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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]场效应半导体构件及其制造方法-CN201711433835.6有效
发明人： M·聪德尔;K-H·巴赫;A·伍德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种场效应构件，包括半导体主体，其在边缘区域从背面延伸至半导体主体的表面，并且半导体主体包括半导体台面，半导体台面以垂直于背面和/或表面的竖直的方向延伸至安置在表面之上的一个高度(hM)处的半导体台面顶侧，其中，半导体主体在竖直的横截面中还包括：漂移区，其至少在边缘区域中延伸至表面并且部分地安置在半导体台面之中；以及至少部分地安置在半导体台面之中的主体区，其与漂移区形成第一pn结，第一pn结在半导体台面的两个侧壁之间延伸，其中，第一pn结在水平方向上离半导体台面顶侧的垂直距离(d)会变化并且在由两个侧壁隔开的中央区域中采用最大的值(d1)。
场效应半导体构件及其制造方法

[发明专利]具有场电极和改进的雪崩击穿行为的晶体管-CN202010442594.7在审
发明人： R·西明耶科;M·聪德尔;K-H·巴赫;F·希尔勒;C·坎彭;W·舒斯特德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-06-14 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的各个实施例涉及具有场电极和改进的雪崩击穿行为的晶体管。公开了一种半导体器件和用于形成该半导体器件的方法。该半导体器件的一个实施例包括至少一个晶体管单元，其中该至少一个晶体管单元包括：在半导体本体中的，第一掺杂类型的漂移区域、第一掺杂类型的源极区域、第二掺杂类型的本体区域以及第一掺杂类型的漏极区域；栅极电极；场电极；其中漂移区域雪崩区域，其中场电极布置在沟槽中，以及其中雪崩区域包括比起接近半导体本体的由源极区域限定出来的表面更接近底部平面的至少一个部分。
具有电极改进雪崩击穿行为晶体管

[发明专利]具有场电极和改进的雪崩击穿行为的晶体管-CN201610422875.X有效
发明人： R·西明耶科;M·聪德尔;K-H·巴赫;F·希尔勒;C·坎彭;W·舒斯特德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-06-14 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的各个实施例涉及具有场电极和改进的雪崩击穿行为的晶体管。公开了一种半导体器件和用于形成该半导体器件的方法。该半导体器件的一个实施例包括至少一个晶体管单元，其中该至少一个晶体管单元包括：在半导体本体中的，第一掺杂类型的漂移区域、第一掺杂类型的源极区域、第二掺杂类型的本体区域以及第一掺杂类型的漏极区域；栅极电极；场电极；其中漂移区域雪崩区域，其中场电极布置在沟槽中，以及其中雪崩区域包括比起接近半导体本体的由源极区域限定出来的表面更接近底部平面的至少一个部分。
具有电极改进雪崩击穿行为晶体管

[发明专利]用于处理芯片的方法-CN201610165364.4有效
发明人： M·施内甘斯;M·聪德尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：在不同实施方式中提供了芯片。所述芯片可以包含芯片体和在所述芯片体的前侧上的正面金属化结构和/或在所述芯片体的背侧上的背侧金属化结构，使得所述芯片在芯片固定方法的温度范围内是平坦的或者具有正的曲率半径。
用于处理芯片方法

[发明专利]具有场电极的晶体管器件-CN201510969717.1有效
发明人： C·坎彭;M·聪德尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了一种晶体管器件。晶体管器件包括：多个场结构，其在半导体本体中限定多个半导体台面区域，并且每一个均包括场电极和场电极电介质；多个栅极结构，位于每一个半导体台面区域中，其中每个栅极结构均包括栅电极和栅极电介质，并且被布置在半导体台面区域的沟槽中；多个本体区域、多个源极区域和漂移区域。每个本体区域均邻接多个栅极结构中的至少一个的栅极电介质，并且位于所述多个源极区域中的一个源极区域和漂移区域之间。
具有电极晶体管器件

[发明专利]用于垂直MOSFET的终端布置-CN201310287628.X有效
发明人： A·伍德;M·聪德尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及用于垂直MOSFET的终端布置。器件和技术的代表性实施提供了针对晶体管结构的终端布置。晶体管结构的外围可以包括具有布置为改进晶体管在击穿或接近击穿时的性能的特征的凹槽区域。
用于垂直 mosfet 终端布置

[发明专利]功率半导体封装-CN201410433012.3有效
发明人： M·聪德尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体封装，其包括外壳、嵌入外壳中的半导体芯片、以及部分地嵌入外壳中并且部分地暴露在外壳外部的至少四个端子。半导体芯片包括与第一金属层欧姆接触的第一掺杂区域、与第二金属层欧姆接触的第二掺杂区域、以及包括栅极电极以及与栅极电极电绝缘的第一场电极的多个第一沟槽。四个端子中的第一端子电连接至第一金属层电连接；四个端子中的第二端子电连接至第二金属层；四个端子中的第三端子电连接至第一沟槽的栅极电极；四个端子中的第四端子电连接至第一沟槽的第一场电极。
功率半导体封装

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410616511.6有效
发明人： P·布兰德尔;M·聪德尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包含在半导体主体的第一区域中的垂直IGFET，垂直IGFET具有在主体区带和漏电极之间的漂移区带，漂移区带具有第一导电性类型的垂直的掺杂剂分布，所述分布是第一掺杂剂分布和第二掺杂剂分布的叠加，所述第一掺杂剂分布随着增加与漏电极的距离而下降并且在邻近漏电极的第一区带中主导垂直的掺杂剂分布，所述第二掺杂剂分布是展宽的峰掺杂剂分布并且在邻近主体区带的第二区带中主导垂直的掺杂剂分布。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]包括沟槽晶体管单元阵列的半导体器件及其制造方法-CN201410174094.4有效
发明人： M·聪德尔;M·施内甘斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种包括沟槽晶体管单元阵列的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括在硅半导体本体中的沟槽晶体管单元阵列，该硅半导体本体具有第一主表面以及与第一主表面相对的第二主表面。半导体本体的在第一主表面和第二主表面之间的主侧面具有沿着平行于第一和第二主表面的第一横向方向的第一长度。第一长度等于或者大于半导体本体的其它侧面的长度。沟槽晶体管单元阵列主要包括线性栅极沟槽部分。至少50％的线性栅极沟槽部分沿着第二横向方向或者垂直于第二横向方向延伸。第一和第二横向方向之间的角度在45°±15°范围内。
包括沟槽晶体管单元阵列半导体器件及其制造方法

[发明专利]集成电路以及制造集成电路的方法-CN201410354654.4有效
发明人： A·梅瑟;M·聪德尔;T·施勒塞尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：提出一种集成电路以及制造集成电路的方法。该集成电路形成于半导体衬底中。该集成电路包括形成于该半导体衬底的第一主表面中的沟槽。该沟槽包括第一沟槽部分和第二沟槽部分。该第一沟槽部分与第二沟槽部分相连接。第一和第二沟槽部分的开口与第一主表面相邻。该集成电路进一步包括沟槽晶体管结构，沟槽晶体管结构包括设置在第一沟槽部分中的栅极电极，以及包括电容器电介质和第一电容器电极的沟槽电容器结构。电容器电介质和第一电容器电极布置在第二沟槽部分中。该第一电容器电极包括与第二沟槽部分的侧壁共形的层。
集成电路以及制造方法

[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法-CN201410450086.8有效
发明人： M·聪德尔;T·奥斯特曼 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件和用于制造半导体器件的方法，该器件包括半导体芯片。半导体芯片的前侧面的轮廓线包括多边形线和弧形线中的至少一项，该多边形线包括以大于90°的内角被接合在一起的两条线段。
半导体器件用于制造方法

[发明专利]用于制造半导体部件的方法-CN201410239980.0有效
发明人： A·梅瑟;M·聪德尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及用于制造半导体部件的方法，该半导体部件包括具有单元结构的晶体管，该单元结构具有单片集成在半导体本体中并且并联地电连接的多个晶体管单元。在示例方法中，制造第一沟槽，第一沟槽从顶侧延伸至半导体本体中；同样地制造第二沟槽，每个第二沟槽从顶侧比每个第一沟槽更深地延伸至半导体本体中。在每个第一沟槽的表面上制造第一电介质，第一电介质邻接于半导体本体的第一部分上。并且在每个第二沟槽的表面上制造第二电介质。在每个第一沟槽中，制造栅极电极，之后通过去除半导体本体的底层使半导体本体的第二部分与半导体本体的第一部分电绝缘。
用于制造半导体部件方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法和半导体器件-CN201410831980.X在审
发明人： P·伊尔西格勒;J·鲍姆加特尔;M·聪德尔;A·毛德;F·希尔勒;R·威斯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及用于制造半导体器件的方法和半导体器件，该半导体器件通过形成以下项而形成：在具有主表面的半导体衬底中的晶体管；源极和漏极区域；和在源极区域和漏极区域之间的沟道区域和漂移区。源极区域和漏极区域被沿着平行于主表面的第一方向布置。栅极沟槽和栅极电极形成于栅极沟槽中。在主表面中形成的副沟槽在与第一方向相交的第二方向上延伸。使用经由副沟槽的侧壁引入掺杂物的掺杂方法形成源极区域。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]制造半导体结构的方法以及半导体结构-CN201410742729.6在审
发明人： H-J·舒尔策;M·聪德尔;A·毛德;A·梅瑟;F·希尔勒;H·韦伯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：提供一种制造半导体结构的方法，其可包括：在衬底中形成与n掺杂区相邻的p掺杂区；实施阳极氧化以在衬底表面上形成氧化物层，其中在表面沿n掺杂区延伸的第一部分中的氧化物层比在表面沿p掺杂区延伸的第二部分中的氧化物层具有更大的厚度。
制造半导体结构方法以及

[发明专利]具有集成裂缝传感器的半导体部件以及用于检测半导体部件中裂缝的方法-CN201410219302.8在审
发明人： M·聪德尔;U·施马尔茨鲍尔;R·策尔扎赫尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明的一些实施例涉及具有集成裂缝传感器的半导体部件以及用于检测半导体部件中裂缝的方法。第一实施例涉及一种半导体部件。所述半导体部件具有半导体主体，其具有底部侧和在竖直方向上与底部侧远离间隔的顶部侧。在竖直方向上，半导体主体具有某个厚度。半导体部件还具有裂缝传感器，配置成检测在半导体主体中的裂缝。裂缝传感器延伸进入半导体主体。裂缝传感器和底部侧之间的距离小于半导体主体的厚度。
具有集成裂缝传感器半导体部件以及用于检测方法

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