“大规模集成电路设计”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8529126个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]超晶格超大规模集成电路-CN202111131224.2有效
发明人：林和 -专利权人：林和
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种超晶格超大规模集成电路，包括：衬底；过渡层，设置在所述衬底上方；元器件层，设置在所述过渡层上方，元器件层为利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路在过渡层上方利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路，设计成超晶格超大规模集成电路(MDMFSL‑ULSI:Multi‑Dimension Multi‑Functional Superlattice Ultra‑Large Scale Integrated Circuit)是以二维电子气与二维空穴气超晶格与量子井为基础并具有超高速高可靠抗辐射抗高低温等特征，而且设计效率高，制造工艺周期短，成本低，将极大地改进以上传统硅与化合物集成电路的不足之处。
晶格超大规模集成电路

[发明专利]存储器大规模集成电路特定部分的搜索方法和装置-CN97118628.6无效
发明人：杉本正明 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1997-09-11 - 公布日： 1998-04-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：搜索存储器大规模集成电路的特定存储单元的方法,用于参考对应于对多个重复配置的存储单元的阵列结构的集成电路上进行电气测试的结果输出的逻辑地址的物理地址部分操作为存储器大规模集成电路进行分析、处理或观测。
存储器大规模集成电路特定部分搜索方法装置

[发明专利]一种集成电路仿真波形显示器中的测量工具实现方法-CN201210499158.9在审
发明人：吴跃波;宋德强;张卫卫;郭根华 -专利权人：北京华大九天软件有限公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明是一种集成电路仿真波形显示器中的测量工具实现方法，所属的技术是集成电路辅助设计领域，尤其是涉及集成电路数字仿真、模拟仿真和数模混合仿真领域。本发明针对大规模集成电路仿真工具输出结果分析功能，提供了一整套完备测量工具实现方法。本发明定义了七大类，共计38个测量工具，可提供对信号波形各种属性进行精准测量的功能，并可实现复杂特定设计分析的自定义和自动化，快速的将仿真结果转换为有用的设计参数。在实际的工程应用中，能很好的满足集成电路设计工程师对仿真结果分析的需求，极大的提升设计人员的工作效率。
一种集成电路仿真波形显示器中的测量工具实现方法

[发明专利]集成电路频率响应频率点提取与响应曲线计算方法及装置-CN202010587561.1有效
发明人：唐章宏;邹军;王芬;汲亚飞;黄承清 -专利权人：北京智芯仿真科技有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本申请实施例公开了集成电路频率响应频率点提取与响应曲线计算方法及装置。该方法包括根据超大规模集成电路频域仿真的频率响应的计算需求，在预设频段范围内计算集成电路的谐振频率点及其频率响应，基于谐振频率点将预设频段划分为多个子频段，根据每个子频段的切比雪夫多项式零点获取非均匀频率点，进而计算该非均匀频率点的频率响应，通过插值获得预设频段范围内集成电路的频率响应曲线。本申请可实现提取出满足计算精度要求的数量较少的非均匀频率点，且快速计算出集成电路频域仿真在预设频段内满足精度要求的频率响应曲线，避免难以检测出设计的超大规模集成电路的潜在性能问题。
集成电路频率响应频率提取响应曲线计算方法装置

[发明专利]一种智能化多维多功能传感及信息处理集成电路-CN202010181514.7有效
发明人：林和 -专利权人：林和
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种智能化多维多功能传感及信息处理集成电路。包括：衬底、过渡层和超晶格超大规模集成电路层；其中，所述衬底由硅，化合物半导体，氮化镓、砷化镓或碳化硅中一种或多种组成；在所述衬底的顶部设有由二氧化硅、碳化硅、化合物半导体中一种或多种组成的过渡层；在所述过渡层顶部和侧面形成有基于二维电子气、二维空穴气和量子阱电路创建的超晶格超大规模集成电路层，本发明的优点在本发明具有多功能、高性能、高可靠性、设计灵活性、工艺简化，生产周期短，成本合理等优点。
一种智能化多维多功能传感信息处理集成电路

[实用新型]一种线性化及数字显示装置-CN89221624.7无效
发明人：吴建国 -专利权人：吴建国
申请日： 1989-12-28 - 公布日： 1990-08-22 - 主分类号： G01D13/00 文献下载
摘要：一种采用分段线性化方法，使用大规模集成电路A/O转换器构成线性化及数字显示装置。其特点是线性化是由大规模集成电路A/O转换器的输出控制可变增益放大器的增益和模拟电压发生器产生的模拟电压。
一种线性化数字显示装置

[发明专利]光刻胶剥离剂组合物-CN01808573.3有效
发明人：尹锡壹;朴英雄;吴昌一;李相大;柳终顺 -专利权人：东进瑟弥侃株式会社
申请日： 2001-04-25 - 公布日： 2003-06-25 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及光刻胶剥离剂组合物，它在诸如大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)等半导体器件的制造工艺中用于剥离光刻胶。
光刻剥离组合

[发明专利]高速、低速码率变换电路-CN96109563.6无效
发明人：陈文放;张新民;何调元;徐卫;李宏超;潘云生 -专利权人：中国人民解放军保密委员会技术安全研究所
申请日： 1996-08-30 - 公布日： 2001-02-07 - 主分类号： H04L29/00 文献下载
摘要：一种用于数字通信系统中的高速、低速码率变换的超大规模集成电路，包括时隙脉冲产生模块，２Ｍｂｐｓ→６４ＫＢｐｓ的变换模块，同步变换模块以及方向变换选择模块和输入输出模块，用ＦＰＧＡ将所有电路全部做在一片超大规模集成电路中，实现数字ＰＣＭ通信中将一次群Ｅ1分为３２个零次群E0或３２路零次群E0合为一次群E1的电路。
高速低速变换电路

[发明专利]一种新型的栅极抽取和注入场效应晶体管结构-CN201910284941.5在审
发明人：廖永波;刘承鹏;李平;黄德;徐博洋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明能够降低集成电路的功耗，适用于超大规模集成电路，其特征在于沟道半导体区上设置有顶栅介质层，顶栅介质层上设置有源极、漏极和顶栅极，沟道半导体区下设置有背栅介质层，背栅介质层下设置有背栅极。本发明的优势在于能够对整个芯片上的所有晶体管进行整体调控，达到控制所有器件的沟道半导体区的载流子数目，降低集成电路功耗的目的，此外也能够对个别器件进行单独的调控，这对于解决超大规模集成电路的功耗问题更加适用
沟道半导体区场效应晶体管结构超大规模集成电路顶栅介质介质层背栅功耗抽取载流子集成电路功耗半导体技术微电子技术整体调控背栅极晶体管漏极源极集成电路芯片调控

[发明专利]基于多层次并行策略的集成电路电磁响应计算方法及装置-CN202010511170.1有效
发明人：唐章宏;邹军;黄承清;汲亚飞;王芬 -专利权人：北京智芯仿真科技有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本申请实施例公开了基于多层次并行策略的集成电路电磁响应计算方法及装置。该方法通过将多层超大规模集成电路频域仿真中需要计算的每个频点的电磁响应特征的计算划分为多个计算子任务，采用多个并行子颗粒分别对各个计算子任务进行并行计算，并且，利用多个并行粗颗粒独立执行多个频点对应的多个计算任务本申请可以提高多层超大规模集成电路频域仿真对频点的电磁响应特征计算中各部分的计算效率，还可以提高对数量较大的不同频点的集成电路的电磁响应特征的并行计算效率，满足高效的计算需求。
基于多层次并行策略集成电路电磁响应计算方法装置

[发明专利]一种基于脉冲传输特性的单粒子瞬态效应的建模方法-CN201911323348.3在审
发明人：周婉婷;李磊;唐楠;李进 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于脉冲传输特性的单粒子瞬态效应的建模方法，本发明的方法考虑了脉冲在电路传输中的电气掩蔽效应和脉冲展宽效应，将其建模为电路门电路的物理延迟信息表征式，并采用量化的方法对单粒子瞬态效应进行建模，建立了一种适合硬件模拟的单粒子瞬态注入模型和面向大规模集成电路的单粒子软错误率分析模型。本发明的方法可用于评估单粒子瞬态效应对于全电路的影响，进行针对大规模集成电路的单粒子瞬态效应分析，快速准确的评估电路的SER。
一种基于脉冲传输特性粒子瞬态效应建模方法

[发明专利]可满足大规模集成电路高精密度蚀刻封装方法-CN202210480996.5有效
发明人：周建军;陈高利;许兴波 -专利权人：盐城芯丰微电子有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及半导体蚀刻封装技术领域，具体提供了一种可满足大规模集成电路高精密度蚀刻封装方法，包括：制作带散热片式基岛的引线框架；采用贴片胶将以高精密度蚀刻制作的含有大规模集成电路的芯片贴装于引线框架中的基岛上本发明采用带散热片式基岛的引线框架对含有大规模集成电路的芯片进行封装，提高芯片使用时的散热效果，可以有效保障芯片的工作温度在适宜范围内；采用金钯合金丝进行键合，在金丝适宜高精密度的线径情况下，可以保障金丝的强度
满足大规模集成电路精密度蚀刻封装方法

[发明专利]半导体集成电路器件-CN200610163658.X无效
发明人：田中功 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-12-01 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种大规模集成电路，尤其提供一种半导体集成电路器件，其能够容易地进行组合使用多个IP的电路等来设计的系统LSI的电路设计。该半导体集成电路器件具备：驱动部(101)，经由传输线路与被驱动电路(104)连接，并将驱动被驱动电路(104)的驱动信号提供给被驱动电路(104)；开关(102)，被插入在被驱动电路(104)和驱动部(101)之间的传输线路上，使提供给被驱动电路(104)的驱动信号通过或截断；及传递部(103)，被连接到开关(102)和驱动部(101)之间的传输线路上，用从半导体集成电路器件的外部提供的外部信号取代驱动信号传递给被驱动电路
半导体集成电路器件

[发明专利]一种多孔低介电常数材料SiCOH薄膜的刻蚀方法-CN201210554308.1有效
发明人：丁士进;蒋涛;王鹏飞;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种多孔低介电常数材料SiCOH薄膜的刻蚀方法。刻蚀后所获得的薄膜受损伤程度较小、残留杂质浓度很低，并且具有优越的图案保形性能，适用于45nm以下的超大规模集成电路制造工艺。
一种多孔介电常数材料 sicoh 薄膜刻蚀方法

[发明专利]超大规模集成电路难熔金属硅化物的形成方法-CN200510027907.8有效
发明人：陈华伦 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2005-07-20 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明公开一种超大规模集成电路难熔金属硅化物的形成方法，包括以下步骤：首先，进行前湿法处理；其次，进行薄钛淀积和难熔金属淀积；然后，进行第一次热处理；之后，进行刻蚀；最后，进行第二次热处理。该方法采用一种薄膜钛(Ti)作为难熔金属硅化物工艺中的牺牲层，取代射频溅射刻蚀(RF sputtering)的清洗方法，从而避免对器件的损伤而提高超大规模集成电路器件的可靠性能。
超大规模集成电路金属硅形成方法