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[发明专利]一种消除金属层光刻返工印迹的方法-CN202211165731.2在审
发明人：李娜;宁磊;安静;杨森虎;张晶;王丹丹;李熙卓;蒋伟 -专利权人： 西安卫光科技有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种消除金属层光刻返工印迹的方法，以改善金属层涂胶“花片”后，光刻返工完成出现的金属层色不均现象。具体为：在晶圆上喷洒EBR溶液，晶圆包括金属层以及位于所述金属层一侧的光敏材料层，光敏材料层包括第一图案层以及第二图案，第二图案沿垂直于所述金属层方向的厚度为零；具体向所述光敏材料层喷涂EBR溶液；接着，采用等离子体法去除所述光敏材料层。上述等离子体法包括将晶圆放置于反应室中并通入氧气，等离子体场把氧气激发到高能状态，将光刻胶成分氧化为气体，并由真空泵从反应室吸走，实现在去掉光刻胶的同时，不损伤金属层。
一种消除金属光刻返工印迹方法

[发明专利]一种改善晶圆背面水印的显影方法-CN202211366881.X在审
发明人：杨森虎;宁磊;李娜;安静;王丹丹;李熙卓;蒋伟;李浩然;雷欣雨 -专利权人： 西安卫光科技有限公司;西安微晶微电子有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善晶圆背面水印的显影方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括光敏材料层；向所述晶圆喷涂显影液，使所述显影液布满所述光敏材料层；以第一速度将所述晶圆旋转第一时间，接着以第二速度将所述晶圆旋转第二时间；重复操作所述以第一速度将所述晶圆旋转第一时间，接着以第二速度将所述晶圆旋转第二时间N次，其中，N为正整数，N大于等于6。本发明显著提高了显影工艺的均匀性，并减小了晶圆背面出现显影液残留的现象，进一步减少了晶圆在后续制程中出现掉片碎片的风险。
一种改善背面水印显影方法

[发明专利]一种控制切割边缘蓝膜的检测装置和方法-CN202211096438.5在审
发明人：张旭光;王波;史帅龙;马静 -专利权人： 西安卫光科技有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率芯片制程技术领域，具体设涉及种控制切割边缘蓝膜的检测装置和方法。包括晶圆、载片盘、不锈钢圆盘、小圆形凹槽、载片盘传动齿轮、光电传感器、载片盘底座、螺栓；不锈钢圆盘底面设有多个等间隙小圆形凹槽，载片盘底座上设有光电传感器，光电传感器对小圆形凹槽进行计数，并由此判断金属线的切割行程是否刚好为一周，确保切割行程不至于过长，避免了成品晶圆出现毛边的问题。
一种控制切割边缘检测装置方法

[发明专利]一种基于半导体制造的Poly/OX选择比获取方法-CN202211330271.4在审
发明人：杨柳;姜柏阳;郭琳;马恒暄;牛丹;同小锦;李轩岗;张泾波;杜超 -专利权人： 西安卫光科技有限公司;西安微晶微电子有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于半导体制造的Poly/OX选择比获取方法，包括：将晶圆设置于多晶硅刻蚀机台内；向多晶硅刻蚀机台内通入包括氟类气体的刻蚀气体；对刻蚀气体进行电离，获得刻蚀所需的等离子体；基于刻蚀所需的等离子体，对晶圆上多晶硅层和栅氧氧化层进行刻蚀；抽取晶圆表面的等离子体，完成对多晶硅层和栅氧氧化层的刻蚀；对比不同气体流量下的等离子体对多晶硅层和栅氧氧化层的刻蚀速率，获取不同的Poly/OX选择比。本发明实现在保证多晶硅刻蚀干净的基础上提高多晶硅下的栅氧氧化层损失量的效果；能够提高栅氧氧化层的刻蚀速率，获取不同的Poly/OX选择比，提高生产效率，降低生产成本；有利于工业化生产。
一种基于半导体制造 poly ox 选择获取方法

[发明专利]一种半导体器件同步结温测试的方法-CN202210951805.9在审
发明人：李飞;朱雅鸽;安海华;田晓晨;韩冰 -专利权人： 西安卫光科技有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件同步结温测试的方法，通过获取同批次半导体器件中每只产品的在不同温度下的初步温度系数和初步温度补偿；利用平均值法校准初步温度系数得到平均温度系数和平均温度补偿，并得到最优产品参数用于代表同型号同批次产品温度性能；在半导体测试系统中测试多个批次的半导体器件中的最优产品参数，测试相同温度下理论电压与实际电压的电压补偿；基于半导体测试系统，输入平均温度系数、平均温度补偿和电压补偿，得到芯片的实时结温；本申请从多个角度对半导体器件的影响因素进行校准，进而能够实现在任何温度下跟测到实时的芯片温度。
一种半导体器件同步测试方法

[发明专利]一种60μm划片槽的对位标记设计方法-CN202110396935.6有效
发明人：安静;宁磊;胡晓洲;杨森虎;高敏;邓佩蓉;张晶 -专利权人： 西安卫光科技有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种60um划片槽的对位标记设计方法，在光刻版的60μm划片槽上形成标记图形，然后采用光刻刻蚀工艺将光刻版上的标记图形转移到覆盖有光刻胶的圆片上，将圆片上的对位标记用于下一层次的对位，对位标记包括Search对位标记、EGA的LSA对位标记和EGA的FIA对位标记。本发明解决目前圆片工艺流程中划片槽占用面积过多而引发的面积浪费问题，减小了通用对位标记所占用的划片槽宽度，有效提高芯片占比，降低芯片成本，实现圆片面积利用的最大化。
一种 60 划片对位标记设计方法

[发明专利]一种高结温SiC陶瓷封装硅堆外壳结构-CN202010496801.7有效
发明人：张玉明;刘文辉;伍志雄;王维乐;白朝辉 -专利权人： 西安卫光科技有限公司;西安电子科技大学
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L23/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高结温SiC陶瓷封装硅堆外壳结构，管壳的内腔为三腔室结构，每个腔室内对应设置有管芯，腔室的底部设置有底板，管壳的两端分别设置有引线，一端的引线依次连接三个腔室内的管芯后与另一端的引线连接，三只管芯与底板烧结后经压焊工艺将三只管芯串联形成硅堆，管壳的上方设置有盖板，盖板与内腔之间填充有硅凝胶，形成高结温SiC陶瓷封装硅堆外壳结构。本发明硅堆外壳结构减小了体积，提高了工作结温。
一种高结温 sic 陶瓷封装外壳结构

[发明专利]一种塑封高压硅堆-CN202010725718.2有效
发明人：伍志雄;刘文辉;许允亮;白朝辉;王维乐;智晶;李斐;行晓曦 -专利权人： 西安卫光科技有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种塑封高压硅堆，包括依次间隔设置的多个陶瓷覆铜，多个陶瓷覆铜按极性方向通过内引线串联连接组成蛇形结构的硅堆组件，硅堆组件两端的陶瓷覆铜分别连接对应的螺纹电极，每个陶瓷覆铜上采用真空烧结方式设置有二极管管芯，二极管管芯通过铝丝与内引线连接。本发明通过采取新型工艺结构硅堆，经过新研制的产品，在封装外形尺寸不变的基础上，整体工作电流可提高至2～2.5A，提升了产品通电功率。
一种塑封高压

[实用新型]一种高频高压整流硅堆-CN202121750308.X有效
发明人：吕晋萍 -专利权人： 西安卫光科技有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种高频高压整流硅堆，包括硅堆组件、封装层和螺纹电极；硅堆组件两端分别点焊有螺纹电极，硅堆组件和螺纹电极均设置在封装层内。本实用新型通过在硅堆组件两端分别点焊一个已焊接好的螺纹电极组件，利用先焊接再点焊的方法，解决了硅堆组件与螺纹电极直接高温焊接时，由于温度变化所产生的应力，造成玻璃钝化封装二极管玻球开裂，硅堆产品致命失效的问题，提高了产品的质量，确保了产品的稳定性、可靠性，在实际应用中效果显著，已将此操作固化到工艺文件中，并广泛应用于批量生产中。
一种高频高压整流

[发明专利]一种整流硅桥结构-CN202110867063.7在审
发明人：吕晋萍 -专利权人： 西安卫光科技有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H02M7/162 文献下载
摘要：一种整流硅桥结构，包括硅桥组件、改性环氧外壳、缓冲层和环氧树脂；硅桥组件设置在改性环氧外壳内，硅桥组件和改性环氧外壳之间填充有环氧树脂；硅桥组件外侧涂覆有缓冲层。本发明通过在硅桥组件的玻璃钝化封装二极管表面涂覆一层缓冲层(GD401室温硫化硅橡胶)，能够有效消除产品由于不同材料间热膨胀系数存在差异(所用材料不同，如：玻璃、金属、环氧等)，在浇铸成型：环氧树脂固化过程中，筛选：温度循环、功率老练等，使用过程(工作环境等)中，由于温度变化等所产生的应力，提高了产品的质量，确保了产品的稳定性、可靠性，在实际应用中效果显著。
一种整流结构

[发明专利]一种MOSFET器件结构及制造方法-CN202110758746.9在审
发明人：习毓;丁文华;陈骞;单长玲;刘英;郝艺锦;李朴 -专利权人： 西安卫光科技有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种MOSFET器件结构及其制造方法，包括N+衬底1、N‑外延层2、P‑body扩散窗口3、N+JFET扩散窗口4、栅介质层5、栅极多晶硅6、源N+扩散窗口7、源P+扩散窗口8和栅源隔离层9；本发明涉及一种优化的MOSFET设计和制造方法，在版图、工艺条件和产品静态参数基本不变的情况下，采用MOSFET新结构可以使开关参数降低17％～23.8％；在版图不变的情况下，采用外延穿通的设计方法，可以使高压MOSFET的导通电阻降低12.5％～27.6％；在版图和其他工艺条件基本不变的情况下，采用图1新结构中“4.N+JFET扩散窗口”进行局部JFET注入，可以使低压MOSFET的导通电阻降低11.3％～25.4％。
一种 mosfet 器件结构制造方法

[发明专利]一种阶梯栅介质层结构及其制造方法-CN202110759730.X在审
发明人：丁文华;习毓;陈骞;单长玲;史瑞;刘英 -专利权人： 西安卫光科技有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种阶梯栅介质层结构及其制造方法，包括N+衬底、N‑外延层、P‑body扩散窗口、N+JFET扩散窗口、栅介质层、栅极多晶硅和栅源隔离层；本发明涉及一种提高MOSFET抗单粒子栅穿能力的阶梯栅介质层结构和制造方法，在单元结构中增加N+JFET区，利用硅中掺杂浓度越高则硅表面热氧生长越快这一理论，按栅介质层生长工艺条件，N+JFET区上的栅介质层厚度可以生长到而P‑body沟道区的栅介质层厚度则为阶梯结构的栅介质层，沟道区为薄氧，确保器件的总剂量性能不受影响；JFET区为厚氧，提高了栅介质击穿电压，进而提高了器件的抗单粒子栅穿能力。
一种阶梯介质结构及其制造方法

[发明专利]一种双向低压平面瞬态电压抑制二极管及其制造方法-CN201810715738.4有效
发明人：李家贵 -专利权人： 西安卫光科技有限公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种双向低压平面瞬态电压抑制二极管及其制造方法，包括P型重掺杂硅衬底；在衬底的正面和背面分别形成有第一正面掺杂区和第一背面掺杂区，在衬底的正面和背面通过掺杂窗口扩散掺杂分别形成第二正面掺杂区和第二背面掺杂区，在第二正面掺杂区和第二背面掺杂区上分别形成有第二正面掺杂区氧化层和第二背面掺杂区氧化层，第二正面掺杂区氧化层和第二背面掺杂区氧化层上形成有正面接触孔和背面接触孔；在正面接触孔和背面接触孔上分别形成有正面金属电极和背面金属电极。本发明增加与硅衬底掺杂类型相同的正面掺杂区和背面掺杂区，起到调整衬底浓度，形成的PN结两端浓度梯度增大，可动离子减少，TVS漏电流减小。
一种双向低压平面瞬态电压抑制二极管及其制造方法

[实用新型]一种内引线MOSFET版图结构及MOSFET芯片-CN201921289193.1有效
发明人：丁文华;习毓;陈骞;周新棋;智晶;田欢 -专利权人： 西安卫光科技有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种内引线MOSFET版图结构及MOSFET芯片，包括MOSFET版，MOSFET版上设置有结终端，结终端的内部设置有元胞区，元胞区内设置有栅Pad和源pad。本实用新型取消了元胞区和结终端区的过渡区域，元胞区周围可以直接设计结终端区，从而有效缩小了芯片尺寸，适用于小电流的MOSFET芯片。
一种引线 mosfet 版图结构芯片

[实用新型]一种提高单位面积电流密度的MOSFET结构-CN201921288277.3有效
发明人：习毓;丁文华;周新棋;陈骞;单长玲;智晶 -专利权人： 西安卫光科技有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高单位面积电流密度的MOSFET结构，包括条形结构的N+衬底，N+衬底上设置有N‑外延层，N‑外延层上纵向设置有源N+扩散窗口，N‑外延层的左右两侧沿源N+扩散窗口的纵向方向分别设置有栅氧化层，每个栅氧化层上依次设置有栅极多晶硅和栅源隔离层，源N+扩散窗口、源P+扩散窗口和接触孔设置在源极和栅极之间，源N+扩散窗口将源P+扩散窗口分隔成多个方形的元胞结构构成源极，栅极金属与多晶硅连接构成栅极，漏极金属与N+衬底连接构成漏极。本实用新型在保证产品电参数的情况下，缩小了元胞尺寸，使单位面积内并联的元胞数目增多，从而提高了单位面积的电流密度。
扩散窗口外延层衬底本实用新型栅氧化层元胞源极产品电参数栅极多晶硅漏极金属条形结构依次设置元胞结构栅极金属纵向设置左右两侧多晶硅隔离层接触孔内并联漏极栅源分隔保证

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