“李赞美”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310086298.1在审
发明人：郑祥教;李赞美;李河英;千广熙;韩承憙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括：通过使用第一材料在特征层上形成多个参考图案和外围图案，使得外围图案连接到多个参考图案的端部；通过使用第二材料在多个参考图案中的每一个参考图案的两个侧壁上形成多个第一间隔物；去除多个参考图案；通过使用第一材料在多个第一间隔物中的每一个第一间隔物的两个侧壁上形成多个第二间隔物；去除多个第一间隔物，使得多个第二间隔物和外围图案保留在特征层上；以及通过使用多个第二间隔物和外围图案作为蚀刻掩模来图案化特征层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体存储器件的方法-CN202211400112.7在审
发明人： 李赞美;李允雅;朴相郁;洪定杓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H10B99/00 文献下载
摘要：提供了一种制造半导体存储器件的方法。该方法可以包括：在包括有源部分的半导体衬底上形成缓冲绝缘层；在缓冲绝缘层上形成位线结构；在每个位线结构的侧表面上形成位线间隔物；将缓冲绝缘层图案化以形成在第一方向上延伸的间隙区域，该间隙区域形成在位线结构之间并暴露有源部分的一部分；形成保护氧化物层以覆盖有源部分的通过间隙区域暴露的所述一部分；形成模制层以填充其中形成有保护氧化物层的间隙区域；分别在每个间隙区域中形成彼此间隔开的模制图案；在每个间隙区域中和模制图案之间形成围栏图案；去除模制图案以形成暴露保护氧化物层的接触区域；去除保护氧化物层；以及在接触区域中形成掩埋接触图案以接触有源部分的所述一部分。
制造半导体存储器件方法

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN202210807591.8在审
发明人： 李赞美;朴相郁;徐艺正;郑祥教 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括：堆叠结构，该堆叠结构包括交替重复地堆叠在半导体衬底上的字线和层间介电图案；半导体图案，分别设置在竖直相邻的字线之间；位线，从半导体衬底竖直延伸并接触半导体图案；封盖绝缘图案，设置在位线与字线之间，并覆盖层间介电图案的侧表面；以及存储元件，分别设置在竖直相邻的层间介电图案之间。半导体图案中每一个包括接触位线的第一源/漏区、直接接触存储元件中的一个存储元件的第二源/漏区、以及位于第一源/漏区与第二源/漏区之间的沟道区。第一源/漏区的最大宽度大于沟道区的宽度。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201610974184.0有效
发明人：金湳健;李赞美 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法包括：在基板上形成隔离层和由隔离层限定的有源区；在基板上形成绝缘层；在绝缘层上形成多个柱掩模，所述多个柱掩模彼此间隔开第一间隔和小于第一间隔的第二间隔；在所述多个柱掩模上形成间隔物；通过部分地去除间隔物，在其中所述多个柱掩模互相间隔开第二间隔的区域中形成掩模桥；以及通过使用所述多个柱掩模和所述掩模桥蚀刻绝缘层，形成暴露有源区的接触孔。
半导体器件制造方法

1
共 4 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top