源的启动电路-CN201710359828.X有效
发明人：徐威 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2017-05-20 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： G05F1/575 文献下载
摘要：本发明中的启动电路包括第一输入端、第二输入端、第三输入端、第四输入端、开关SW1、晶体管M1和晶体管M2。本发明中的待启动的电路为带隙基准核心电路，其包括开关SW2和运算放大器OPA。本发明中的电路启动后，启动部分的PA电位为高电位，使得启动部分在带隙基准核心电路稳定上电后，启动部分的晶体管截止，避免了带隙基准核心电路在稳定上电后启动电路继续消耗功耗，解决了现有技术耗费功耗的技术问题
一种用于基准启动电路

[发明专利]一种降低硬质合金摩擦系数的方法-CN201710047072.5有效
发明人：吴何洪;高治山;杨汉民;徐勇;邹宇星 -专利权人：苏州新锐合金工具股份有限公司
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： B22F3/24 文献下载
摘要：本发明的方法最终金相组织为WC颗粒、hcp晶体结构Co和fcc晶体结构Co，hcp晶体结构的Co降低了合金的摩擦系数，提高合金挤压软金属的使用寿命。
一种降低硬质合金摩擦系数方法

[发明专利]一种晶体管及其形成方法-CN201610008853.9有效
发明人：陈德艳;郑大燮 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-01-07 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管及其形成方法，其中，所述晶体管的形成方法包括：提供衬底，所述衬底具有第一导电类型；在所述衬底中通过离子注入方式形成注入区，进行退火工艺，使所述注入区从表面至表面以下预定深度处离子浓度分布均匀，所述注入区具有第二导电类型，所述第二导电类型与第一导电类型相反；在所述注入区内形成LDMOS晶体管。
一种晶体管及其形成方法

[发明专利]一种锗氮共掺的碳化硅单晶材料的生长方法-CN201710229299.1有效
发明人：陈秀芳;李天;徐现刚;胡小波 -专利权人：山东大学
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一方面实现了高浓度锗元素的掺杂；另一方面，通过调节锗氮两种元素的特定掺杂浓度，达到增加碳化硅晶格适配度，降低晶体应力，提高晶体质量的目的。拓展碳化硅晶体材料在可见光和红外光波段的应用。
一种锗氮共掺碳化硅材料生长方法

[发明专利]一种靶向标记眼晶体上皮细胞的荧光探针、其制备及应用-CN201710166675.7有效
发明人：董宇平;陈笛笛;彭喆;朱思泉;佟斌;赵阳 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： C07D487/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种靶向标记眼晶体上皮细胞的荧光探针、其制备及应用，属于荧光传感材料领域。所述荧光探针为DPPHP‑2CHO，同时具有原位靶向标记眼晶体上皮细胞以及抑制眼晶体上皮细胞增殖的功能，适用于治疗白内障领域；先将1,4‑双(4‑溴苯基)‑2,5‑二苯基‑1,4‑二氢吡咯并[3,2‑b
一种靶向标记晶体上皮细胞荧光探针制备应用

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