“待刻蚀层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3383190个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体图案化方法-CN202210960631.2在审
发明人：姚健文 -专利权人：杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种用于半导体工艺的图案化方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成牺牲氧化层；在所述牺牲氧化层上形成光刻胶层；图案化所述光刻胶层，以使所述牺牲氧化层具有裸露区域；通过离子注入工艺刻蚀所述光刻胶层、所述牺牲氧化层和所述待刻蚀层中对应所述裸露区域的部份；以及，去除残留的所述光刻胶层和所述牺牲氧化层，以完成对所述待刻蚀层的刻蚀。本申请能够起到保护待刻蚀层侧面的作用，避免离子注入而造成待刻蚀层电性的改变。
半导体图案方法

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202310067995.2在审
发明人：马景涛 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法，半导体结构的制造方法包括：提供基底以及位于基底上的待刻蚀层；在待刻蚀层上形成硬掩膜层，硬掩膜层中具有掺杂元素，且在自基底指向待刻蚀层的方向上，掺杂元素的掺杂含量逐渐增加；在硬掩膜层上形成光刻胶层，光刻胶层内具有贯穿光刻胶层厚度的第一开口；以光刻胶层为掩膜，沿第一开口刻蚀硬掩膜层，直至暴露待刻蚀层的顶面，在硬掩膜层内形成第二开口，其中，在刻蚀硬掩膜层的步骤中，刻蚀工艺对硬掩膜层的刻蚀速率逐渐增大；以具有第二开口的硬掩膜层为掩膜刻蚀待刻蚀层，直至暴露基底的顶面，在待刻蚀层内形成第三开口。
半导体结构制造方法

[发明专利]刻蚀溶液和刻蚀方法-CN201711190003.6有效
发明人：张瑞朋;丁敬秀 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种刻蚀溶液和刻蚀方法，所述刻蚀溶液包括：刻蚀剂；添加剂，所述添加剂包括阻挡颗粒。通过在所述刻蚀溶液中添加包含有阻挡颗粒的添加剂，在所述待刻蚀层侧壁露出后，使所述阻挡颗粒进入所述待刻蚀层的侧壁位置处，并填充于所述待刻蚀层的侧壁上，以实现抑制所述刻蚀剂对所述待刻蚀层侧壁刻蚀的目的，从而改善下切问题、提高湿法刻蚀效果，实现有利于工艺效率和刻蚀效果的兼顾。
刻蚀溶液方法

[发明专利]自对准多重图形化的掩膜层及其形成方法-CN201210214129.3无效
发明人：吴汉明;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-06-26 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种自对准多重图形化的掩膜层及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层表面形成牺牲材料层；对所述牺牲材料层进行刻蚀，形成牺牲层，所述靠近待刻蚀材料层的牺牲层的尺寸小于远离待刻蚀材料层的牺牲层的尺寸；在所述牺牲层侧壁表面形成侧墙，从待刻蚀材料层表面到远离待刻蚀材料层表面，所述侧墙两侧的侧壁向侧墙中间位置倾斜。由于所述侧墙两侧的侧壁都向侧墙中间位置倾斜，使得由于侧墙两侧的侧墙的剖面形状相同，使得后续利用所述侧墙为掩膜刻蚀形成的待刻蚀材料层的侧壁形貌相同，不会影响后续形成的半导体器件的电学性能。
对准多重图形掩膜层及其形成方法

[发明专利]一种刻蚀图形的形成方法及半导体器件-CN201910114567.4有效
发明人：金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种刻蚀图形的形成方法，包括提供待刻蚀层，在待刻蚀层上形成第一刻蚀图形和介质层图形，第一刻蚀图形位于介质层图形与待刻蚀层之间，且第一刻蚀图形在待刻蚀层上的投影位于介质层图形在待刻蚀层上的投影区域内；在第一刻蚀图形的两侧分别形成第二刻蚀图形，第二刻蚀图形靠近第一刻蚀图形的侧壁与介质层图形的侧壁平齐。相比于现有技术中自对准三重图形形成时，先沉积薄膜层再刻蚀薄膜层和介质层的方式，本方法的刻蚀工艺更简单，且形成的自对准三重图形更均匀。本发明还公开了一种由该方法形成的性能更好的半导体器件。
一种刻蚀图形形成方法半导体器件

[发明专利]一种自对准双重图形化的方法-CN201610304949.X在审
发明人：罗啸;陈春晖;熊涛;舒清明 -专利权人：上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：该方法包括提供待刻蚀材料层，在待刻蚀材料层上形成牺牲层和光刻胶层；对光刻胶层进行曝光显影，形成光刻胶层图案，以光刻胶层图案为掩膜，对牺牲层进行刻蚀，形成第一牺牲层图案；去除光刻胶层图案，露出第一牺牲层图案；刻蚀第一牺牲层图案，形成第二牺牲层图案；在待刻蚀材料层和第二牺牲层图案表面形成掩膜层；对掩膜层进行回刻蚀，暴露出待刻蚀材料层表面和第二牺牲层图案表面，形成侧墙；去除第二牺牲层图案；刻蚀侧墙的开口区域；以侧墙作为掩膜，对待刻蚀材料层进行刻蚀。本发明提供的技术方案实现了改善侧墙的形貌，并以此侧墙为掩膜刻蚀待刻蚀材料层，消除了奇偶效应，降低工艺控制难度。
一种对准双重图形方法

[发明专利]刻蚀加工方法和装置、半导体器件-CN202310190899.7有效
发明人：龙虎;盛况;吴九鹏;任娜 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本公开涉及刻蚀加工方法和装置、半导体器件。该刻蚀加工方法包括：形成覆盖待刻蚀区的第一掩膜层，第一掩膜层沿平行于待刻蚀区的第一方向的各处具有不同的等效刻蚀厚度；及通过第一掩膜层对待刻蚀区进行刻蚀，并对第一掩膜层进行刻蚀，刻蚀步骤包括：通过连续调节刻蚀参数以连续调整第一掩膜层与待刻蚀区的刻蚀选择比，刻蚀参数包括第一刻蚀气体与第二刻蚀气体的浓度比，第一刻蚀气体用于刻蚀第一掩膜层，第二刻蚀气体用于刻蚀待刻蚀区。该刻蚀加工方法可以实现准确形貌的刻蚀加工表面。
刻蚀加工方法装置半导体器件

[发明专利]一种半导体结构的刻蚀方法-CN202310012872.9在审
发明人：朱海云;徐力田;蒋中伟 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构的刻蚀方法，包括：提供待刻蚀材料层，待刻蚀材料层上形成有若干分立的核心层；在核心层之间露出的待刻蚀材料层上以及核心层顶部和侧壁上形成掩膜层；在掩膜层上形成保护层；对所述保护层和部分所述掩膜层进行各向异性刻蚀，直至完全去除所述保护层并暴露出核心层的顶部以及相邻核心层间隔区域之间的部分待刻蚀材料层；去除核心层；以剩余的掩膜层作为掩膜对待刻蚀材料层进行刻蚀，在待刻蚀材料层中形成目标图形。
一种半导体结构刻蚀方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201410114628.4有效
发明人：王新鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-03-25 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供具有待刻蚀层的衬底，所述待刻蚀层包括图形密集区和图形稀疏区；在图形稀疏区的待刻蚀层表面形成第一掩膜层，第一掩膜层具有稀疏图案；形成覆盖于待刻蚀层表面以及第一掩膜层表面的光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影处理，在图形密集区的待刻蚀层表面、以及第一掩膜层表面形成第二掩膜层，图形密集区的第二掩膜层具有密集图案；以所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀图形密集区的待刻蚀层，同时，以所述第二掩膜层和第一掩膜层为掩膜，刻蚀图形稀疏区的待刻蚀层，直至暴露出衬底表面。本发明可弥补刻蚀过程中负载效应带来的问题，使得图形稀疏区刻蚀后的形成的刻蚀层具有良好的形貌。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201510350801.5有效
发明人：张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供待刻蚀材料层；在待刻蚀材料层表面形成第一掩膜材料层；采用聚焦离子束刻蚀工艺刻蚀第一掩膜材料层，在待刻蚀材料层表面形成多个分立的第一掩膜层；在分立的第一掩膜层之间的待刻蚀材料层表面形成第二掩膜层，所述第二掩膜层的顶部表面与第一掩膜层的顶部表面齐平；去除第一掩膜层，保留第二掩膜层；对第二掩膜层进行横向回刻蚀，形成第三掩膜层；以第三掩膜层为掩膜刻蚀待刻蚀材料层，形成目标图案。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910627198.9在审
发明人：毕晓峰;纪世良;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层表面具有衬垫层；在所述衬垫层的表面形成若干相互分立的第一掩膜结构；以所述第一掩膜结构为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层和所述衬垫层，在所述待刻蚀层内形成凹槽，并使所述第一掩膜结构形成第一初始待去除层；对所述第一初始待去除层进行改性处理工艺，形成第一待去除层；刻蚀去除所述衬垫层和所述第一待去除层。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202011263278.X在审
发明人：赵振阳;纪世良 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括若干沿第一方向延伸的第一待刻蚀区，第一待刻蚀区包括沿第二方向排布的边缘区和中心区，且所述边缘区位于所述中心区两侧并与所述中心区相邻，基底上具有待刻蚀材料层；在待刻蚀材料层上形成若干相互分立的初始掩膜结构，初始掩膜结构沿第二方向延伸，且若干所述初始掩膜结构沿第一方向排列；刻蚀所述边缘区上的初始掩膜结构，直至暴露出待刻蚀材料层表面，形成若干掩膜结构；以掩膜结构为掩膜，刻蚀所述待刻蚀材料层，形成若干相互分立的待刻蚀层，且所述待刻蚀层沿第二方向延伸；去除所述中心区上的待刻蚀层，直至暴露出所述基底表面。所述方法有利于提高形成的待刻蚀层的尺寸均一性。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种刻蚀方法及半导体器件-CN201811432033.8有效
发明人：韩朋刚;许鹏凯 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件的刻蚀加工领域，具体公开了一种刻蚀方法及半导体器件。上述刻蚀方法包括：提供衬底，衬底上形成有待刻蚀膜层；在待刻蚀膜层上形成掩膜层结构，掩膜层结构包括形成在待刻蚀膜层上表面的介质层和形成在介质层上表面的APF膜层；图案化APF膜层；以图案化后的APF膜层为掩膜，对介质层和待刻蚀膜层执行第一刻蚀工艺，以图案化介质层并部分刻蚀待刻蚀膜层；去除图案化后的APF膜层；以及以图案化后的介质层为掩膜，对待刻蚀膜层执行第二刻蚀工艺。本发明能够避免多晶硅刻蚀过程中产生的聚合物在APF表面富集，从而消除半导体器件表面的聚合物壳层的缺陷。
一种刻蚀方法半导体器件

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN201610642239.8在审
发明人：呼翔;施平;李强;朱建校;徐培明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：所述方法包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成待刻蚀材料层，所述待刻蚀材料层包括第一材料层和位于所述第一材料层下方的第二材料层；在所述待刻蚀材料层上形成具有第一窗口的掩膜层，所述第一窗口具有第一宽度，所述第一宽度小于所述待刻蚀材料层的预定刻蚀宽度；刻蚀所述第一材料层，以在所述第一材料层中形成第二窗口，所述第二窗口的宽度等于所述第一宽度；采用湿法刻蚀刻蚀所述第二材料层；去除所述掩膜层；以及对所述第一材料层进行湿法刻蚀，以使得所述第二窗口的宽度等于所述预定刻蚀宽度。该方法可以避免由于待刻蚀材料层中的端切现象而导致半导体器件失效。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种晶圆刻蚀方法-CN202210390035.5在审
发明人：梅震;黄斌斌;章兴洋;罗坤;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆刻蚀方法，首先将待刻蚀晶圆划分为至少两个同心圆环区域，然后基于预先获取的晶圆中不同半径的圆环区域中待刻蚀层被深刻蚀后形成的刻蚀槽的上顶宽与所用刻蚀光刻版的线宽之间的对应关系，设计待刻蚀晶圆中各圆环区域对应的刻蚀光刻版的线宽，从而在利用待刻蚀晶圆中各圆环区域对应的设计好线宽的刻蚀光刻版，对待刻蚀晶圆中各圆环区域的待刻蚀层进行深刻蚀时，使得待刻蚀晶圆中各圆环区域的待刻蚀层被深刻蚀后形成的刻蚀槽的上顶宽均不大于第一预设宽度，进而使得待刻蚀晶圆中各圆环区域的待刻蚀层被刻蚀干净的情况下，刻蚀槽的上顶宽均不超过相邻芯粒之间的台面间距，不损失芯粒，也不影响芯粒排布，降低芯片制作成本。
一种刻蚀方法