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[实用新型]用于功率器件的栅极驱动电路-CN202320330288.3有效
发明人：徐涵;刘成;叶念慈;徐宁;秦梓伦 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于功率器件的栅极驱动电路，包括：调节电路，包括串联连接的可调变阻器、二极管和电容器，电容器的一端连接至功率器件的栅极；推挽电路，包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的源极和第二晶体管的漏极分别连接至所述功率器件的栅极；反相器电路，用于接收外部输入的控制信号且对控制信号进行反相处理，控制信号经过一级反相处理输出至第二晶体管的栅极，控制信号经过二极反相处理输出至第一晶体管的栅极；调节电路和反相器电路协同作用控制电容器的电压，并进而对第一晶体管的栅极电压进行调控，以实现对功率器件的栅极充放电电流的调控。通过本实用新型的方案，能够实现对氮化镓等功率器件开关速度的连续调节。
用于功率器件栅极驱动电路

[发明专利]氮化镓双向开关器件-CN202310829685.X在审
发明人：何俊蕾;林志东;林育赐;刘成;徐宁;房育涛;叶念慈 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种氮化镓双向开关器件，包括基底，包括有源区和终端区；基底包括：衬底、外延层；外延层包括叠设的第一半导体叠层和第二半导体层，两者之间具有二维电子气；第一电极和第二电极，间隔设置在第二半导体层的表面上；两个栅极，间隔设置在第一电极和第二电极之间；第一级场板介质层，设置在第二半导体层上；两个第一级场板金属，设置在场板介质层上，间隔设置于两个栅极之间，两个第一场板金属中，靠近一个栅极的一个第一级场板金属到对应的栅极的距离与靠近另一个栅极的另一第一级场板金属到对应的栅极的距离相等；两个第一级场板金属沿栅极的延伸方向从有源区延伸至终端区，并在终端区通过第一互连金属进行连接。该器件能够提高器件耐压。
氮化双向开关器件

[发明专利]一种外延结构及其制备方法-CN202310696044.1在审
发明人：房育涛;蔡文必;叶念慈;张富钦 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种外延结构及其制备方法，所述外延结构包括：硅衬底，所述硅衬底具有第一表面；外延层，所述外延层设置在所述第一表面；所述外延层包括若干子外延层和网格状裂纹，所述若干子外延层被配置为由所述网格状裂纹隔开，所述外延层的材料为III‑V族材料。本公开的外延结构及其制备方法，能够利用该网格状裂纹释放热失配张应力，从而获得更厚更高质量的外延材料，减小高温外延生长时硅衬底翘曲。
一种外延结构及其制备方法

[发明专利]一种外延结构及其制备方法-CN202110719527.X有效
发明人：房育涛;蔡文必;叶念慈;张富钦 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：公开了一种外延结构及其制备方法，所述外延结构包括：硅衬底，所述硅衬底具有第一表面；外延层，所述外延层设置在所述第一表面；所述外延层包括若干子外延层和网格状裂纹，所述若干子外延层被配置为由所述网格状裂纹隔开，所述外延层的材料为III‑V族材料。本公开的外延结构及其制备方法，能够利用该网格状裂纹释放热失配张应力，从而获得更厚更高质量的外延材料，减小高温外延生长时硅衬底翘曲。
一种外延结构及其制备方法

[发明专利]具有缓冲结构的驱动电路以及集成电路-CN202011264799.7有效
发明人： 叶念慈;刘洋;刘成;何俊蕾;许亚坡;洪燕东 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本申请提供一种具有缓冲结构的驱动电路以及集成电路，包括缓冲结构、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一反相器和第二反相器，其中，第一反相器的输出端通过第二反相器后连接至第一晶体管，第一反相器的输出端连接至第二晶体管，第一反相器的输出端通过缓冲结构后连接至第三晶体管。如此，在原有电路基础上加入了第三晶体管和缓冲结构，利用缓冲结构提供延时，以缓解原有电路中第一晶体管和第二晶体管之间存在的延时，以避免在输入信号电平变化时，存在的第一晶体管、第二晶体管同时导通的问题。
具有缓冲结构驱动电路以及集成电路

[发明专利]栅极结构、晶体管器件及其制备方法-CN202310376546.6在审
发明人：刘昊;叶念慈;刘成;王立阁;廖楚剑;刘勇;周笑波 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请公开了一种栅极结构、晶体管器件及其制备方法，晶体管器件包括衬底、外延层、栅极金属；外延层设置在衬底上；外延层包括沿远离衬底方向依次层叠设置的第一半导体层、第二半导体层及盖帽层，第一半导体层和第二半导体层之间形成有异质结结构；栅极金属设置在盖帽层上，栅极金属与盖帽层之间形成肖特基接触；栅极金属包括与盖帽层表面相交的两侧面；栅极金属的两侧面向盖帽层倾斜且沿远离衬底的方向相互靠拢，栅极金属在盖帽层上的正投影完全位于盖帽层内。通过上述设置，栅极金属的侧面形貌利于减少侧壁漏电的产生。
栅极结构晶体管器件及其制备方法

[发明专利]一种驱动电路和芯片-CN202310416944.6在审
发明人：徐涵;严丹妮;刘成;叶念慈 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：本发明提供了一种驱动电路及芯片，驱动电路包括漏电保护路径和自控制调整电路，用于驱动功率晶体管。通过自控制调整电路以第一控制方式或第二控制方式确定漏电保护路径的开启时间和钳位电压的大小，一方面减少振荡引起的电压应力，另一方面缓解由静电放电造成的威胁，即在保持功率晶体管栅极的栅极电压在有效工作范围的同时，保证漏电保护路径不被误开启，并减少栅极电压达到钳位电压的时间，提高驱动电路的开关响应速度。
一种驱动电路芯片

[发明专利]一种氮化镓半导体器件及芯片-CN202310346971.0在审
发明人：张辉;付杰;严丹妮;刘成;叶念慈 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓半导体器件及芯片，其中，该氮化镓半导体器件包括：半导体基材、多层半导体层、源极、栅极结构、漏极以及金属阳极；其中，多层半导体层设置在半导体基材上，且半导体层远离半导体基材的表面开设有至少一沟槽结构；源极、栅极结构和漏极彼此间隔的设置在半导体层表面，栅极结构设置在源极和漏极之间；金属阳极设置在栅极结构和漏极之间；沟槽结构设置在栅极结构和漏极之间，且金属阳极设置在至少一沟槽结构靠近栅极结构的一侧，金属阳极通过半导体层分别与源极、漏极接触，以形成反向续流二极管；本申请在氮化镓半导体器件上形成反向续流二极管，能有效提升器件耐压，同时减小器件的泄露电流，提升氮化镓半导体器件性能。
一种氮化半导体器件芯片

[发明专利]一种氮化镓增强型器件及其制备方法-CN202111001242.9有效
发明人：何俊蕾;林科闯;刘成;林育赐;叶念慈;徐宁 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓增强型器件及其制备方法，衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、过渡层和P‑GaN栅为自下而上依次层叠，栅极设置在P‑GaN栅上，源极和漏极形成于AlGaN势垒层上，过渡层位于源极和漏极之间，过渡层的Mg掺杂浓度小于P‑GaN栅的Mg掺杂浓度；过渡层具有被P‑GaN栅覆盖的第一区域和未被P‑GaN栅覆盖的第二区域，第一区域的空穴浓度大于第二区域的空穴浓度；P‑GaN栅具有自下而上依次层叠的第一P型层和第二P型层，第一P型层的空穴浓度大于或等于第二P型层的空穴浓度。本发明避免在外延生长中Mg扩散及刻蚀P‑GaN栅的损伤，实现低导通电阻、高可靠性的GaN增强型功率器件。
一种氮化增强器件及其制备方法

[发明专利]氮化镓双向开关器件及其制备方法-CN202111160681.4有效
发明人：何俊蕾;林志东;林育赐;刘成;徐宁;房育涛;叶念慈 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种氮化镓双向开关器件及其制备方法，涉及半导体器件领域。器件包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层和间隔设于有源区内势垒层上的第一电极和第二电极；还包括在第一电极和第二电极之间且间隔的两栅极、位于势垒层上且将第一电极、第二电极、两栅极隔离的第一级场板介质层；第一级场板介质层在有源区之外且自远离衬底的一面设有第一凹槽，第一凹槽自第一级场板介质层延伸至衬底内，氮化镓双向开关器件还包括通过第一互连金属连接的两第一级场板金属，部分第一互连金属填充于第一凹槽内，且第一凹槽内的第一互连金属与第一凹槽的侧壁之间设有第一绝缘层。该器件能够降低器件的体积，提高器件耐压。
氮化双向开关器件及其制备方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202310280618.7在审
发明人：陈东坡;廖楚剑;叶念慈;刘成 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请公开了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法、钝化层。高电子迁移率晶体管组件包括衬底、外延层和钝化层。外延层设置在衬底的表面，外延层至少包括沿远离衬底方向层叠的两层异质结构。钝化层设置在外延层远离衬底的一侧。其中，钝化层的材料为AlON。钝化层中的N元素浓度沿远离衬底的方向降低。制备方法包括如下步骤：提供一衬底；在衬底的表面设置外延层；在外延层远离衬底的一侧设置钝化层，钝化层的材料为AlON，钝化层中的N元素浓度沿远离衬底的方向降低。通过上述方式，本申请提供的高电子迁移率晶体管降低了界面态缺陷，改善高电子迁移率晶体管电流崩塌现象，避免高频工作失效情况，并提高了高电子迁移率晶体管的稳定性。
电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]一种GaN HEMT器件-CN202310342327.6在审
发明人：张辉;付杰;严丹妮;刘成;叶念慈 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本申请公开了一种GaN HEMT器件，包括沿第一方向层叠设置的衬底、缓冲层、GaN沟道层和势垒层，势垒层远离GaN沟道层的表面设有相互间隔的源极、栅极结构和漏极；还包括反向续流二极管，设于势垒层远离GaN沟道层的表面且位于栅极结构与漏极之间，包括金属阳极和多个第一P‑GaN结构，每个第一P‑GaN结构至少部分位于金属阳极靠近漏极的一侧，多个第一P‑GaN结构与金属阳极接触设置且呈梳齿状排列。第一P‑GaN结构设置于势垒层远离GaN沟道层的表面，多个第一P‑GaN结构在第二方向上相互平行且间隔设置，金属阳极与势垒层形成肖特基接触，与第一P‑GaN结构形成欧姆接触。通过上述设置，解决了现有技术中集成肖特基二极管反向泄漏电流大、耐压能力差的问题。
一种 gan hemt 器件

[实用新型]一种肖特基二极管-CN202320729088.5有效
发明人：张辉;付杰;严丹妮;刘成;叶念慈 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请公开了一种肖特基二极管，涉及半导体器件技术领域，本申请的肖特基二极管，包括衬底以及设置于衬底上的异质结，异质结内形成有二维电子气，异质结上间隔设置有阳极电极和阴极电极，阳极电极和阴极电极之间的异质结上设置有应力调节结构，应力调节结构能够通过向阳极电极附近的异质结表面施加压应力增加异质结表面的压应力，以及，通过向阴极电极附近的异质结表面施加张应力增大异质结表面的张应力。本申请提供的肖特基二极管，能够改善现有技术中肖特基二极管的反向泄露电流大、耐压能力差的问题。
一种肖特基二极管

[发明专利]一种设置组合钝化介质的氮化物HEMT器件及制备方法-CN202011328758.X有效
发明人：蔡文必;徐宁;刘成;林育赐;赵杰;叶念慈 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种设置组合钝化介质的氮化物HEMT器件及制备方法，通过不同应力的组合钝化介质，在栅极区域采用压应力介质，抵消势垒层的张应力，从而减小压电极化，异质结界面极化电荷密度减少，减小2DEG浓度，提高器件阈值；在漏极区域采用张应力介质，使得势垒层压电极化增强，异质结界面极化电荷密度增加，从而增加2DEG浓度，减小器件的导通电阻。同时，栅极区域2DEG浓度小，耗尽区展宽大，可以有效减小栅极区域的峰值电场，抑制电流崩塌效应。制备压应力介质层或张应力介质层时，先沉积整面的张应力介质层或压应力介质层，再通过高温退火使张应力介质层或压应力介质层转换为压应力介质层或张应力介质层，克服常规工序繁琐、工艺窗口小等缺陷。
一种设置组合钝化介质氮化物 hemt 器件制备方法

[发明专利]功率器件外延结构的制备方法及功率器件外延结构-CN202010149236.7有效
发明人：何俊蕾;刘成;赵杰;林育赐;郭德霄;徐宁;叶念慈 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种功率器件外延结构的制备方法及功率器件外延结构，属于氮化物功率器件技术领域。半导体外延结构包括：衬底及依次形成于衬底上的缓冲层、沟道层、势垒层、P型氮化物层、刻蚀终止层以及牺牲层，其中，刻蚀终止层为铝镓氮化合物材料。功率器件外延结构的制备方法包括：制作半导体外延结构；对半导体外延结构进行高温退火；刻蚀牺牲层，以形成表面平整的功率器件外延结构。该功率器件外延结构使P型氮化物层能够通过高温退火获得较高空穴浓度的同时具有平整的表面，进而提升金属与P型氮化物之间的电学特性及均匀性，以用于制备增强型HEMT。
功率器件外延结构制备方法

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