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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]刻蚀方法和刻蚀系统-CN200910197444.8无效
  • 李建凤 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2009-10-20 - 2011-05-04 - H01L21/311
  • 一种刻蚀方法，包括：提供基底，所述基底上形成有待刻蚀层，所述待刻蚀层上形成有掩膜层，所述掩膜层已经被图形化，所述待刻蚀层为透光材料；提供所述待刻蚀层的厚度阈值；设定初始刻蚀参数；采用所述初始刻蚀参数对所述待刻蚀层进行刻蚀，同时采用光干涉法检测待刻蚀层的剩余厚度；判断所述待刻蚀层的剩余厚度是否落入所述厚度阈值范围，若否，则继续采用所述初始刻蚀参数的刻蚀，若是，停止采用所述初始刻蚀参数进行刻蚀。本发明还提供一种刻蚀系统。本发明可以实时检测刻蚀过程，反映真实的刻蚀程度，调整刻蚀参数进而达到理想的刻蚀效果。
  • 刻蚀方法系统
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110887663.X在审
  • 张斌 - 中芯南方集成电路制造有限公司
  • 2021-08-03 - 2023-04-04 - H01L27/088
  • 一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层表面形成若干刻蚀阻挡结构；在若干所述刻蚀阻挡结构的侧壁面形成保护层；在形成所述保护层后，在若干所述刻蚀阻挡结构和所述待刻蚀层上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层内具有第一掩膜开口，所述第一掩膜开口暴露出若干所述刻蚀阻挡结构和所述待刻蚀层的部分表面；以所述第一掩膜层和若干所述刻蚀阻挡结构为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层，在所述待刻蚀层内形成若干第一导电开口
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体结构的形成方法-CN201310315297.6有效
  • 何其暘;孟晓莹 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2013-07-24 - 2017-06-13 - H01L21/28
  • 一种半导体结构的形成方法，所述半导体结构的形成方法包括提供衬底，所述衬底表面具有待刻蚀层；在待刻蚀层表面形成第一图形化掩膜层，所述第一图形沿第一方向的尺寸和间距等于在第一方向上待刻蚀图形的长度和间距；以第一图形化掩膜层为掩膜刻蚀待刻蚀层，形成凹槽；在衬底表面形成与第一图形化掩膜层的表面齐平的介质层；刻蚀第一图形化掩膜层和介质层，形成第二图形化掩膜层，所述第二图形沿第二方向的尺寸和间距等于在第二方向上待刻蚀图形的宽度和间距，所述待刻蚀图形的宽度小于待刻蚀图形的长度；以第二图形化掩膜层为掩膜，刻蚀待刻蚀层，形成待刻蚀图形。所述半导体结构的形成方法可以提高最终形成的待刻蚀图形的准确性。
  • 半导体结构形成方法
  • [发明专利]半导体制造方法-CN201911173243.4在审
  • 池国维;刘厥扬;胡展源 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2019-11-26 - 2020-02-28 - H01L21/3065
  • 针对具有稀疏图形区域和密集图形区域的半导体制造，本发明提供的方法主要包括：刻蚀去除待刻蚀层的循环厚度，产生刻蚀副产物；清除刻蚀副产物；循环前两步骤至待刻蚀层至设计厚度。或，在稀疏图形区域比密集图形区域多预留设定快刻厚度的待刻蚀层；利用刻蚀副产物做掩膜刻蚀待刻蚀层至设计厚度。据此，能够实现待刻蚀层在两个区域刻蚀至最终的设计刻蚀深度时不存在高度差，减轻了图形负载效应。
  • 半导体制造方法
  • [发明专利]刻蚀方法和半导体结构-CN202111010653.4在审
  • 马凤麟;李玉岱;金兴成;杨晓芳 - 无锡华润微电子有限公司
  • 2021-08-31 - 2023-03-03 - H01L21/311
  • 本申请涉及刻蚀方法和半导体结构。该刻蚀方法包括获取刻蚀副产物形成的位置，于基层上形成待刻蚀层和牺牲层，牺牲层形成于上述位置下方，于待刻蚀层上形成刻蚀掩膜层，在刻蚀掩膜层的阻挡下刻蚀待刻蚀层，去除刻蚀掩膜层和牺牲层。该刻蚀方法由于在刻蚀副产物形成的位置下方形成牺牲层，使刻蚀副产物与牺牲层直接接触，在去除牺牲层后，由于刻蚀副产物失去了粘附材料，从而使得刻蚀副产物在去除牺牲层后被彻底移除。
  • 刻蚀方法半导体结构
  • [发明专利]图形化方法-CN201310338349.1在审
  • 张海洋;孟晓莹 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2013-08-05 - 2015-02-11 - H01L21/308
  • 一种图形化方法，包括：提供基底；在所述基底上形成待刻蚀层，所述待刻蚀层的材料为硅、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅；在所述待刻蚀层上形成BN薄膜层；在所述BN薄膜层上形成具有窗口的光刻胶；以所述光刻胶为掩膜，刻蚀所述BN薄膜层，形成图形化的BN薄膜层；以所述图形化的BN薄膜层为掩膜刻蚀所述待刻蚀层。本发明提供的图形化方法，可以完成所述待刻蚀层的图形化，且得到形貌良好、且尺寸精确的图形化的待刻蚀层。
  • 图形方法
  • [发明专利]条形结构的刻蚀方法-CN201110182359.1有效
  • 周俊卿;孟晓莹;张海洋 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2011-06-30 - 2013-01-02 - H01L21/311
  • 一种条形结构的刻蚀方法，包括：提供基板，在所述基板表面形成待刻蚀薄膜；在所述待刻蚀薄膜表面形成掩膜层，在所述掩膜层内形成贯穿所述掩膜层的通孔，所述通孔与待形成的条形结构较短边的位置对应；在所述掩膜层表面形成条形图案，以所述条形图案为掩膜刻蚀所述掩膜层，直至暴露出待刻蚀薄膜，形成掩膜层图案；以所述掩膜层图案为掩膜，刻蚀待刻蚀薄膜直至暴露出所述基板。通过在待刻蚀薄膜表面形成一层较硬的掩膜层，以所述较硬的掩膜层为掩膜对待刻蚀薄膜进行刻蚀，刻蚀出的图形可以与掩模图形高度一致，刻蚀出的条形结构端点的棱角不会过度刻蚀形成圆角。
  • 条形结构刻蚀方法
  • [发明专利]半导体结构的形成方法-CN201310376914.3有效
  • 吴紫阳;文秉述;郑又锡 - 中微半导体设备（上海）有限公司
  • 2013-08-26 - 2013-11-20 - H01L21/311
  • 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面具有待刻蚀层；在所述待刻蚀层表面形成掩膜层，所述掩膜层暴露出部分待刻蚀层表面；以所述掩膜层为掩膜，对所述待刻蚀层进行等离子体刻蚀，在所述待刻蚀层内形成开口，所述等离子体刻蚀的偏置射频功率源输出的射频信号为脉冲信号，所述脉冲信号的占空比随刻蚀深度的增加而减小，当偏置射频功率源打开时，刻蚀部分待刻蚀层并形成刻蚀口，且所述刻蚀口内具有刻蚀副产物，当偏置射频功率源关闭时，所述刻蚀副产物扩散出所述刻蚀口。采用所述等离子体刻蚀工艺所形成的开口尺寸精确均匀，且形成所述开口的刻蚀速率高。
  • 半导体结构形成方法
  • [发明专利]多叠层结构的原子层刻蚀工艺仿真方法及装置-CN202210279430.6在审
  • 严琦;韦亚一;陈睿;龚文华;邵花;李晨 - 中国科学院微电子研究所
  • 2022-03-21 - 2022-06-17 - G06F30/20
  • 本发明提供一种多叠层结构的原子层刻蚀工艺仿真方法及装置，包括：定义待刻蚀对象的结构信息，待刻蚀对象包括硅衬底及其上方的多个由锗化硅层/硅层依次堆叠的叠层；定义锗化硅层和硅层各自的刻蚀函数；定义不同深度的左侧发射源和右侧发射源的位置坐标和入射角范围；根据刻蚀时间和待刻蚀对象的结构信息确定要入射的刻蚀粒子的个数；向待刻蚀对象依次入射刻蚀粒子直至刻蚀粒子耗尽，对于每个刻蚀粒子，执行以下操作：计算所述待刻蚀对象上接收所述刻蚀粒子的轰击位置，判断所述轰击位置的原子特性，根据原子特性选择不同的刻蚀函数，当满足刻蚀函数的去除条件时，将所述轰击位置的原子去除，最终得到基本刻蚀轮廓。
  • 多叠层结构原子刻蚀工艺仿真方法装置
  • [发明专利]待刻蚀半导体器件及其制备方法-CN202211241921.8在审
  • 李利哲;李增林 - 江苏第三代半导体研究院有限公司
  • 2022-10-11 - 2022-12-13 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种待刻蚀半导体器件及其制备方法、半导体器件及其刻蚀方法。该待刻蚀半导体器件包括半导体器件本体和掩模层，所述半导体器件本体包括表面的待刻蚀层，所述掩模层位于所述待刻蚀层上，所述掩模层为图案化结构并具有用于露出所述待刻蚀层的若干开口，所述开口截面的上部宽度大于下部宽度，所述待刻蚀层对应所述掩模层的开口处的表面形成有若干凹坑，所述凹坑内设置有金属纳米颗粒。该半导体器件在进行光电化学刻蚀时可以提高刻蚀速率，且不会损伤沟槽侧壁。
  • 刻蚀半导体器件及其制备方法
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